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公开(公告)号：CN100446209C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200580009954.8
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 岳红宇
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种用于修整衬底上的特征的方法和系统。在衬底的化学处理期间，在受控条件下将衬底暴露于反应性气相化学物质，如HF/NH3。也可引入具有反应气相化学的惰性气体。开发出与第一反应物、第二反应物和可选惰性气体有关的工艺模型。在指定目标修整量后，利用工艺模型来确定用于实现指定目标的工艺配方。
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公开(公告)号：CN1906747A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001599.X
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/311 , H01L21/32
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31144
Abstract: 本发明描述了一种用于将图案从上层转移到下层中，同时横向修整图案内存在的特征结构的系统和方法。图案转移是根据处理流程利用刻蚀处理执行的，其中在给定目标修整量的情况下调整处理流程内的至少一个可变参数。可变参数的调整是利用处理模型实现的，处理模型被建立用于将修整量数据与可变参数相关。
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公开(公告)号：CN102159330A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136347.6
申请日：2009-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/67207
Abstract: 一种用于固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的系统，其中，低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个处理模块，所述处理模块构造为将低k电介质膜暴露于电磁(EM)辐射，例如红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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公开(公告)号：CN1938841A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010031.4
申请日：2005-02-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , G05B19/418 , H01L21/28
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/28123 , H01L2924/0002 , Y02P90/14 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种用于控制包含具有第一尺寸的栅电极层的栅电极结构的修饰的方法和处理工具，包括确定栅电极结构的第一尺寸，选择目标修饰尺寸，将第一尺寸和目标修饰尺寸前馈到工艺模型以创建一组工艺参数，对栅电极结构执行修饰工艺，包括控制该组工艺参数，修饰栅电极结构，以及测量栅电极结构的修饰尺寸。修饰工艺可被重复至少一次，直到获得目标修饰尺寸，其中修饰尺寸可被反馈到工艺模型以创建一组新的工艺参数。
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公开(公告)号：CN1938840A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009954.8
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 岳红宇
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种用于修整衬底上的特征的方法和系统。在衬底的化学处理期间，在受控条件下将衬底暴露于反应性气相化学物质，如HF/NH3。也可引入具有反应气相化学的惰性气体。开发出与第一反应物、第二反应物和可选惰性气体有关的工艺模型。在指定目标修整量后，利用工艺模型来确定用于实现指定目标的工艺配方。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100530206C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580003999.4
申请日：2005-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 先进微装置公司
Inventor： 岳红宇 , 约瑟夫·威廉·威瑟曼
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G05B13/048 , G05B13/041
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体制造的对多批次的处理进行控制的方法和系统。该控制方法利用处理模型建立处理控制输入数据与处理控制输出数据之间的关系。该控制方法包括使目标处理控制输出数据与预测的处理控制输出数据之间的差别最小，所述预测是通过将处理模型应用到新的处理控制输入数据而进行的。
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公开(公告)号：CN100449723C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200580002253.1
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31116 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明描述了一种修整衬底上的构造的方法和系统。在对衬底进行化学处理期间，在包括表面温度和气体压力的受控条件下，将衬底暴露于诸如HF/NH3的气态化学品。还引入惰性气体，并且选择惰性气体的流速，以在修整构件期间影响目标修整量。
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公开(公告)号：CN1914618A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200580003999.4
申请日：2005-02-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 先进微装置公司
Inventor： 岳红宇 , 约瑟夫·威廉·威瑟曼
IPC: G06F19/00
CPC classification number: G05B13/048 , G05B13/041
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体制造的对多批次的处理进行控制的方法和系统。该控制方法利用处理模型建立处理控制输入数据与处理控制输出数据之间的关系。该控制方法包括使目标处理控制输出数据与预测的处理控制输出数据之间的差别最小，所述预测是通过将处理模型应用到新的处理控制输入数据而进行的。
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公开(公告)号：CN102159330B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN200980136347.6
申请日：2009-09-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/2686 , H01L21/67115 , H01L21/67184 , H01L21/67207
Abstract: 一种用于固化衬底上的低介电常数(低k)电介质膜的系统，其中，低k电介质膜的介电常数小于约4的值。该系统包括一个或多个处理模块，所述处理模块构造为将低k电介质膜暴露于电磁(EM)辐射，例如红外(IR)辐射和紫外(UV)辐射。
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公开(公告)号：CN100511621C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200580001599.X
申请日：2005-02-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66 , H01L21/311 , H01L21/32
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/31144
Abstract: 本发明描述了一种用于将图案从上层转移到下层中，同时横向修整图案内存在的特征结构的系统和方法。图案转移是根据处理流程利用刻蚀处理执行的，其中在给定目标修整量的情况下调整处理流程内的至少一个可变参数。可变参数的调整是利用处理模型实现的，处理模型被建立用于将修整量数据与可变参数相关。
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