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公开(公告)号：CN106067412B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201610258284.3
申请日：2016-04-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置(10)具备载置台(14)和天线(22a)。载置台14设于处理容器内，用于载置基板(W)。天线(22a)以与载置台(14)相对的方式设于载置台(14)的上方，天线(22a)具有顶板(40)，并经由顶板(40)将微波辐射至处理容器内，由此生成被供给到处理容器内的处理气体的等离子体。顶板(40)具有：平板部(40a)，其设于天线(22a)的下表面，该平板部(40a)的至少与载置台(14)相对的一侧的面形成为平面状；以及肋(40b)，其沿着平板部(40a)的周缘从平板部(40a)朝向上方突出。
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公开(公告)号：CN104851771A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510086922.3
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/513
CPC classification number: C23C16/45536 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/3244 , H01J37/32779
Abstract: 本发明可将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。本发明所揭示的基板处理装置(10)包括：载置台(14)，能够以轴线(X)为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台(14)的旋转而基板(W)依序通过的区域供给气体；及等离子体产生部(22)，产生所供给的气体的等离子体；且等离子体产生部(22)包括：天线(22a)，辐射微波；及同轴波导管(22b)，将微波供给至天线(22a)；且在构成从沿着轴线(X)的方向观察天线(22a)的情况下的截面形状的线段包含随着从轴线(X)离开而相互远离的2个线段，同轴波导管(22b)将微波从天线(22a)的重心供给至天线(22a)。
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公开(公告)号：CN103890899B
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201280047707.7
申请日：2012-09-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32247 , H01J37/32256 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供了多个等离子体调谐杆子系统。该等离子体调谐杆子系统可以包括一个或更多个微波腔，该微波腔被配置成通过在等离子体内和/或与等离子体邻近的一个或更多个等离子体调谐杆中产生谐振微波能量，来将期望的电磁（EM）波模式的EM能量耦合到等离子体。一个或更多个微波腔组件可以耦合到处理室，并且可以包括一个或更多个调谐空间/腔。每个调谐空间/腔可以具有与其耦合的一个或更多个等离子体调谐杆。一些等离子体调谐杆可以被配置成将EM能量从一个或更多个谐振腔耦合到处理室内的处理空间，由此在处理空间内产生均匀的等离子体。
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公开(公告)号：CN110021514B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201811516404.0
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线和等离子体成膜装置，目的在于高效地供给VHF的高频电力。天线具有：第一供电部，其供给VHF的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述VHF的高频电力，其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2(λg：VHF的电磁波的管内波长，n：0以上的整数)。
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公开(公告)号：CN104115261A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380009061.8
申请日：2013-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/45542 , C23C16/45548 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 在一实施方式的成膜装置中，载置台被设置成能够以轴线为中心旋转。收容载置台的处理室包括第1区域以及第2区域。伴随着载置台的旋转，该载置台的基板载置区域相对于轴线在周向移动，并依次通过第1区域以及第2区域。第1气体供给部从被设置成与载置台对置的喷射部向第1区域供给前躯体气体。排气部从形成为沿着包围喷射部的周围的闭路延伸的排气口进行排气。第2气体供给部从形成为沿着包围排气口的周围的闭路延伸的喷射口供给净化气体。等离子体生成部在第2区域生成反应气体的等离子体。在该成膜装置中，第2区域对于所述轴线向周向延伸的角度范围大于第1区域对于所述轴线向周向延伸的角度范围。
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公开(公告)号：CN118176564A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202280072701.9
申请日：2022-11-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/505
Abstract: 一种等离子体处理的方法，其包括：使第一气体和第二气体流入包括衬底的等离子体处理室，该第二气体包含膜前体；在第一时间实例时，在保持该第一气体的流动的同时，切断该第二气体流入该等离子体处理室；以及在该第一时间实例之后的第二时间实例时，向该等离子体处理室的电极供电以在该等离子体处理室内产生等离子体，使该衬底的表面暴露于产生的等离子体以在该衬底上形成膜。
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公开(公告)号：CN116829762A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180063927.8
申请日：2021-09-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/30
Abstract: 一种氮化方法，该方法包括在低于约400℃的温度下在加工室内原位循环进行以下步骤：在加工室中处理衬底的非反应性表面，以通过将非反应性表面暴露于能量通量而将非反应性表面转化为反应性表面，以及使用氮基气体使反应性表面氮化，以将反应性表面转化成包括后续非反应性表面的氮化物层。
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公开(公告)号：CN110021514A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201811516404.0
申请日：2018-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种天线和等离子体成膜装置，目的在于高效地供给VHF的高频电力。天线具有：第一供电部，其供给VHF的高频电力；以及第二供电部，经由所述第一供电部向所述第二供电部供给所述VHF的高频电力，其中，在所述第二供电部的侧方连接所述第一供电部的前端部，第二供电部在所述第一供电部的前端部的上方和下方具有一对金属反射板，所述一对金属反射板的间隔为λg/4+λg×n/2(λg：VHF的电磁波的管内波长，n：0以上的整数)。
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公开(公告)号：CN104851771B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510086922.3
申请日：2015-02-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , C23C16/513
Abstract: 本发明可将基板上的每个位置通过等离子体区域的时间不均抑制得较低，并且可提高所产生的等离子体的均匀性。本发明所揭示的基板处理装置(10)包括：载置台(14)，能够以轴线(X)为中心旋转地设置；气体供给部，对通过载置台(14)的旋转而基板(W)依序通过的区域供给气体；及等离子体产生部(22)，产生所供给的气体的等离子体；且等离子体产生部(22)包括：天线(22a)，辐射微波；及同轴波导管(22b)，将微波供给至天线(22a)；且在构成从沿着轴线(X)的方向观察天线(22a)的情况下的截面形状的线段包含随着从轴线(X)离开而相互远离的2个线段，同轴波导管(22b)将微波从天线(22a)的重心供给至天线(22a)。
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公开(公告)号：CN104115261B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380009061.8
申请日：2013-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/45542 , C23C16/45548 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 在一实施方式的成膜装置中，载置台被设置成能够以轴线为中心旋转。收容载置台的处理室包括第1区域以及第2区域。伴随着载置台的旋转，该载置台的基板载置区域相对于轴线在周向移动，并依次通过第1区域以及第2区域。第1气体供给部从被设置成与载置台对置的喷射部向第1区域供给前躯体气体。排气部从形成为沿着包围喷射部的周围的闭路延伸的排气口进行排气。第2气体供给部从形成为沿着包围排气口的周围的闭路延伸的喷射口供给净化气体。等离子体生成部在第2区域生成反应气体的等离子体。在该成膜装置中，第2区域对于所述轴线向周向延伸的角度范围大于第1区域对于所述轴线向周向延伸的角度范围。
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