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公开(公告)号：CN118241184A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311680112.1
申请日：2023-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/52 , C23C16/50
Abstract: 本发明涉及成膜装置。提供一种能够抑制基板在基板支承部之上滑动的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具备：处理容器；以及基板支承部，其设于所述处理容器内，具有供基板载置的凹部，所述凹部在底面具有突起，所述突起沿着载置于所述凹部的所述基板的外周设置。
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公开(公告)号：CN107022754B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201710060663.6
申请日：2017-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/687
Abstract: 一种基板处理装置，其设置在处理容器内，一边于在旋转台的一个面侧载置有基板的状态下使其旋转而使基板公转、一边向该基板供给处理气体而进行处理，其中，该基板处理装置包括：载置台，用于载置所述基板；以及磁力齿轮机构，其具有经由在沿着所述旋转台的旋转轴的方向上延伸的自转轴连结于所述载置台并用于使所述载置台自转的从动齿轮部和用于驱动该从动齿轮部的驱动齿轮部，所述驱动齿轮部以使驱动面和所述从动齿轮的从动面相对的方式配置，为了使形成于所述驱动面和所述从动面之间的磁力线移动而使所述从动齿轮旋转，所述驱动齿轮部连接于使所述驱动面移动的驱动部。
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公开(公告)号：CN107022754A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710060663.6
申请日：2017-01-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/455 , C23C16/40 , H01L21/687
Abstract: 一种基板处理装置，其设置在处理容器内，一边于在旋转台的一个面侧载置有基板的状态下使其旋转而使基板公转、一边向该基板供给处理气体而进行处理，其中，该基板处理装置包括：载置台，用于载置所述基板；以及磁力齿轮机构，其具有经由在沿着所述旋转台的旋转轴的方向上延伸的自转轴连结于所述载置台并用于使所述载置台自转的从动齿轮部和用于驱动该从动齿轮部的驱动齿轮部，所述驱动齿轮部以使驱动面和所述从动齿轮的从动面相对的方式配置，为了使形成于所述驱动面和所述从动面之间的磁力线移动而使所述从动齿轮旋转，所述驱动齿轮部连接于使所述驱动面移动的驱动部。
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公开(公告)号：CN104233231B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410265319.7
申请日：2014-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本间学
IPC: C23C16/455 , C23C16/40
CPC classification number: C23C16/4409 , H01J37/32513
Abstract: 本发明提供一种气体处理装置，其用于向被处理体供给气体来对被处理体进行处理，其特征在于，其包括：气密的处理容器；通孔；喷射器；套筒，其在通孔内嵌合于喷射器的外周面；环状的密封构件，其在通孔内位于比套筒靠处理容器的外侧的位置，并嵌合于喷射器的外周面；卡定面，其在比密封构件靠处理容器的外侧沿着通孔的壁面在周向上形成为环状，并与密封构件相对；按压部，其设于处理容器的内部，用于将套筒向处理容器的外侧按压，按压部为如下的结构：利用套筒的靠密封构件侧的端面将密封构件按压于卡定面并将密封构件压扁，从而对喷射器的内部进行气密地密封，而使喷射器的内部不与外部连通。
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公开(公告)号：CN102888595B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210251657.6
申请日：2012-07-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 本间学
IPC: C23C16/455
CPC classification number: C23C16/402 , C23C16/4412 , C23C16/45548
Abstract: 本发明提供成膜装置及基板处理装置。成膜装置包括：多个处理区域，在旋转台的旋转方向上相互分开地设置；多个反应气体供给部件，向多个处理区域分别供给种类互不相同的反应气体；分离区域，在旋转方向上位于处理区域之间，将多个处理区域的气氛气体相互分离，设有用于供给分离气体的分离气体供给部件；多个排气口，设在处理容器上，分别排出多个处理区域的气氛气体；排气路径形成构件，针对每个处理区域独立地形成开口部和排气路径，使得所排出的各个处理区域的气氛气体彼此不会混合，开口部分别开设于多个处理区域，排气路径将处理区域的气氛气体从各个开口部向所对应的排气口引导，能利用排气路径形成构件来改变开口部在旋转方向上的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748391B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN200910252478.2
申请日：2009-12-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/4412 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/463
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括：基板加热部件，其是为了对被设在真空容器内的旋转台上的所载置的基板进行加热而设置的；反应气体供给部件，互相沿旋转台的周向隔开间隔地设置，分别用于向上述旋转台上的基板载置区域侧的面上供给反应气体；分离气体供给部件，为了分离被供给反应气体的各处理区域间的气氛，用于将分离气体供给到在上述周方向上位于这些处理区域之间的分离区域；排气口，用于对被供给到上述旋转台上的上述各反应气体和分离气体进行排气；以及温度调节部件，构成为能对上述真空容器进行加热或冷却。
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公开(公告)号：CN101736320B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910223097.1
申请日：2009-11-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00 , B08B7/00 , B08B5/00
CPC classification number: B08B7/0035 , C23C16/4405 , H01L21/67028 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜装置和成膜装置的清洁方法。所公开的成膜装置包括：基座，其能旋转地设置在容器内，在一个面上具有用于载置基板的基板载置部；气体供给系统，其对上述基座的上述一个面供给原料气体；清洁用构造体，其具有：配置在基座的上方，朝着基座的上表面开口，并划分出倒凹状空间的第1凹状构件；在第1凹状构件的上方，朝着第1凹状构件开口并与第1凹状构件间划分出气体流路的第2凹状构件；向倒凹状空间供给清洁气体的气体供给部；以及与气体流路连通并向容器的外部延伸的排气管；以及排气口，其形成在容器上，用于对原料气体进行排气。
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公开(公告)号：CN101736319B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN200910178340.2
申请日：2009-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: C23C16/45551 , B05B1/20 , B05B1/267 , B05B13/0242 , C23C16/45523 , C23C16/45578 , C23C16/4584
Abstract: 本发明提供一种气体注入装置及成膜装置。该气体注入装置的注入装置主体具有气体导入口并构成气体流路，气体流出孔沿着上述注入装置主体的长度方向在注入装置主体的壁部排列有多个，引导构件被设置成在引导构件与上述注入装置主体的外表面之间形成沿上述注入装置主体的长度方向延伸的狭缝状的气体喷出口，将从气体流出孔流出的气体引导到上述气体喷出口。
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公开(公告)号：CN101831632B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201010133561.0
申请日：2010-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/68764 , C23C16/402 , C23C16/45551 , C23C16/45578 , C23C16/45589 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种成膜装置。该成膜装置包括：载置台，其设在真空容器内且具有沿着以该载置台的中心部为中心的圆而形成的基板的载置区域；主气体供给部，其为了将反应气体供给到上述载置台的上述载置区域，与上述载置台相对设置；补偿用气体供给部，其为了对由上述主气体供给部供给的反应气体的在上述载置台的半径方向上的气体浓度分布进行补偿而将上述反应气体供给到上述载置台的表面上；旋转机构，其用于使上述载置台以该载置台的中心部为旋转轴而绕铅垂轴线相对于上述主气体供给部和补偿用气体供给部进行相对旋转。
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公开(公告)号：CN102965643A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210315948.7
申请日：2012-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/46 , H01L21/67 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67103 , C23C16/401 , C23C16/45551 , C23C16/4585 , C23C16/46 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置和成膜装置。基板处理装置包括：处理容器；旋转台，其设于上述处理容器内，在其一面侧载置基板，并且该旋转台能够旋转，在用于载置上述基板的基板载置区域设有基板载置部，该基板载置部以热容量小于其他区域的热容量的方式构成；加热部，其用于从上述旋转台的另一面侧加热上述基板。
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