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公开(公告)号：CN108866508B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201810447691.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。
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公开(公告)号：CN104250724A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410299457.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。该多层保护膜的形成方法能够不必进行脱氢工序。在形成与由IGZO构成的信道(32)接触的、并且具有氮化硅膜(31a、35b)和氧化硅膜(31b、35a)的栅保护膜(31)、钝化层(35)时，使用氯化硅气体和不含有氢原子的氧气形成氧化硅膜(31b、35a)，使用氯化硅气体和不含有氢原子的含氮气体形成氮化硅膜(31a、35b)，连续地执行氧化硅膜(31b、35a)的成膜和氮化硅膜(31a、35b)的成膜。
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公开(公告)号：CN119685801A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411719350.3
申请日：2021-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458
Abstract: 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为100℃以下。
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公开(公告)号：CN107523800B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710457272.8
申请日：2017-06-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/40 , H01L21/02 , H01L29/786
Abstract: 本发明的课题在于降低保护膜中的H原子的含量并且在含Cu的电极上正常地形成保护膜。保护膜的成膜方法包括搬入步骤、供给步骤和成膜步骤。在搬入步骤中，向处理容器内搬入Cu部露出的基板，其中Cu部为由含Cu的材料形成的构造物。在供给步骤中，向处理容器内供给第一气体、第二气体和第三气体。在成膜步骤中，利用供给到处理容器内的、含有第一气体、第二气体和第三气体的混合气体的等离子体，在Cu部上形成保护膜。第一气体为含卤素原子的硅系气体。第二气体为O2气体、N2O气体、N2气体或者稀有气体。第三气体为H2O气体或者SiH4气体。
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公开(公告)号：CN110777358A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910695080.X
申请日：2019-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤。成膜方法包括：第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF4气体以及SiCl4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并在氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体、SiF4气体以及SiCl4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并在第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，其中，第一高频电力低于第二高频电力，第一流量比小于第二流量比。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108866508A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447691.8
申请日：2018-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 高知县公立大学法人
Abstract: 本发明涉及成膜方法和成膜装置，提供一种针对H原子的阻隔性高的保护膜。成膜方法为形成用于保护在基板上形成的氧化物半导体的保护膜的成膜方法，所述成膜方法包括：第一搬入工序，将形成氧化物半导体之前的基板或形成氧化物半导体之后的基板搬入处理容器内；以及第一成膜工序，在将被搬入到处理容器内的基板加热到250℃以上的温度的状态下，利用包含SiCl4气体、SiF4气体以及处理气体的混合气体的等离子体来形成保护膜，所述处理气体包含氮原子和氧原子中的至少任一者且不含氢原子。
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公开(公告)号：CN104250724B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410299457.7
申请日：2014-06-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供多层保护膜的形成方法和多层保护膜的形成装置。该多层保护膜的形成方法能够不必进行脱氢工序。在形成与由IGZO构成的信道(32)接触的、并且具有氮化硅膜(31a、35b)和氧化硅膜(31b、35a)的栅保护膜(31)、钝化层(35)时，使用氯化硅气体和不含有氢原子的氧气形成氧化硅膜(31b、35a)，使用氯化硅气体和不含有氢原子的含氮气体形成氮化硅膜(31a、35b)，连续地执行氧化硅膜(31b、35a)的成膜和氮化硅膜(31a、35b)的成膜。
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公开(公告)号：CN118007112A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311440646.7
申请日：2023-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/511 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本公开提供一种成膜方法和成膜装置，能够减少使用氢化硅气体形成的含硅膜的含氢量。将基板载置于处理容器的内部的载置台，对所述处理容器的内部供给氢化硅气体和其它气体，在所述处理容器的内部使所述氢化硅气体解离来生成高密度等离子体，使用所述高密度等离子体在所述基板形成含硅膜，所述高密度等离子体的电子密度为1×1011/cm3以上，形成所述含硅膜时的所述载置台的温度被控制为150℃以上且400℃以下，在生成所述高密度等离子体时对所述处理容器所具有的等离子体生成单元供给的高频电力的电力密度为0.14W/cm2～2.98W/cm2。
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公开(公告)号：CN114517289A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111318553.8
申请日：2021-11-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。在基板温度为200℃以下成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。氮化硅膜的成膜方法在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜，成膜方法具备：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，(a)工序后，停止包含卤化硅气体的气体的供给，将处理腔室内排气；工序(c)，(b)工序后，向处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，(c)工序后，向处理腔室内供给高频电力，产生等离子体；工序(e)，(d)工序后，停止含氮气体的供给和高频电力的供给，将处理腔室内排气；和重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的氮化硅膜的X次(X≥1)(a)至(e)的工序，(a)至(e)的工序中将基板温度控制为200℃以下。
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公开(公告)号：CN110777358B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201910695080.X
申请日：2019-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于在形成氧化物半导体的保护膜时减少等离子体对氧化物半导体给予的损伤。成膜方法包括：第一成膜工序，使用第一高频电力来生成含有含氧气体、SiF4气体以及SiCl4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第一流量比的混合气体的等离子体，并在氧化物半导体上形成第一氧化硅膜；以及第二成膜工序，使用第二高频电力来生成含有含氧气体、SiF4气体以及SiCl4气体、且SiCl4气体与SiF4气体的流量比为第二流量比的混合气体的等离子体，并在第一氧化硅膜上形成第二氧化硅膜，其中，第一高频电力低于第二高频电力，第一流量比小于第二流量比。
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