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公开(公告)号:CN113675109A
公开(公告)日:2021-11-19
申请号:CN202110489607.0
申请日:2021-05-06
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/306
摘要: 本公开涉及一种基板处理装置和基板处理方法,在一并地蚀刻多个基板的技术中提高蚀刻处理的均匀性。本公开的基板处理装置具备处理槽、第一和第二喷出口群、第一变更部、第二变更部以及控制部。处理槽用于使多个基板浸渍于处理液来进行蚀刻处理。第一和第二喷出口群配置于处理槽的内部且比多个基板靠下方的位置,用于向处理槽的内部喷出处理液。第一变更部用于变更从第一喷出口群喷出的处理液的流量。第二变更部用于变更从第二喷出口群喷出的处理液的流量。控制部在蚀刻处理过程中控制第一变更部和第二变更部,来进行使从第一喷出口群喷出的处理液的流量和从第二喷出口群喷出的处理液的流量以互不相同的方式增加和减少的流量变更处理。
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公开(公告)号:CN108695208A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810292833.8
申请日:2018-03-30
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67
CPC分类号: H01L21/67086 , H01L21/67051 , H01L21/67057
摘要: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备:处理槽(41),其容纳处理液(43)和基板(8);气体喷嘴(70),其在处理槽(41)内的下部喷出气体;以及气体供给部(89),其向气体喷嘴(70)供给气体,其中,气体喷嘴(70)具有:管状的主体(71),其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置;以及喷出孔(77),其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间,并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
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公开(公告)号:CN109494152B
公开(公告)日:2023-11-14
申请号:CN201811055905.3
申请日:2018-09-11
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/302
摘要: 本发明提供一种对于抑制结晶的产生或去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置具备:处理槽,其收容处理液和基板;气体喷嘴,其在处理槽内的下部喷出气体;气体供给部,其供给气体;气体供给线,其将气体喷嘴和气体供给部连接;减压部,其通过使气体供给线减压来向气体供给线引入处理槽内的处理液;以及控制部,其构成为在处理槽中没有收容基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制:控制气体供给部以停止气体的供给,并且控制减压部以向气体供给线引入处理液。
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公开(公告)号:CN108695208B
公开(公告)日:2023-06-27
申请号:CN201810292833.8
申请日:2018-03-30
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备:处理槽(41),其容纳处理液(43)和基板(8);气体喷嘴(70),其在处理槽(41)内的下部喷出气体;以及气体供给部(89),其向气体喷嘴(70)供给气体,其中,气体喷嘴(70)具有:管状的主体(71),其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置;以及喷出孔(77),其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间,并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
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公开(公告)号:CN109698146A
公开(公告)日:2019-04-30
申请号:CN201811240941.7
申请日:2018-10-24
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67
CPC分类号: H01L21/6708 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67086 , H01L21/6715 , H01L21/67393 , H01L21/67051
摘要: 本发明提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方,从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间,具有使处理液流通的多个孔,调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外,调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
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公开(公告)号:CN109494152A
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:CN201811055905.3
申请日:2018-09-11
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/302
CPC分类号: H01L21/67086 , H01L21/67017 , H01L21/67057 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/67253 , H01L21/302
摘要: 本发明提供一种对于抑制结晶的产生或去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置具备:处理槽,其收容处理液和基板;气体喷嘴,其在处理槽内的下部喷出气体;气体供给部,其供给气体;气体供给线,其将气体喷嘴和气体供给部连接;减压部,其通过使气体供给线减压来向气体供给线引入处理槽内的处理液;以及控制部,其构成为在处理槽中没有收容基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制:控制气体供给部以停止气体的供给,并且控制减压部以向气体供给线引入处理液。
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公开(公告)号:CN108376660B
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN201810096859.5
申请日:2018-01-31
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72),该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有:主体部(71A、72A),其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口;以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D),其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时,飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
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公开(公告)号:CN109616429A
公开(公告)日:2019-04-12
申请号:CN201811137414.3
申请日:2018-09-28
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明提供基板液处理装置。防止从内槽内的处理液表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备:内槽,其能积存处理液并具有上部开口;外槽,其设置于内槽的外侧并供处理液从内槽流入;第1盖体,其能在覆盖内槽的上部开口的第1区域的封闭位置与使上部开口的第1区域开放的开放位置间移动;及第2盖体,其能在覆盖内槽的上部开口的第2区域的封闭位置与使上部开口的第2区域开放的开放位置间移动。第1盖体具有底壁和从底壁向上方延伸的侧壁,第2盖体具有底壁和从底壁向上方延伸的侧壁。在第1盖体和第2盖体位于封闭位置时,第1盖体的侧壁与第2盖体的侧壁接近而面对,在这些侧壁之间形成有具有高度的间隙。
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公开(公告)号:CN107644824A
公开(公告)日:2018-01-30
申请号:CN201710579877.4
申请日:2017-07-17
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67
CPC分类号: H01L21/67253 , G02F1/1303 , G02F1/1333 , H01L21/31111 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , H01L21/67109 , H01L21/67313 , H01L21/823431
摘要: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置能够在处理槽内的处理液中形成均匀的N2气体的气泡。基板液处理装置(1)具备:处理槽(34),其收纳基板(8);以及多个气体供给管(81、82、83、84),所述多个气体供给管(81、82、83、84)设置在处理槽(34)内。一个气体供给管(81)的喷出口(81a)与相邻的其它气体供给管(82)的喷出口(82a)在与基板(8)的电路形成面平行的方向上不重叠。
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公开(公告)号:CN107644824B
公开(公告)日:2023-03-17
申请号:CN201710579877.4
申请日:2017-07-17
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: H01L21/67
摘要: 本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置能够在处理槽内的处理液中形成均匀的N2气体的气泡。基板液处理装置(1)具备:处理槽(34),其收纳基板(8);以及多个气体供给管(81、82、83、84),所述多个气体供给管(81、82、83、84)设置在处理槽(34)内。一个气体供给管(81)的喷出口(81a)与相邻的其它气体供给管(82)的喷出口(82a)在与基板(8)的电路形成面平行的方向上不重叠。
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