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公开(公告)号：CN108695208A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810292833.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/67051 , H01L21/67057
Abstract: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
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公开(公告)号：CN107086172B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
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公开(公告)号：CN111312619A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911273652.1
申请日：2019-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供基板处理装置和处理液浓缩方法。能够高效地使成为磷酸处理液的原料的磷酸水溶液浓缩成期望的浓度。本公开的一技术方案的基板处理装置包括：处理部，其利用处理液处理基板；以及处理液生成部，其生成向处理部供给的处理液。处理液生成部具有：储存部、循环管线、加热部以及喷嘴。储存部储存处理液。循环管线使储存于储存部的处理液循环。加热部加热处理液。喷嘴设于循环管线的下游侧，具有自储存于储存部的处理液的液面上方喷出由加热部加热了的处理液的喷出口。
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公开(公告)号：CN107112226B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201580068790.X
申请日：2015-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 实施方式的一形态的基板液处理装置具备输送部、处理部、贮存部、以及供液机构。输送部配置有输送基板的输送装置。处理部沿着水平方向与输送部相邻，配置有使用处理液来对基板进行处理的液处理单元。贮存部贮存处理液。供液机构将贮存到贮存部的处理液向液处理单元送出。贮存部配置于输送部的正下方。另外，供液机构配置于处理部的正下方。能够谋求基板液处理装置的省空间化。
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公开(公告)号：CN116705648A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310143848.9
申请日：2023-02-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够抑制在基片形成的图案的倒塌的基片处理系统和基片处理方法。基片处理系统包括：送入送出部，其能够送入送出收容有多个基片的盒；批次处理部，其将包含多个上述基片的基片组以使上述基片各自直立的状态一并进行处理；单片处理部，其将上述基片组的上述基片以水平的状态逐一地进行处理；和接口部，其从上述批次处理部向上述单片处理部交接上述基片，上述接口部具有：将上述基片以使其与纯水接触的状态保持为水平的待机部；和从上述批次处理部向上述待机部交接上述基片的输送机构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108695208B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201810292833.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
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公开(公告)号：CN109698146A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811240941.7
申请日：2018-10-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67017 , H01L21/67028 , H01L21/67086 , H01L21/6715 , H01L21/67393 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
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公开(公告)号：CN107086172A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710086419.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/02041 , H01L21/67023 , H01L21/67034 , H01L21/67051
Abstract: 本发明提供一种液处理方法和基板处理装置。其中，能够迅速地获得进行基板的表面的憎水化处理、且将存在于基板的图案内的纯水、憎水剂去除而干燥的基板。在向水平地保持的基板(W)供给了纯水之后、进行基板(W)的干燥时，在第1溶剂供给工序中，向供给纯水后的基板(W)的表面供给第1溶剂，在之后的憎水剂供给工序中，向基板(W)的表面供给憎水剂。在第2溶剂供给工序中，向憎水化之后的基板(W)的表面供给第2溶剂，在之后的干燥工序中将基板(W)的表面的第2溶剂去除。并且，第1溶剂的比重比所述憎水剂的比重小，所述第2溶剂的比重比该憎水剂的比重大。
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公开(公告)号：CN120015651A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411556934.3
申请日：2024-11-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开提供一种基板待机部、基板处理系统以及基板处理方法，能够提高生产能力。基板待机部使在上表面和下表面附着有第一液膜的基板等待，所述基板待机部具备：处理液供给部，其对所述基板的上表面供给处理液；质量测定部，其测定所述基板的质量；第一摄像部，其获取所述基板的上表面的图像即上表面图像；以及控制部，其中，所述控制部进行以下控制：使所述处理液供给部对所述基板的所述上表面供给第一量的所述处理液来形成第二液膜；基于由所述质量测定部测定的所述基板的质量来计算所述第二液膜的质量；使所述第一摄像部获取所述上表面图像；以及在所述第二液膜的质量为第一阈值以上的情况下，基于所述上表面图像来判定所述第二液膜的状态。
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公开(公告)号：CN116631925A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310071299.9
申请日：2023-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理系统和基板处理方法。提供一种能够使基板处理系统的生产率提高的技术。本公开的一技术方案的基板处理系统具有：送入送出部，相对于该送入送出部将收纳多张基板的盒送入送出；批量处理部，其成批地处理包括多张所述基板的批次；单张处理部，其逐张地处理所述批次的所述基板；以及接口部，其在所述批量处理部与所述单张处理部之间交接所述基板，所述批量处理部具有：处理槽，其浸渍并处理所述批次；以及第1输送装置，其向所述处理槽输送所述批次，所述接口部具有：浸渍槽，其配置于所述第1输送装置的移动范围外，该浸渍槽浸渍所述批次；以及第2输送装置，其在所述第1输送装置与所述浸渍槽之间交接所述批次。
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