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公开(公告)号：CN111446150B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
摘要： 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
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公开(公告)号：CN116438633A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180073335.4
申请日：2021-10-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 小杉仁
IPC分类号： H01L21/306
摘要： 本公开说明一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质，能够高精度地测定形成于基板的表面的膜的厚度。基板处理装置具备：旋转保持部，其构成为保持基板并使所述基板旋转；药液供给部，其构成为在旋转保持部使基板旋转期间向基板的表面供给蚀刻液；冲洗液供给部，其构成为在旋转保持部使基板旋转期间向基板的表面供给冲洗液；测定部，其构成为在测定头位于基板的表面附近的状态下测定膜的厚度；驱动部，其构成为在测定部进行测定期间，使测定头相对于基板的表面沿水平方向相对移动；以及辅助供给部，其构成为在测定部进行测定期间，向测定头与基板的表面之间的间隙供给冲洗液，使间隙充满冲洗液。
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公开(公告)号：CN1852778B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200480011898.7
申请日：2004-07-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 小杉仁
CPC分类号： B08B3/02 , Y10S134/902
摘要： 一种用于将清洗液喷洒在基底上的装置和方法，其中所述清洗液通过一个喷嘴阵列基本喷洒在靠近基底的中心处并且通过第二喷嘴阵列喷洒在穿越所述基底的径向范围。因此，所述装置包括：第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将所述清洗液基本喷洒在靠近所述基底的中心处；第一控制阀，其耦合到所述第一喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第一喷嘴阵列的所述清洗液的第一流速；第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将所述清洗液喷洒在穿越所述基底的径向范围；和第二控制阀，其耦合到所述第二喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第二喷嘴阵列的所述清洗液的第二流速。
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公开(公告)号：CN1852778A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480011898.7
申请日：2004-07-09
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 小杉仁
CPC分类号： B08B3/02 , Y10S134/902
摘要： 一种用于将清洗液喷洒在基底上的装置和方法，其中所述清洗液通过一个喷嘴阵列基本喷洒在靠近基底的中心处并且通过第二喷嘴阵列喷洒在穿越所述基底的径向范围。因此，所述装置包括：第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将所述清洗液基本喷洒在靠近所述基底的中心处；第一控制阀，其耦合到所述第一喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第一喷嘴阵列的所述清洗液的第一流速；第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将所述清洗液喷洒在穿越所述基底的径向范围；和第二控制阀，其耦合到所述第二喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第二喷嘴阵列的所述清洗液的第二流速。
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公开(公告)号：CN115702338B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202180041508.4
申请日：2021-06-07
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 小杉仁
摘要： 异物检查基板具备检查基板、照射器以及受光器。在所述检查基板贯通形成有供处理液通过的通过部。所述照射器用于对所述处理液照射检查光。所述受光器接受由于所述处理液中的异物在所述检查光中通过而产生的散射光、或者由于所述处理液中的异物在所述检查光中通过而衰减的透射光。所述受光器包括用于将接受到的所述散射光或所述透射光转换为电信号的光电转换元件。所述照射器和所述受光器设置于所述检查基板。
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公开(公告)号：CN108376660B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810096859.5
申请日：2018-01-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有：主体部(71A、72A)，其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D)，其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时，飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
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公开(公告)号：CN111081597A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910987885.1
申请日：2019-10-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
发明人： 小杉仁
摘要： 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。能够更可靠地抑制微粒的产生。基板处理装置具有：基板保持旋转部，其保持基板并使其旋转；处理液供给喷嘴，其向利用所述基板保持旋转部保持的基板的周缘部供给处理液；以及气体供给喷嘴，其设于俯视时比所述周缘部靠内侧的位置，向所述基板的被供给所述处理液的处理面上呈环状供给气体，所述气体供给喷嘴自与所述处理面垂直的方向朝向相对于所述基板的旋转中心向外方倾斜的方向呈环状供给所述气体。
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公开(公告)号：CN111446150A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
摘要： 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
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公开(公告)号：CN100555569C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200710136093.0
申请日：2007-07-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/00 , G03F7/38 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/2041 , G03F7/70341
摘要： 本发明提供一种图形形成方法和该方法所使用的图形形成装置，即便是为了浸液曝光而使基板表面为疏水性的基板，也能够均匀且稳定地形成规定的抗蚀图形。在涂布显影液形成抗蚀图形之前，向通过浸液曝光而使抗蚀膜曝光为规定图形的基板表面供给药液，使基板表面亲水化至显影液润湿整个表面的程度。
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公开(公告)号：CN100541713C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200710112664.7
申请日：2007-06-26
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/027 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/38 , G03F7/168 , G03F7/70341 , G03F7/70991 , Y10S438/908
摘要： 本发明提供高折射率液体循环系统、图案形成装置以及图案形成方法。高折射率液体循环系统(9)包括：回收在液浸曝光部(30)使用的高折射率液体的第一回收部(4a)；将由第一回收部(4a)回收的高折射率液体供给到后清洗单元(POCLN)作为清洗液使用的第一供给部(4b)；回收在后清洗单元(POCLN)使用的高折射率液体的第二回收部(4c)；将由第二回收部(4c)回收的高折射率液体供给到液浸曝光部(30)的第二供给部(4d)，使高折射率液体在液浸曝光部(30)和后清洗单元(POCLN)之间循环，其不使装置以及工艺规程构成复杂，减少由高折射率液体构成的曝光液和清洗液的使用量，且能防止在基板上产生处理斑点。
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