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公开(公告)号：CN107815667B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201710820931.X
申请日：2017-09-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 本发明提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气部件，其对向所述基板供给的所述处理气体进行排气，在所述内管的侧壁形成有第1开口部，在所述可动壁形成有第2开口部，所述排气部件经由所述第1开口部和所述第2开口部对向所述基板供给的所述处理气体进行排气。
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公开(公告)号：CN107017181B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201610917830.X
申请日：2016-10-20
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明提供一种立式热处理装置，该立式热处理装置包括：基板保持器具，其具有：支柱；基板保持部，其沿着所述支柱设有多个，用于分别保持基板；气流引导部，其针对每个基板设于所述支柱，以其周缘部向比基板靠外侧的位置伸出的方式形成；升降台，其用于支承所述基板保持器具而将所述基板保持器具从所述反应容器的下方输入所述反应容器；旋转机构，其设于所述升降台，用于使所述基板保持器具绕纵轴旋转；处理气体供给口和排气口，其分别设于保持有所述多个基板的基板保持区域的后方侧和前方侧；整流部，其以在所述基板保持区域的左右从外侧朝向彼此相邻的气流引导部之间的空间突出而面对该空间的方式相对于所述基板保持器具独立地设置。
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公开(公告)号：CN107868946A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710887853.5
申请日：2017-09-27
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/45578 , C23C16/45587 , C23C16/4583 , C23C16/4584 , H01L21/02104
摘要： 提供一种能够控制对基板实施的处理的面内分布的气体导入机构和处理装置。气体导入机构是为了在处理容器内使用预定的气体对基板实施预定的处理而设于所述处理容器的，具有：歧管，其配置于所述处理容器的下端部，具有：喷射器支承部，其沿着所述处理容器的内壁面上下延伸，并且具有喷射器能够插入且能够外嵌支承该喷射器的插入孔；气体导入部，其从所述喷射器支承部向外侧伸出，在内部具有将所述插入孔和所述处理容器的外部连通而气体可流通的气体流路；喷射器，其插入所述插入孔，沿着所述内壁面整体呈直线状延伸，并且，在插入到所述插入孔的部位具有与所述气体流路连通的开口；旋转机构，其与所述喷射器的下端部连接，使所述喷射器旋转。
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公开(公告)号：CN107815667A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710820931.X
申请日：2017-09-13
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种能够控制面间均匀性的基板处理装置。一实施方式的基板处理装置具有：内管，其收容多张基板；外管，其包围所述内管；可动壁，其设置成能够在所述内管的内部或所述内管与所述外管之间移动；气体供给部件，其向所述基板供给处理气体；以及排气部件，其对向所述基板供给的所述处理气体进行排气，在所述内管的侧壁形成有第1开口部，在所述可动壁形成有第2开口部，所述排气部件经由所述第1开口部和所述第2开口部对向所述基板供给的所述处理气体进行排气。
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公开(公告)号：CN107236937A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710191098.7
申请日：2017-03-28
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 本发明提供一种基板处理装置、气体供给方法、基板处理方法和成膜方法。该基板处理装置具有：处理容器，其能够收纳基板；压力检测单元，其测定该处理容器内的压力；排气侧阀，其设置于将该处理容器内进行排气的排气管；气体贮存罐，其经由气体供给管而与所述处理容器连接；气体量测定单元，其测定该气体贮存罐中贮存的气体量；以及控制阀，其设置于所述第一气体供给管，基于由所述压力检测单元检测出的所述处理容器内的压力改变阀开度，来控制从所述气体贮存罐向所述处理容器供给的气体的流路面积，由此能够控制所述处理容器内的压力。
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公开(公告)号：CN106409718A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510461147.5
申请日：2015-07-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： H01L21/67098
摘要： 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法，在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时，能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括：气体供给部，其用于向反应容器内供给成膜气体；以及气体分布调整构件，其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且，气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件，第1板状构件具有第1表面积，第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。
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公开(公告)号：CN103354202B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310258380.4
申请日：2010-01-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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公开(公告)号：CN104051213A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410081006.6
申请日：2008-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，对被处理体实施等离子体处理，其包括：能够抽真空的圆筒状的处理容器；保持多个被处理体向处理容器内插拔的保持单元；向处理容器内供给气体的气体供给单元；和利用等离子体使气体活性化的活性化单元，其中，活性化单元由沿处理容器长边方向配设的等离子体生成箱、沿等离子体生成箱配设的电感耦合型电极和连接到电感耦合型电极的高频电源构成，电感耦合型电极在等离子体生成箱的一端折返，沿等离子体生成箱的两侧壁配设，等离子体生成箱由截面“コ”状的等离子体区分壁区分形成，该等离子体区分壁由相对的一对侧壁和连接该侧壁的一端侧的背面壁构成，串联连接成为一部分被切去的状态的多个环状电极而形成电极。
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公开(公告)号：CN102163530B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110054175.7
申请日：2008-08-29
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/509 , H01L21/00
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，对多个被处理体同时实施等离子体处理的立式等离子体处理装置，具备使处理气体等离子体化的活性化机构。活性化机构包括：对应于处理区域安装在处理容器上、且形成与处理区域气密地连通的等离子体生成区域的纵长的等离子体生成箱；配设于等离子体生成箱的ICP电极；和与电极连接的高频电源。
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公开(公告)号：CN103354202A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310258380.4
申请日：2010-01-22
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/4401 , C23C16/452 , H01J37/321 , H01J37/3244
摘要： 本发明提供一种等离子处理装置。用于同时对多张被处理体实施等离子处理的立式等离子处理装置具有用于使处理气体等离子化的活化机构。活化机构包括：等离子体生成箱，其为纵长形状，与处理区域相对应地安装在处理容器上、且用于封闭与处理区域气密地连通的等离子体产生区域；ICP电极，其沿等离子体生成箱的长度方向配置在等离子体生成箱的外侧；高频电源，其与电极相连接。ICP电极具有自等离子体生成箱的壁面离开规定距离的离开部分。
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