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公开(公告)号：CN112635593A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011527799.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 东北电力大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法，包括：前电极、顶电池、背电极，其特点是，前电极为透明导电玻璃层，顶电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第一电子传输层、Sb2S3薄膜作为第一吸光层、CuSbS2薄膜作为第一空穴传输层组成；还包括在顶电池与背电极之间依次层叠设置中间电池、底电池，中间电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第二电子传输层、Sb2(S,Se)3薄膜作为第二吸光层、CuSbS2薄膜作为第二空穴传输层组成；底电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第三电子传输层、Sb2Se3薄膜作为第三吸光层、CuSbS2薄膜作为第三空穴传输层；背电极为金属电极层。其结构简单，成本低且性能稳定。
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公开(公告)号：CN114975655B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202210535143.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 东北电力大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H10K30/10 , H10K71/00 , C23C14/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明一种锑基纳米棒阵列异质结的光电探测器，其包括：掺硼氧化锌透明导电玻璃衬底、锑基纳米棒阵列吸收层、空穴传输层和金属电极，采用ZnO:B透明导电玻璃衬底诱导技术，制备锑基纳米棒阵列中分子链与纳米棒生长取向一致，改善了载流子输运特性，增强了光电流响应；其制备方法为构建合理的锑基纳米棒阵列异质结结构，高度有序的锑基纳米棒阵列作为光吸收层，提高载流子输运特性，制备方法简单、成本
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公开(公告)号：CN114975655A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210535143.7
申请日：2022-05-17
Applicant: 东北电力大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , H01L51/46 , H01L51/42 , H01L51/48 , C23C14/06 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明一种锑基纳米棒阵列异质结的光电探测器，其包括：掺硼氧化锌透明导电玻璃衬底、锑基纳米棒阵列吸收层、空穴传输层和金属电极，采用ZnO:B透明导电玻璃衬底诱导技术，制备锑基纳米棒阵列中分子链与纳米棒生长取向一致，改善了载流子输运特性，增强了光电流响应；其制备方法为构建合理的锑基纳米棒阵列异质结结构，高度有序的锑基纳米棒阵列作为光吸收层，提高载流子输运特性，制备方法简单、成本低、制备器件性能高、具有较高的工业化应用价值。
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公开(公告)号：CN112635593B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202011527799.1
申请日：2020-12-22
Applicant: 东北电力大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L31/18
Abstract: 一种全锑基薄膜太阳电池及其制备方法，包括：前电极、顶电池、背电极，其特点是，前电极为透明导电玻璃层，顶电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第一电子传输层、Sb2S3薄膜作为第一吸光层、CuSbS2薄膜作为第一空穴传输层组成；还包括在顶电池与背电极之间依次层叠设置中间电池、底电池，中间电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第二电子传输层、Sb2(S,Se)3薄膜作为第二吸光层、CuSbS2薄膜作为第二空穴传输层组成；底电池由依次层叠设置的Sb2O3薄膜作为第三电子传输层、Sb2Se3薄膜作为第三吸光层、CuSbS2薄膜作为第三空穴传输层；背电极为金属电极层。其结构简单，成本低且性能稳定。
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