公开(公告)号：CN114975655A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210535143.7

申请日：2022-05-17

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 曹宇 ,  曲鹏 ,  周静 ,  凌同 ,  朱嘉伟 ,  武颖 ,  贺伟兰 ,  张颉 ,  韩林肖 ,  张国辉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L51/46 ,  H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  C23C14/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明一种锑基纳米棒阵列异质结的光电探测器，其包括：掺硼氧化锌透明导电玻璃衬底、锑基纳米棒阵列吸收层、空穴传输层和金属电极，采用ZnO:B透明导电玻璃衬底诱导技术，制备锑基纳米棒阵列中分子链与纳米棒生长取向一致，改善了载流子输运特性，增强了光电流响应；其制备方法为构建合理的锑基纳米棒阵列异质结结构，高度有序的锑基纳米棒阵列作为光吸收层，提高载流子输运特性，制备方法简单、成本低、制备器件性能高、具有较高的工业化应用价值。

公开(公告)号：CN114975655B

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210535143.7

申请日：2022-05-17

Applicant: 东北电力大学

Inventor： 曹宇 ,  曲鹏 ,  周静 ,  凌同 ,  朱嘉伟 ,  武颖 ,  贺伟兰 ,  张颉 ,  韩林肖 ,  张国辉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H10K30/10 ,  H10K71/00 ,  C23C14/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明一种锑基纳米棒阵列异质结的光电探测器，其包括：掺硼氧化锌透明导电玻璃衬底、锑基纳米棒阵列吸收层、空穴传输层和金属电极，采用ZnO:B透明导电玻璃衬底诱导技术，制备锑基纳米棒阵列中分子链与纳米棒生长取向一致，改善了载流子输运特性，增强了光电流响应；其制备方法为构建合理的锑基纳米棒阵列异质结结构，高度有序的锑基纳米棒阵列作为光吸收层，提高载流子输运特性，制备方法简单、成本