公开(公告)号：CN118441241A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410375476.7

申请日：2024-03-29

申请人： 东南大学

发明人： 陶立 ,  薛雨欣 ,  朱蓓蓓 ,  居航

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/30 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01

摘要： 本发明公开了一种高电导率硒化铋热电薄膜及其制备方法，上述硒化铋热电薄膜的厚度为15‑60nm，功率因子为0.78‑7.6μW·cm‑1·K‑2；制备方法包括：(1)先利用物理气相沉积法在经预处理的基体的表面沉积铋薄膜，得沉积有铋薄膜的基体；(2)再将沉积有铋薄膜的基体置于管式炉的中心位置，硒粉置于管式炉的上游，最后通入惰性气体作为载气，硒粉随载气流动至铋薄膜上发生硒化反应，结束后即得。本发明制得的硒化铋薄膜厚度在60nm以下仍具有高功率因子，从而有利于实现60nm以下硒化铋薄膜在便携场景如可穿戴设备领域等中的应用；本发明通过调整铋薄膜厚度来提高硒化铋薄膜的功率因子，无需后续单独退火处理。

公开(公告)号：CN117241649A

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN202311268290.3

申请日：2023-09-28

申请人： 东南大学

发明人： 陶立 ,  居航 ,  陈立立 ,  朱蓓蓓 ,  邢珊珊 ,  王哲涵 ,  陈佳熠 ,  薛雨欣 ,  赵成栋 ,  陈子霖 ,  范清臣

IPC分类号： H10N10/01 ,  H10N10/852

摘要： 本发明公开了一种具有高功率因子碲化铋薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)利用电子束蒸镀法在衬底上沉积铋薄膜；(2)沿气体流动方向，将铋薄膜置于管式炉下游，将过量碲粉置于管式炉中心位置，抽真空后通入氩气作为载气，过量碲粉挥发使铋薄膜发生碲化反应，得到碲化铋薄膜。本发明方法能够低成本地制得50nm以下仍具有高功率因子(不同厚度下碲化铋薄膜的功率因子均大于5μW·cm‑1·K‑2)的碲化铋薄膜，从而有利于实现50nm以下碲化铋薄膜在便携场景中的应用；本发明通过调整碲化温度和碲粉用量来提高碲化铋薄膜的功率因子，无需后续单独退火处理。

公开(公告)号：CN118256872A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410402278.5

申请日：2024-04-03

申请人： 东南大学

发明人： 孙文文 ,  黄皓 ,  陶立 ,  朱蓓蓓 ,  刘畅 ,  居航 ,  高晓轲 ,  金学诚

IPC分类号： C23C14/14 ,  C23C14/32 ,  C23C14/58

摘要： 本发明公开了一种具有高热电性能的FeCoNi基中熵合金薄膜及其制备方法，FeCoNi基中熵合金薄膜中，Fe、Co和Ni的摩尔比为90:20‑60:20‑60；中熵合金薄膜的厚度为400‑600nm，塞贝克系数为300‑400μV/K，电导率为104‑105S/m。本发明利用电子束蒸镀技术及退火处理制备出FeCoNi基中熵合金薄膜，所得中熵合金薄膜具有高热电性能和优异的力学性能，并且与基体之间具有良好的附着力。