一种基于真空间隙的低噪声光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN119108447A

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202411263621.9

    申请日:2024-09-10

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开一种基于真空间隙的低噪声光电探测器及其制备方法。由半导体pn结传感单元和场致发射真空间隙构成,在pn结的左端设置左端金属电极,在pn结的右端设置一个厚度很薄的真空间隙,在真空间隙的右端设置右端金属电极;在pn结的右端面设置纳米结构;在左端电极和右端电极之间设置偏置电源,并读取探测电流。本发明由于引入了绝缘性很高的真空间隙,所以可以极大地抑制暗电流和噪声电流。另外,本发明提出在pn结右端面设置金属或者半导体纳米结构,增强了真空间隙的场发射效应,提高了光电探测的响应度。

    一种FA0.85Cs0.15PbI3光电探测器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119095397A

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202411407974.1

    申请日:2024-10-10

    Abstract: 本发明公开了一种FA0.85Cs0.15PbI3光电探测器,包括透明玻璃衬底、透明底电极、FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜、顶电极和偏置电源;所述透明玻璃衬底上设置图案化的透明底电极,透明玻璃衬底和透明底电极上设置有FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜,所述FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜上沉积图案化顶电极,所述透明底电极和顶电极之间设置偏置电源。所述光电探测器具有良好的吸收性能,并且响应度高,结构比较稳定;FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜通过喷涂法制备,并采用辅助重结晶退火的方法对钙钛矿薄膜后处理,减少了晶粒的缺陷,增大了晶粒尺寸,提高了探测器性能。

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