-
公开(公告)号:CN120085482A
公开(公告)日:2025-06-03
申请号:CN202510341206.9
申请日:2025-03-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明具体公开一种基于钙钛矿电光效应的光束偏转器及其制备方法,涉及光电技术领域,所述器件包括:透明衬底上构建的周期可调条状ITO电极阵列、钙钛矿单晶薄膜以及顶部金电极组成的层叠结构。通过钙钛矿单晶材料的低半波电压特性(Vπ<5V),在ITO电极与金电极间施加周期性驱动电压时,诱导钙钛矿层产生空间梯度折射率变化,进而形成类闪耀光栅相位调制效应,实现入射光束在±30°范围内的非机械式偏转控制。本发明的光束偏转器具有宽光谱响应、高响应速度、低工作电压的特点,可应用于激光雷达波束控制、空间光通信链路校准及全息显示系统,为新一代光电集成设备提供小型化、低成本的动态光束操控解决方案。
-
公开(公告)号:CN119108447A
公开(公告)日:2024-12-10
申请号:CN202411263621.9
申请日:2024-09-10
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0203 , H01L31/02 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种基于真空间隙的低噪声光电探测器及其制备方法。由半导体pn结传感单元和场致发射真空间隙构成,在pn结的左端设置左端金属电极,在pn结的右端设置一个厚度很薄的真空间隙,在真空间隙的右端设置右端金属电极;在pn结的右端面设置纳米结构;在左端电极和右端电极之间设置偏置电源,并读取探测电流。本发明由于引入了绝缘性很高的真空间隙,所以可以极大地抑制暗电流和噪声电流。另外,本发明提出在pn结右端面设置金属或者半导体纳米结构,增强了真空间隙的场发射效应,提高了光电探测的响应度。
-
公开(公告)号:CN119342977A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411449988.X
申请日:2024-10-17
Applicant: 苏州亿现电子科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于X射线的直接型钙钛矿单晶线列探测器及其制备方法,包括TFT读出电路基板、光电二极管传感层和顶面基板;所述光电二极管传感层为钙钛矿单晶二极管层;所述顶面基板上设置有顶电极;所述TFT读出电路基板的连接电极和光电二极管传感层之间设置有各向异性绑定层,所述顶面基板和光电二极管传感层之间设置有各向异性绑定层,光电二极管传感层固定在顶面基板和TFT读出电路基板之间;所述各向异性绑定层为钙钛矿晶体绑定层。本发明使钙钛矿晶体光电二极管和连接电极之间具有较好的纵向导电性,以及很强的横向绝缘性。
-
公开(公告)号:CN119095397A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411407974.1
申请日:2024-10-10
Applicant: 苏州亿欧特光电科技有限公司 , 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种FA0.85Cs0.15PbI3光电探测器,包括透明玻璃衬底、透明底电极、FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜、顶电极和偏置电源;所述透明玻璃衬底上设置图案化的透明底电极,透明玻璃衬底和透明底电极上设置有FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜,所述FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜上沉积图案化顶电极,所述透明底电极和顶电极之间设置偏置电源。所述光电探测器具有良好的吸收性能,并且响应度高,结构比较稳定;FA0.85Cs0.15PbI3钙钛矿薄膜通过喷涂法制备,并采用辅助重结晶退火的方法对钙钛矿薄膜后处理,减少了晶粒的缺陷,增大了晶粒尺寸,提高了探测器性能。
-
-
-