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公开(公告)号：CN114864687A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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公开(公告)号：CN115117154A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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公开(公告)号：CN119133229A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411293152.5
申请日：2024-09-14
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种高散热的蓝宝石基异质结半桥器件，包括：衬底，由第一缓冲层、第一沟道层、第一异质结沟道、第一势垒层、第一金属源电极、第一金属漏电极、第一金属栅电极构成的低测区，由第二缓冲层、第二沟道层、第二异质结沟道、第二势垒层、第二金属源电极、第二金属漏电极、第二金属栅电极构成的高测区，由绝缘介质层和导热介质层构成的沟槽区；本发明通过沟槽区将器件体内的热量导出，能够提高器件的散热性能。
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公开(公告)号：CN115117154B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210712859.X
申请日：2022-06-22
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开了一种具有高续流能力的鳍式氮化镓器件，包括：金属漏电极，第一高掺杂层，具有鳍式结构的缓冲层，具有第一鳍柱、第二鳍柱、第三鳍柱、第四鳍柱的元胞区和具有第五鳍柱、第六鳍柱的终端区；第一、第四、第五鳍柱的顶表面叠设第二高掺杂层、金属源电极，并通过其外侧的金属栅电极实现器件的正向工作状态，第二、第六鳍柱通过顶表面及外侧的第二金属源电极实现器件的反向工作状态，第三鳍柱的顶表面及外侧设有第三介质层，用于隔离第二鳍柱与第四鳍柱；本发明器件具有高续流能力、高击穿电压、低开关损耗以及高工艺集成度等优势。
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公开(公告)号：CN114864687B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202210643562.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 东南大学 , 东南大学—无锡集成电路技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种集成自反馈栅控制结构的氮化镓功率半导体器件，包括：衬底，缓冲层，沟道层，势垒层，由第一金属源电极、第一P型氮化镓帽层、第一金属栅电极、第一金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属栅电极构成的栅控制区，由第一金属源电极、第三P型氮化镓帽层、第三金属栅电极、第二金属漏电极、第二P型氮化镓帽层、第二金属源电极构成的有源工作区；本发明通过栅控制区调节器件整体栅漏电大小，集成度高，寄生少，同时可以有效缓解电荷存储效应，提高器件阈值稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113327923B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202110598471.7
申请日：2021-05-31
Applicant: 东南大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明涉及一种静电泄放自保护的异质结半导体器件，包括：缓冲层、沟道层、异质结沟道、势垒层；势垒层上表面设有金属漏电极、金属源电极；金属漏电极与金属源电极之间且接近金属源电极间隔设有由第一p型半导体层、第一n型半导体层、第二p型半导体层交替组成的栅保护区以及由第三p型半导体层与金属栅电极层叠构成的栅控制区；栅保护区a与栅控制区b之间通过高阻介质层隔离；栅保护区提供ESD电流泄放通道保护栅极免受瞬时大电流的冲击。本发明相比传统的外部ESD保护电路具有集成度高、占用面积小、寄生电容小等优点。
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公开(公告)号：CN118798104B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310701433.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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公开(公告)号：CN118798104A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310701433.9
申请日：2023-06-13
Applicant: 东南大学 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明涉及一种p‑GaN栅高电子迁移率晶体管模型及其建模方法，所述模型包括：基础模型，包括GaN HEMT器件模型，所述GaN HEMT器件模型包括栅至源部分、漏至源部分及位于栅极节点和栅极之间的栅极电阻；子模型，包括位于相互串联的第一子电路、第二子电路及第三子电路，第一子电路包括相互并联的二极管D1和栅源压控电阻R2，第二子电路包括相互并联的电阻R1和电容C1，第三子电路包括相互并联的二极管D2和栅漏压控电阻R3；子模型与栅极电阻串联连接。本发明可有效地解决传统的p‑GaN栅HEMT的器件模型对阈值电压漂移建模不足的问题，预防了阈值电压漂移所导致的潜在的电路功能失效的危险，大大降低了集成电路设计的风险与成本。
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公开(公告)号：CN114267734B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202111623857.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/02
Abstract: 一种抗静电释放冲击的异质结半导体器件，结构包括：衬底，缓冲层，沟道层，钝化层，隔离介质层，有源工作区，自保护区和电阻区；自保护区包括：第一导电类型Ⅰ阱区、第一导电类型Ⅱ阱区及第二导电类型阱区；电阻区包括：与自保护区的第二导电类型阱区接触的连接金属，金属源电极与连接金属之间的呈现弯曲形状的势垒条层；自保护区与有源工作区通过隔离介质层隔离。本发明通过电阻区电子沟道产生的压降开启自保护区的三极管泄流路径，一方面，自保护区的三极管泄流能力强且不发生闩锁，另一方面，呈现弯曲形状的势垒条层相当于增加了栅源之间的电阻，既可以降低器件漏电，又可以通过改变其电阻值调节触发电压。
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公开(公告)号：CN114267734A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111623857.5
申请日：2021-12-28
Applicant: 东南大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L27/02
Abstract: 一种抗静电释放冲击的异质结半导体器件，结构包括：衬底，缓冲层，沟道层，钝化层，隔离介质层，有源工作区，自保护区和电阻区；自保护区包括：第一导电类型Ⅰ阱区、第一导电类型Ⅱ阱区及第二导电类型阱区；电阻区包括：与自保护区的第二导电类型阱区接触的连接金属，金属源电极与连接金属之间的呈现弯曲形状的势垒条层；自保护区与有源工作区通过隔离介质层隔离。本发明通过电阻区电子沟道产生的压降开启自保护区的三极管泄流路径，一方面，自保护区的三极管泄流能力强且不发生闩锁，另一方面，呈现弯曲形状的势垒条层相当于增加了栅源之间的电阻，既可以降低器件漏电，又可以通过改变其电阻值调节触发电压。
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