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公开(公告)号：CN1461740A
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN03145460.7
申请日：2003-03-11
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹石英股份有限公司 , 东曹石英素材股份有限公司
IPC: C03C4/00 , C03C3/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及含有Al和选自周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素中的一种以上元素(M)的高耐久性石英玻璃。优选Al和元素(M)的含量之和以金属元素总计量为基准在30原子％以上，并且Al和元素(M)的原子比在0.05～20范围。该石英玻璃为高纯度，并且在维持石英玻璃具有的良好加工性、低发尘性的情况下具有高耐久性，因此，适合作为使用卤化物气体和/或其等离子体的半导体制造装置或液晶制造装置的部件。
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公开(公告)号：CN105001254A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN106029586A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009038.8
申请日：2015-02-16
Applicant: 东曹株式会社
CPC classification number: C03C11/00 , C03B19/066 , C03B19/08 , C03B2201/03 , C03C3/06 , C03C2201/02 , C03C2201/80 , C03C2204/06
Abstract: 提供没有吸水性、且红外光的遮光性优异的不透明石英玻璃和其制造方法。本发明的不透明石英玻璃中，将微细的非晶态二氧化硅粉末和造孔剂混合后进行成型，在规定的温度下进行加热，从而所含气孔为闭孔，并且气孔的平均直径为5～20μm，气孔的含有密度高，由此变为热阻断性优异的不透明石英玻璃。
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公开(公告)号：CN100408497C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN03145460.7
申请日：2003-03-11
Applicant: 东曹株式会社 , 东曹石英股份有限公司 , 东曹石英素材股份有限公司
IPC: C03C4/00 , C03C3/04 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及含有Al和选自周期表第2A族元素、第3A族元素及第4A族元素中的一种以上元素(M)的高耐久性石英玻璃。优选Al和元素(M)的含量之和以金属元素总计量为基准在30原子%以上，并且Al和元素(M)的原子比在0.05～20范围。该石英玻璃为高纯度，并且在维持石英玻璃具有的良好加工性、低发尘性的情况下具有高耐久性，因此，适合作为使用卤化物气体和/或其等离子体的半导体制造装置或液晶制造装置的部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115215541A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210411991.7
申请日：2022-04-19
Applicant: 东曹株式会社
Abstract: 本发明所要解决的技术问题在于，提供一种在内部不含Φ大于0.1mm的气泡和裂纹、实用性优异、耐等离子体性更高的玻璃及其制造方法、包含该玻璃的玻璃构件、具有该玻璃构件的半导体制造装置以及液晶制造装置。所述玻璃由Si的氧化物和至少一种2价以上的金属元素的氧化物构成，不含直径大于0.1mm的泡，直径0.1mm以下的泡的面积占有率为0.05％以下。所述玻璃的制造方法包括：步骤(1)：将Si的氧化物的原料粉末和至少一种2价以上的金属元素的氧化物的原料粉末加入容器中，混合后在减压下加热熔融得到熔融体；步骤(2‑1)：对熔融体在He气氛中加压，或步骤(2‑2)：对熔融体在除He之外的不活泼气氛中加热、然后在所述不活泼气氛下加压；和步骤(3)：将熔融体冷却。
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公开(公告)号：CN103917487A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201280054346.9
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C01B13/32 , C01B33/113 , C01G23/04 , C07F7/10 , C07F7/18 , C07F7/28 , H01L21/316
CPC classification number: C09D1/00 , C01B33/113 , C07F7/003 , C07F7/025 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02216 , H01L21/02282
Abstract: 本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用使具有特定结构的亚乙烯基二酰胺络合物与氧气、空气、臭氧、水、过氧化氢等氧化剂进行反应而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN105001254B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510363768.X
申请日：2012-09-03
Applicant: 东曹株式会社 , 公益财团法人相模中央化学研究所
IPC: C07F7/28 , C07F7/00 , C03C17/23 , H01L21/316
Abstract: 本发明涉及制膜用材料、IV族金属氧化物膜的制造方法。本发明的课题在于提供在较低温度下制作作为半导体元件、光学元件有用的IV族金属氧化物膜的方法。本发明涉及在通过将溶解于有机溶剂的制膜用材料涂布于基板表面，进行热处理、紫外线照射处理、或这两种处理，从而制作IV族金属氧化物膜的方法中，作为制膜用材料，使用通过将具有钛原子或锆原子且各所述金属原子利用桥氧原子进行桥联的化合物溶解于分子内含2个以上氧原子的醇，然后进行加热而得到的制膜用材料。
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公开(公告)号：CN101511744B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200780033716.X
申请日：2007-09-11
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03C4/0085 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C2201/23 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57
Abstract: 一种熔融石英玻璃，其对于波长245nm的紫外光，在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，另外，1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10-10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性，适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
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公开(公告)号：CN101511744A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033716.X
申请日：2007-09-11
IPC: C03B20/00
CPC classification number: C03C4/0085 , C03B19/066 , C03B20/00 , C03B2201/03 , C03B2201/04 , C03C3/06 , C03C4/10 , C03C2201/23 , C03C2201/50 , C03C2201/54 , Y02P40/57
Abstract: 一种熔融石英玻璃，其对于波长245nm的紫外光，在10mm厚度内的内透过率为95％以上，OH含量为5ppm以下，Li、Na、K、Mg、Ca、Cu的含量各自为不足0.1ppm。优选该熔融石英玻璃在1215℃下的粘度系数为1011.5Pa·s以上，另外，1050℃下在大气中放置24小时的、在距表面的深度超过20μm起至100μm的区域中的Cu离子的扩散系数为1×10－10cm2/秒以下。该熔融石英玻璃通过将原料硅石粉末方英石化后在非还原性气氛中熔融而制造。该熔融石英玻璃具有紫外线、可见光、红外线的透射率高、高纯度且耐热性高以及金属杂质的扩散速度小的特性，适合作为各种光学材料、半导体制造用部件、液晶制造用部件等。
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