一种深盲孔均匀性刻蚀方法

    公开(公告)号:CN116534791B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310813740.6

    申请日:2023-07-05

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域,具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。包括:S1对测试硅片进行盲孔刻蚀,计算刻蚀速率;S2使用S1中的刻蚀速率对硅片分阶段进行盲孔刻蚀;S3在每个刻蚀阶段结束后分区域进行深度测量,S4在第二个刻蚀阶段结束后,分区域进行深度测量,若某一区域深度达到目标深度时,使用刻蚀遮挡物将该区域盲孔遮挡;若某一区域深度未达到目标深度时,进入步骤S5;S5调节刻蚀参数,继续对未达到目标深度的区域进行盲孔刻蚀;S6重复步骤S4‑S5,当硅片上所有区域的盲孔深度都达到目标深度后,停止刻蚀。本发明能够有效控制深盲孔刻蚀的刻蚀深度,提高刻蚀均匀性,并且能够监测刻蚀工艺。

    一种二维含能材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109678632A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201910083839.9

    申请日:2019-01-29

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: C06B45/02 C06B33/00

    CPC分类号: C06B45/02 C06B33/00

    摘要: 本发明公开了一种二维含能材料,其氧化剂组分与燃料组分中至少一种为类石墨烯二维材料,并且已合成为二维纳米片。所述氧化剂组分含量为10%~90%,所述燃料组分含量为10%~90%;所述氧化剂组分为WO3或MnO2;所述燃料组分为Al、Mg、B、Ti、Si或P中的一种。本发明使二维材料与纳米含能材料完美结合在一起,解决了纳米含能材料的分散性差,粒子易团聚,瞬时放热差问题,也拓展了二维纳米材料的应用。

    一种应用于高温环境下的温压原位同测方法

    公开(公告)号:CN118310671B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410741952.2

    申请日:2024-06-11

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: G01L9/02 G01K7/16 G01D21/02

    摘要: 本发明的目的在于提供一种应用于高温环境下的温压原位同测方法,属于半导体技术领域,首先确定待测压敏电阻R0所在传感器的掺杂浓度。然后用高低温冲击试验箱测量与待测压敏电阻R0掺杂浓度相同的压敏电阻R1的电阻‑温度拟合曲线A。再测量待测压敏电阻R0在常温下的电阻值。接着将待测压敏电阻R0常温下的电阻值与电阻‑温度拟合曲线A进行匹配,得到已封装好的传感器的待测压敏电阻R0的电阻值与电阻‑温度拟合曲线B。最后当待测压敏电阻R0所对应的传感器在工作测压时,将测得的阻值带入传感器电阻‑温度拟合曲线B,可得此时传感器对应的工作温度。通过该方法,可以提高高温环境下压力传感器的工作性能,使温压同位检测更加精准。

    一种深盲孔均匀性刻蚀方法

    公开(公告)号:CN116534791A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310813740.6

    申请日:2023-07-05

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明涉及半导体芯片制造技术领域,具体是一种深盲孔均匀性刻蚀方法。包括:S1对测试硅片进行盲孔刻蚀,计算刻蚀速率;S2使用S1中的刻蚀速率对硅片分阶段进行盲孔刻蚀;S3在每个刻蚀阶段结束后分区域进行深度测量,S4在第二个刻蚀阶段结束后,分区域进行深度测量,若某一区域深度达到目标深度时,使用刻蚀遮挡物将该区域盲孔遮挡;若某一区域深度未达到目标深度时,进入步骤S5;S5调节刻蚀参数,继续对未达到目标深度的区域进行盲孔刻蚀;S6重复步骤S4‑S5,当硅片上所有区域的盲孔深度都达到目标深度后,停止刻蚀。本发明能够有效控制深盲孔刻蚀的刻蚀深度,提高刻蚀均匀性,并且能够监测刻蚀工艺。

    一种热电堆红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN112366270B

    公开(公告)日:2021-06-18

    申请号:CN202011239341.6

    申请日:2020-11-09

    申请人: 中北大学

    摘要: 本发明涉及红外探测技术领域,公开了一种热电堆红外探测器及其制备方法,探测器包括从下至上依次设置的硅衬底、第一支撑层、吸收材料支撑层,吸收材料支撑层上设置有多个热偶条,热偶条按照“非”字形双列排布形成热偶条区域,钝化吸热层沉淀设置在热偶条上并向下延伸至吸收材料支撑层的上表面,热偶条区域边缘位置无钝化吸热层覆盖;位于首行和尾行的热偶条外侧分别设置有一个与热偶条方向平行的隔热槽,隔热槽从吸收材料支撑层向下延伸并穿透第一支撑层;钝化吸热层上设置有U型的铂电阻,铂电阻的两臂直于热偶条方向,并分别位于两列热偶条的内端上方,本发明提高了红外探测器的响应度。

    一种二维含能材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN109678632B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201910083839.9

    申请日:2019-01-29

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: C06B45/02 C06B33/00

    摘要: 本发明公开了一种二维含能材料,其氧化剂组分与燃料组分中至少一种为类石墨烯二维材料,并且已合成为二维纳米片。所述氧化剂组分含量为10%~90%,所述燃料组分含量为10%~90%;所述氧化剂组分为WO3或MnO2;所述燃料组分为Al、Mg、B、Ti、Si或P中的一种。本发明使二维材料与纳米含能材料完美结合在一起,解决了纳米含能材料的分散性差,粒子易团聚,瞬时放热差问题,也拓展了二维纳米材料的应用。

    基于MoS2纳米类酶发光体系检测过氧化氢的新方法

    公开(公告)号:CN108680566B

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN201810490582.4

    申请日:2018-05-21

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: G01N21/76

    摘要: 本发明公开了一种基于MoS2纳米类酶发光体系检测过氧化氢的新方法,包括如下步骤:S1、制备MoS2二维纳米类酶;S2、配制0.1mol/L的鲁米诺母液和Tris‑HCl缓冲溶液;S3、将配制所得的鲁米诺母液用Tris‑HCl缓冲溶液稀释至5毫摩尔每升的鲁米诺溶液,然后取40微升所得溶液与40微升不同浓度的过氧化氢溶液在测量杯中混匀,再向其中加入40微升1毫摩尔每升的MoS2纳米类酶,反应30秒后,整个反应体系放入化学发光测定仪,通过化学发光仪收集并记录反应所产生的光信号。本发明增强了检测过氧化氢时的发光信号的强度,缩短了反应时间。