-
公开(公告)号：CN116300242B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310176564.X
申请日：2023-02-28
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于低损耗相变材料的微环光波导开关及其制备方法。微环光波导开关包括衬底层和光开关层，所述光开关层设置在所述衬底层上，所述光开关层包括微环谐振腔、总线波导和相变材料块，所述总线波导包括输入区波导和输出区波导，所述输入区波导的输出端与相变材料块的输入端连接，所述相变材料块的输出端与输出区波导的输入端连接，所述总线波导与微环谐振腔侧耦合，所述相变材料块位于输入区波导和输出区波导之间。本发明当相变材料在不同相态之间切换，且满足模式匹配条件时，光波模式会在总线波导和微环腔的耦合区域发生耦合，由于输出的两束光发生了干涉，从而实现光开关的开通或关断。
-
公开(公告)号：CN112484667B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011226604.X
申请日：2020-11-05
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01B11/26
摘要： 本发明公开了一种基于二维材料光吸收结构阵列的光电角度传感器。本发明由二维材料光吸收结构阵列构成，阵列由N个二维材料光吸收结构排列组成。二维材料光吸收结构由光学透明介质光栅、两个金属电极、二维材料层、光学介质层、金属薄膜基底组成。各二维材料光吸收结构的光学透明介质光栅的周期各不相同，使各光吸收结构选择性吸收不同入射角度的光，二维材料在吸收光后电学性能改变，配合金属电极将吸收的光信号转化成电信号。金属薄膜基底阻挡透射光实现背面模式泄露率为零，二维材料放置在场强低的位置。本发明实现了光电角度传感器的微型化，提高了传感器灵敏度、精度。
-
公开(公告)号：CN111123418B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010060249.7
申请日：2020-01-19
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种石墨烯等离激元腔‑完美吸收器耦合纳米谐振器件，属于纳米光子学和光电子技术领域，是一种应用在中远红外波段的新型纳米光学器件。本发明利用磁共振模式和石墨烯‑金属腔模式耦合形成新的杂化模式，设计的该纳米光学谐振器件在中远红外波段能够展现出多个共振模式，具备突破衍射极限，超薄超紧凑的小于100nm厚度的器件尺寸，超强光场局域特性，空间模式能压缩到10nm以下，较强的光谱调控能力，杂化模式共振峰处光谱吸收率调控比能实现300％以上。本发明设计的纳米光学谐振器件能够应用在光学激励、调制、传感和探测等各个领域，对新型光电技术发展起到重要的作用。
-
公开(公告)号：CN112484667A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011226604.X
申请日：2020-11-05
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01B11/26
摘要： 本发明公开了一种基于二维材料光吸收结构阵列的光电角度传感器。本发明由二维材料光吸收结构阵列构成，阵列由N个二维材料光吸收结构排列组成。二维材料光吸收结构由光学透明介质光栅、两个金属电极、二维材料层、光学介质层、金属薄膜基底组成。各二维材料光吸收结构的光学透明介质光栅的周期各不相同，使各光吸收结构选择性吸收不同入射角度的光，二维材料在吸收光后电学性能改变，配合金属电极将吸收的光信号转化成电信号。金属薄膜基底阻挡透射光实现背面模式泄露率为零，二维材料放置在场强低的位置。本发明实现了光电角度传感器的微型化，提高了传感器灵敏度、精度。
-
公开(公告)号：CN116598374A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310235710.1
申请日：2023-03-13
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032 , C23C16/40 , C23C16/30
摘要： 本发明公开了一种ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料的制备方法，包括：S1、对FTO衬底进行清洗处理；S2、在FTO衬底上旋涂ZnO籽晶层；S3、通过水热法生长ZnO纳米棒阵列；S4、通过化学气相沉积法制备ZnO/ZnSe核壳异质结；S5、制备ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料。本发明利用原位合成异质结，表面负载金属颗粒，制备工艺流程简单、可重复性高、成本低，并且ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料在光电化学领域有很好的优势，在光强为100mW/cm2时、外加偏置电压为0.8V时，ZnO/ZnSe/Ag材料的光电流密度是单纯ZnO材料的24倍，高达257.6uA/cm2。
-
公开(公告)号：CN110530820B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201910825943.0
申请日：2019-09-03
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01N21/41
摘要： 本发明属于等离激元传感领域，公开了基于金纳米天线/石墨烯结构的双波段等离激元传感器。本发明由单层石墨烯和均匀分布的非对称金纳米天线阵列构成，主要应用在近红外和中远红外两个波段，用于灵敏的探测周围环境折射率的改变。克服了传统的等离激元传感器只能工作在单一波段或者波段较窄的问题，同时利用非对称金纳米天线阵列有利于增加共振Q值提高传感器灵敏度。本发明具有重要的工程实用意义，在医疗健康、安全、环境质量的监控等领域具有广阔的推广应用前景。
-
公开(公告)号：CN112194192B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010639803.7
申请日：2020-07-06
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明属于纳米光电子材料技术领域，公开了一种结构可控的C/CoS2纳米管制备方法。本发明采用一步简单的化学气相扩散策略，通过调控反应气氛，即Ar/H2气体比，从而实现纳米棒到纳米管的可控生长，具有制备工艺简单，产物结构稳定，且催化活性位点高等优势，具有高效的催化活性。克服了传统制备方法中的产物结构不可控，催化剂活性位点少等问题。本发明具有重要的工程实用意义，在军工、航天、能源、电子及环境等领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110530820A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910825943.0
申请日：2019-09-03
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01N21/41
摘要： 本发明属于等离激元传感领域，公开了基于金纳米天线/石墨烯结构的双波段等离激元传感器。本发明由单层石墨烯和均匀分布的非对称金纳米天线阵列构成，主要应用在近红外和中远红外两个波段，用于灵敏的探测周围环境折射率的改变。克服了传统的等离激元传感器只能工作在单一波段或者波段较窄的问题，同时利用非对称金纳米天线阵列有利于增加共振Q值提高传感器灵敏度。本发明具有重要的工程实用意义，在医疗健康、安全、环境质量的监控等领域具有广阔的推广应用前景。
-
公开(公告)号：CN113900281B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111120549.0
申请日：2021-09-24
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，包括入射光栅层、顶部电极、波导层、基底和底部电极，所述入射光栅层水平设置于顶部电极的上方，所述顶部电极与波导层的顶部固定连接，所述波导层设置于基底的顶部，所述底部电极与基底的底部固定连接。本发明通过将石墨烯与高Q导模共振光栅耦合，在可见光到近红外范围内实现99.99％的吸收，此外，通过LN的电光效应增加栅极电压以改变折射率，使得结构的吸收可调。
-
公开(公告)号：CN113885103B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111127984.6
申请日：2021-09-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G02B1/00
摘要： 本发明公开了一种新型红外隐身材料、制备方法及应用，包括第一GST(Ge2Sb2Te5)相变合金层、Mo纳米薄膜、第二GST相变合金层和Mo薄膜反射层，所述Mo纳米薄膜层设置于第一GST相变合金层和第二GST相变合金层之间，所述Mo薄膜反射层位于第二GST相变层远离Mo纳米薄膜层的一侧；包括以下步骤：步骤1：利用传输矩阵结合Comsol等仿真软件对多层膜结构的吸收率、折射率以及透过率进行理论计算；步骤2：改变多层膜结构各层厚度，得到优化的薄膜结构和厚度。本发明通过GST在晶体和非晶体状态之间的切换，使器件的选择性辐射具有两种截然不同的状态，即“隐身”状态和“非隐身”状态。这一研究对于红外隐身方面的研究具有重大意义。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.042 秒)
