-
公开(公告)号：CN116604016A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310891348.3
申请日：2023-07-20
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： B22F1/16 , B22F1/07 , B22F1/142 , B22F1/145 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C23C14/14 , C23C16/26 , C23C16/44
摘要： 提供了一种石墨烯包覆金属纳米晶的制备方法和一种石墨烯包覆金属纳米晶，所述方法包括：S1、在衬底上沉积金属；衬底的熔点高于沉积金属的实际熔点，且其与沉积金属之间的浸润角大于90°；S2、对S1中所沉积的金属进行高温退火，退火后进行降温冷却，得到石墨烯包覆的高晶面指数金属纳米晶；其中，高温退火的气氛中包括惰性气体、氢气和碳源；高晶面指数是指晶面指数的每一个参量都不小于1。本发明借助于金属熔融体与衬底之间的超疏性，同时通过引入碳源，在高温退火再冷却过程中在金属纳米晶粒表面原位生长石墨烯层，从而形成石墨烯包覆的高晶面指数金属纳米晶。
-
公开(公告)号：CN116598374A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310235710.1
申请日：2023-03-13
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/109 , H01L31/032 , C23C16/40 , C23C16/30
摘要： 本发明公开了一种ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料的制备方法，包括：S1、对FTO衬底进行清洗处理；S2、在FTO衬底上旋涂ZnO籽晶层；S3、通过水热法生长ZnO纳米棒阵列；S4、通过化学气相沉积法制备ZnO/ZnSe核壳异质结；S5、制备ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料。本发明利用原位合成异质结，表面负载金属颗粒，制备工艺流程简单、可重复性高、成本低，并且ZnO/ZnSe/Ag纳米复合材料在光电化学领域有很好的优势，在光强为100mW/cm2时、外加偏置电压为0.8V时，ZnO/ZnSe/Ag材料的光电流密度是单纯ZnO材料的24倍，高达257.6uA/cm2。
-
公开(公告)号：CN110530820B
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN201910825943.0
申请日：2019-09-03
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01N21/41
摘要： 本发明属于等离激元传感领域，公开了基于金纳米天线/石墨烯结构的双波段等离激元传感器。本发明由单层石墨烯和均匀分布的非对称金纳米天线阵列构成，主要应用在近红外和中远红外两个波段，用于灵敏的探测周围环境折射率的改变。克服了传统的等离激元传感器只能工作在单一波段或者波段较窄的问题，同时利用非对称金纳米天线阵列有利于增加共振Q值提高传感器灵敏度。本发明具有重要的工程实用意义，在医疗健康、安全、环境质量的监控等领域具有广阔的推广应用前景。
-
公开(公告)号：CN112194192B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202010639803.7
申请日：2020-07-06
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明属于纳米光电子材料技术领域，公开了一种结构可控的C/CoS2纳米管制备方法。本发明采用一步简单的化学气相扩散策略，通过调控反应气氛，即Ar/H2气体比，从而实现纳米棒到纳米管的可控生长，具有制备工艺简单，产物结构稳定，且催化活性位点高等优势，具有高效的催化活性。克服了传统制备方法中的产物结构不可控，催化剂活性位点少等问题。本发明具有重要的工程实用意义，在军工、航天、能源、电子及环境等领域具有广阔的应用前景。
-
公开(公告)号：CN110530820A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910825943.0
申请日：2019-09-03
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G01N21/41
摘要： 本发明属于等离激元传感领域，公开了基于金纳米天线/石墨烯结构的双波段等离激元传感器。本发明由单层石墨烯和均匀分布的非对称金纳米天线阵列构成，主要应用在近红外和中远红外两个波段，用于灵敏的探测周围环境折射率的改变。克服了传统的等离激元传感器只能工作在单一波段或者波段较窄的问题，同时利用非对称金纳米天线阵列有利于增加共振Q值提高传感器灵敏度。本发明具有重要的工程实用意义，在医疗健康、安全、环境质量的监控等领域具有广阔的推广应用前景。
-
公开(公告)号：CN113900281B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111120549.0
申请日：2021-09-24
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，包括入射光栅层、顶部电极、波导层、基底和底部电极，所述入射光栅层水平设置于顶部电极的上方，所述顶部电极与波导层的顶部固定连接，所述波导层设置于基底的顶部，所述底部电极与基底的底部固定连接。本发明通过将石墨烯与高Q导模共振光栅耦合，在可见光到近红外范围内实现99.99％的吸收，此外，通过LN的电光效应增加栅极电压以改变折射率，使得结构的吸收可调。
-
公开(公告)号：CN113885103B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202111127984.6
申请日：2021-09-26
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G02B1/00
摘要： 本发明公开了一种新型红外隐身材料、制备方法及应用，包括第一GST(Ge2Sb2Te5)相变合金层、Mo纳米薄膜、第二GST相变合金层和Mo薄膜反射层，所述Mo纳米薄膜层设置于第一GST相变合金层和第二GST相变合金层之间，所述Mo薄膜反射层位于第二GST相变层远离Mo纳米薄膜层的一侧；包括以下步骤：步骤1：利用传输矩阵结合Comsol等仿真软件对多层膜结构的吸收率、折射率以及透过率进行理论计算；步骤2：改变多层膜结构各层厚度，得到优化的薄膜结构和厚度。本发明通过GST在晶体和非晶体状态之间的切换，使器件的选择性辐射具有两种截然不同的状态，即“隐身”状态和“非隐身”状态。这一研究对于红外隐身方面的研究具有重大意义。
-
公开(公告)号：CN115267960A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210926058.3
申请日：2022-08-03
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G02B5/20 , G02B5/22 , G02B1/00 , G02B1/04 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B9/00 , B32B9/04 , B32B15/00 , B32B15/20 , B32B7/023
摘要： 本发明公开了一种波长大范围可调的光学带阻滤波器，包括光学透明介质光栅、二维材料层、光学介质层和金属薄膜基底，其特征在于，所述光学透明介质光栅与二维材料层设置于结构的最上方，所述二维材料层平铺在光学透明介质光栅或者光学介质层的上方，所述金属薄膜基底粘接于光学介质层的底面。本发明通过金属薄膜基底来阻挡透射光将二维材料光吸收结构设计成单端口，使结构在满足临界耦合的条件下实现完美吸收。本发明可以通过改变入射光的角度，大范围调节工作波长，并保持99％以上的滤波能力。
-
公开(公告)号：CN113900281A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111120549.0
申请日：2021-09-24
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
IPC分类号： G02F1/03
摘要： 本发明公开了一种基于石墨烯电极的铌酸锂超表面空间光调制器，包括入射光栅层、顶部电极、波导层、基底和底部电极，所述入射光栅层水平设置于顶部电极的上方，所述顶部电极与波导层的顶部固定连接，所述波导层设置于基底的顶部，所述底部电极与基底的底部固定连接。本发明通过将石墨烯与高Q导模共振光栅耦合，在可见光到近红外范围内实现99.99％的吸收，此外，通过LN的电光效应增加栅极电压以改变折射率，使得结构的吸收可调。
-
公开(公告)号：CN118005967A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410129146.X
申请日：2024-01-30
申请人： 中国人民解放军国防科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于聚3，4‑乙烯二氧噻吩的紫外透明导电薄膜及其制备方法，具体是一种基于大共轭体系聚合物聚3，4‑乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、方阻适中、在日盲紫外区透过率较高的透明导电薄膜，填补日盲紫外区缺少透明电极材料的技术空白。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
30 条记录 (耗时 0.053 秒)
