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公开(公告)号：CN115563783B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202211245963.9
申请日：2022-10-12
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明属于超导集成电路技术领域，涉及利用Al/α‑Al2O3界面堆叠顺序调控氧化铝约瑟夫森结电输运性质的方法。包括：搭建不同氧化层界面终端方式以及不同Al/Al2O3界面堆叠顺序的约瑟夫森结器件模型；计算规则的三维器件模型的电输运性质的相关参数；通过对得到的三维器件模型的电输运性质的相关参数进行分析，明确Al/Al2O3界面堆叠顺序对氧化铝约瑟夫森结性能影响；对氧化铝约瑟夫森结电输运性质进行调控。结果表明，在Al/Al2O3/Al体系中Al2O3的界面终端方式相同的情况下，铝和氧化铝堆叠顺序的变化对体系的电子输运性能有很大影响。
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公开(公告)号：CN115034169B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210703919.1
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明涉及基于量子门线路模型的超导量子芯片EDA设计方法，方法包括将算法门线路模型转化为实现预设算法的量子芯片物理拓扑结构；使用所述量子芯片物理拓扑结构映射出量子比特的等效电路；对所述等效电路进行优化，添加量子参数，生成具有量子参数的等效电路，所述量子参数包括量子比特的工作频率，非谐性、约瑟夫森结常温电阻值；通过量子芯片物理拓扑结构以及具有量子参数的等效电路，生成GDS版图。本发明实现了针对运行某个特定算法，设计硬件载体量子芯片的目的，从算法门线路模型到实际物理版图，完成自动化生成，解决了设计时电路复杂的问题。
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公开(公告)号：CN115802873A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211302053.X
申请日：2022-10-24
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明涉及基于金属掩膜刻蚀的ALD约瑟夫森结制备方法。包括：在衬底上定义下层金属掩膜图形，沉积金属薄膜，得到下层金属层；将底层金属掩膜图形转移到下层金属层，形成下层金属掩膜；去除下层金属掩膜表面的自然氧化层；在真空中器件原位传输到薄膜生长腔室一次性生长底层Al电极、ALD Al2O3势垒层、顶层Al电极，形成Al/Al2O3/Al约瑟夫森结；定义上层金属掩膜图形，沉积金属薄膜，得到上层金属层；将上层金属掩膜图形转移到上层金属层，形成上层金属掩膜，选择性刻蚀，形成下层金属掩膜/约瑟夫森结（Al/Al2O3/Al）/上层金属掩膜。本发明方法制备的约瑟夫森结电阻均匀性更好。
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公开(公告)号：CN113962398A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111276968.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: G06N10/70
Abstract: 本申请提供了一种量子计算机自动化管控方法、系统、服务器及存储介质，该方法通过与量子计算机的目标设备建立连接，调用与目标设备对应的抽象接口，获取目标设备的参数，实现能自动获取目标设备的参数，并结合目标设备的参数及针对目标设备设置的管控程序，完成对量子计算机的目标设备的自动化管控，提高管控效率，并且，不需要人工在量子计算机附近走动或作业，降低对量子计算机运行的影响，保证量子计算机运行的稳定性，进而保证量子计算机运行的准确率。
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公开(公告)号：CN113934431A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111258004.6
申请日：2021-10-27
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明实施例公开了一种量子程序编译方法、装置及电子设备，该方法包括：将待优化的量子程序中的多控制位量子逻辑门转换为第一目标逻辑门，得到第一量子程序；所述第一目标逻辑门为与目标量子平台匹配的逻辑门，所述目标量子平台包括多个量子平台；对所述第一量子程序中的量子线路进行优化，得到第二量子程序；将所述第二量子程序中不符合预设的噪声要求的第一逻辑门替换为第二目标逻辑门，得到第三量子程序；从预设的多种编译方法中确定与所述目标量子平台匹配的目标编译方法，并通过所述目标编译方法对所述第三量子程序进行编译。由此，实现了面向多量子平台的目的，并且对量子程序进行了优化，降低了量子程序的深度和噪声。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115802873B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202211302053.X
申请日：2022-10-24
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明涉及基于金属掩膜刻蚀的ALD约瑟夫森结制备方法。包括：在衬底上定义下层金属掩膜图形，沉积金属薄膜，得到下层金属层；将底层金属掩膜图形转移到下层金属层，形成下层金属掩膜；去除下层金属掩膜表面的自然氧化层；在真空中器件原位传输到薄膜生长腔室一次性生长底层Al电极、ALD Al2O3势垒层、顶层Al电极，形成Al/Al2O3/Al约瑟夫森结；定义上层金属掩膜图形，沉积金属薄膜，得到上层金属层；将上层金属掩膜图形转移到上层金属层，形成上层金属掩膜，选择性刻蚀，形成下层金属掩膜/约瑟夫森结（Al/Al2O3/Al）/上层金属掩膜。本发明方法制备的约瑟夫森结电阻均匀性更好。
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公开(公告)号：CN116193974A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211619376.1
申请日：2022-12-14
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明属于电子核心产业超导集成电路技术领域，特别涉及一种利用N空位缺陷调控NbN/AlN/NbN约瑟夫森结电输运性质的方法，分别选取多种无缺陷模型；从多种无缺陷模型中选取晶格失配率最低且结合能最高的模型作为参考模型，在参考模型中增加势垒层AlN中的N空位缺陷，控制N空位的总数相同，在界面层设置N空位和在AlN的每个原子层中设置不同N空位数量，构建缺陷模型，在保证AlN的每个原子层N空位数量一致的情况下，调整N空位在原子层中的位置，构建缺陷模型；将上述模型转换为NbN/AlN/NbN约瑟夫森结器件模型；采用Nanodcal软件计算模型的电输运性质；对电输运性质结果进行分析。本发明探究了势垒层AlN中N空位分布的不同及位置的不同对NbN/AlN/NbN约瑟夫森结电输运性质的影响。
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公开(公告)号：CN116187455A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211625004.X
申请日：2022-12-16
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: G06N10/20
Abstract: 本发明提供一种经典及量子混合指令流水线设计方法及装置。该方法将指令执行过程划分为五个时钟周期；在指令提取周期，根据程序计数器的值从共享指令存储器中读取指令至指令寄存器中，然后更新程序计数器的值；在指令译码/寄存器提取周期，从指令寄存器中读取指令，对于量子指令，则将其解码为量子操作后发送至量子控制单元以将其由数字信号转换为模拟信号；在执行/地址计算周期，对于量子指令，利用量子处理单元对量子控制单元输出的模拟信号进行处理以控制不同量子比特上的量子态演化；在测量/存储器访问周期，对于量子指令，利用量子控制单元将测量结果转换为数字信号后写入经典寄存器；在写回周期，将指令执行结果写入至对应的寄存器。
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公开(公告)号：CN114528713B
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210182371.0
申请日：2022-02-25
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明属于氧化铝薄膜技术领域，特别涉及一种分子动力学模拟氧化铝薄膜空间结构特征的方法及系统，该方法包括基于分子动力学模拟软件建立Al和O2反应的初始模型；对初始模型进行动力学保温弛豫，得到Al和O2充分反应的氧化铝模型；对得到的氧化铝模型进行动力学降温，得到氧化铝模型所对应的dump文件；对得到的dump文件数据进行读取，去除未成键的原子，获得新的dump文件；对新的dump文件中的数据进行Voronoi分析，导出不同工艺参数下的原子坐标、原子类型、原子Id、配位数、原子体积和Voronoi指数至文件；整理文件数据并绘制统计曲线，评价工艺参数对氧化铝薄膜空间结构特征的影响。本发明填补了从Voronoi多面体角度分析氧化铝空间结构的空白，降低了实验成本。
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公开(公告)号：CN113918168A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111275795.3
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明提供一种面向量子线路深度的编译优化方法。该方法包括：将待优化量子线路构建为一个有向无环图，基于图的遍历方法遍历所述待优化量子线路；针对遍历到的每个子线路，检查该子线路是否符合模式匹配规则，若符合，则根据模式匹配规则，使用深度更小的目标量子逻辑门组替换该子线路中深度更大的原量子逻辑门组，最终得到深度更小的等价量子线路。本发明可降低量子线路深度，有效提升量子算法在目标量子平台上的执行效率。
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