超导量子比特电容、超导量子比特及超导量子电路

    公开(公告)号:CN118042919A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410059280.7

    申请日:2024-01-16

    Abstract: 本发明涉及超导量子计算技术领域,特别涉及一种具有长退相干时间的新型的超导量子比特电容及含该电容的超导量子比特和超导量子电路,其中,超导量子比特电容设计为包含:相对设置的第一电极板和第二电极板,及位于第一电极板和第二电极板之间的电介质,第一电极板的内侧面上形成有第一波浪面,第二电极板的内侧面上形成有与第一波浪面结构匹配的第二波浪面,第一波浪面和第二波浪面两者的波峰和波谷相互交替配合,且第一波浪面和第二波浪面之间设置有间隙。本发明可提高超导量子比特性能表现,延长其退相干时间,能够适用于当前超导量子计算机芯片设计中超导量子比特的平行替换,尤其是在核心微结构方面,具有易替换性和高性能的特性。

    基于二维阵列扩展的大规模超导量子芯片及封装结构

    公开(公告)号:CN118095467A

    公开(公告)日:2024-05-28

    申请号:CN202410055216.1

    申请日:2024-01-15

    Abstract: 本发明涉及超导量子计算技术领域,特别涉及一种基于二维阵列扩展的大规模超导量子芯片及封装结构,其中的上层模块化比特层芯片结构包括以二维阵列形式排列的若干目标超导量子芯片,所述目标超导量子芯片仅包含量子比特结构,其以量子比特数量为依据并根据扩展的需求及超导量子芯片类型从超导量子芯片资源库中选取;下层芯片与上层模块化比特层芯片结构相对设置,下层芯片的电路结构分布依据上层模块化比特层芯片结构及扩展需求设置,包含传输线,读取谐振腔,控制线等;上层模块化比特层芯片结构通过耦合连接件与下层芯片耦合连接。本发明可适用于任何类型和/或规模的超导量子比特扩展,比如定频超导量子比特或者变频超导量子比特类型的任意规模扩展,保证芯片互联的质量,在超导量子计算领域具有较好的应用前景。

    超导量子芯片扩展方法、系统及大规模超导量子芯片

    公开(公告)号:CN118036763A

    公开(公告)日:2024-05-14

    申请号:CN202410055215.7

    申请日:2024-01-15

    Abstract: 本发明涉及超导量子计算技术领域,特别涉及一种超导量子芯片扩展方法、系统及大规模超导量子芯片,依据模块化芯片架构需求确定待扩展超导量子芯片的类型及数量;基于待扩展超导量子芯片并以二维阵列形式组建待互连的上层模块化单芯片结构;依据上层模块化单芯片结构设置下层载体芯片引脚电路及边缘量子比特耦合线分布,基于下层载体芯片并通过超导焊柱及比特耦合对上层模块化单芯片结构中超导量子芯片的量子比特进行扩展互联,以获取大规模超导量子芯片。本发明在保证单芯片性能的同时,能够减少适用于大规模扩展超导量子芯片新结构的研发时间和成本,可适用于任何类型和任意规模的平面超导量子芯片的扩展,在超导量子计算领域具有较好的应用前景。

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