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公开(公告)号：CN115965087B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211292835.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明属于超导量子计算技术领域，特别涉及一种超导量子比特自电容小型化设计方法及超导量子比特自电容，将电容宽度作为电容小型化衡量标准，并设置电容基本参数为恒定数值，设置电容形状为调整优化参数；借助第三方仿真软件来获取当前形状下电容性能参数，其中，性能参数至少包含：近似电容值、相干时间长度及电场分布，并依据性能参数选定电容形状下一步优化方向；依据电容优化前后的性能参数，筛选出相干时间最优且电场分布最佳的电容形状，并通过比较筛选出的电容形状与平行板电容之间尺寸差来衡量小型化效果。本发明在保持超导量子比特相干时间的同时，能够实现对自电容的小型化设计，以满足当前超导量子比特芯片集成中的应用。
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公开(公告)号：CN113885418B
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202111261876.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: G05B19/048
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公开(公告)号：CN115034169B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202210703919.1
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明涉及基于量子门线路模型的超导量子芯片EDA设计方法，方法包括将算法门线路模型转化为实现预设算法的量子芯片物理拓扑结构；使用所述量子芯片物理拓扑结构映射出量子比特的等效电路；对所述等效电路进行优化，添加量子参数，生成具有量子参数的等效电路，所述量子参数包括量子比特的工作频率，非谐性、约瑟夫森结常温电阻值；通过量子芯片物理拓扑结构以及具有量子参数的等效电路，生成GDS版图。本发明实现了针对运行某个特定算法，设计硬件载体量子芯片的目的，从算法门线路模型到实际物理版图，完成自动化生成，解决了设计时电路复杂的问题。
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公开(公告)号：CN113885418A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111261876.8
申请日：2021-10-28
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: G05B19/048
Abstract: 本申请公开一种多机仓环境参数的远程监控系统和方法，本申请通过在服务器设置监控处理模块及具备与量子计算机硬件系统不同功能仓中的多个采集装置间的通信连接的数据收发模块，以及设置显示装置，使得量子计算机硬件系统的不同功能仓中的各采集装置能够通过与服务器的连接将采集的环境参数数据实时、远程传输到服务器，并在服务器对接收的环境参数数据进行监控处理及监控结果的展示与预警处理，从而，本申请实现了对量子计算机多机仓环境参数的实时远程监控，可有效提高对量子计算机各功能仓的环境参数监管时的工作效率，并减少人工监管过程带来的干扰。
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公开(公告)号：CN116193973A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211557682.7
申请日：2022-12-06
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明属于半导体生产工艺技术领域，特别涉及一种底电极内嵌式约瑟夫森结的制备方法，该方法包括：选取半导体衬底；通过光刻技术在半导体衬底的上表面形成底电极图形；使用刻蚀工艺在半导体衬底上形成底电极图形凹槽，刻蚀后的衬底进行光刻胶去除和清洗处理；在半导体衬底表面进行金属淀积；通过化学机械抛光的方式将半导体衬底表面金属层去除，只留下凹槽中的底电极导线条；对底电极导线条的表面进行氧化处理；在氧化处理之后，利用光刻和刻蚀工艺形成顶电极，顶电极的导线条与底电极的导线条形成交叉导线结构。本发明将底电极嵌入衬底凹槽中，避免了底电极突起导致的顶电极导线条厚度不均匀的情况出现，大大降低了顶电极电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115188878A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210821961.3
申请日：2022-07-13
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法。首先提供一半导体衬底，在半导体衬底表面形成第一导电图形层；对第一导电图形层进行部分刻蚀去除，得到第一方向导线条；将所得第一方向导线条进行表面预处理以及氧化；经表面预处理以及氧化后的第一方向导线条上，形成第二导电图形层，所述第二导电图形层覆盖半导体衬底和第一方向导线条的表面；然后对所得第二导电图形层进行部分刻蚀去除，得到第二方向导线条；所述第二方向导线条与第一方向导线条交叉，制备得到约瑟夫森结。通过本发明制备约瑟夫森结，能够避免转角度溅射，从而便于进行大规模量产；另外，均匀性相比现有工艺有了较大提升。
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公开(公告)号：CN113962395A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111255570.1
申请日：2021-10-27
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本申请公开了一种稀释制冷机温度调节系统及方法，包括：资源接口，用于获得稀释制冷机的传感器检测到的与量子计算机温度相关的参数信息，并将获得的参数信息发送至控制器；控制器，用于获得参数信息，通过硬件设备管理模块对所述参数信息进行分析，确定参数信息是否满足预设阈值条件，在参数信息不满足预设阈值条件时，生成控制指令，控制用于调节量子计算机环境温度的阀门的通断；管控接口，用于输出参数信息，从而实现自动对量子计算机所处环境温度的调控，无需在稀释制冷机升温或降温的过程中操作员实时调控，提高了用户体验及升温降温调控的精确度。
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公开(公告)号：CN118036763A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410055215.7
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明涉及超导量子计算技术领域，特别涉及一种超导量子芯片扩展方法、系统及大规模超导量子芯片，依据模块化芯片架构需求确定待扩展超导量子芯片的类型及数量；基于待扩展超导量子芯片并以二维阵列形式组建待互连的上层模块化单芯片结构；依据上层模块化单芯片结构设置下层载体芯片引脚电路及边缘量子比特耦合线分布，基于下层载体芯片并通过超导焊柱及比特耦合对上层模块化单芯片结构中超导量子芯片的量子比特进行扩展互联，以获取大规模超导量子芯片。本发明在保证单芯片性能的同时，能够减少适用于大规模扩展超导量子芯片新结构的研发时间和成本，可适用于任何类型和任意规模的平面超导量子芯片的扩展，在超导量子计算领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115965087A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211292835.X
申请日：2022-10-21
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
Abstract: 本发明属于超导量子计算技术领域，特别涉及一种超导量子比特自电容小型化设计方法及超导量子比特自电容，将电容宽度作为电容小型化衡量标准，并设置电容基本参数为恒定数值，设置电容形状为调整优化参数；借助第三方仿真软件来获取当前形状下电容性能参数，其中，性能参数至少包含：近似电容值、相干时间长度及电场分布，并依据性能参数选定电容形状下一步优化方向；依据电容优化前后的性能参数，筛选出相干时间最优且电场分布最佳的电容形状，并通过比较筛选出的电容形状与平行板电容之间尺寸差来衡量小型化效果。本发明在保持超导量子比特相干时间的同时，能够实现对自电容的小型化设计，以满足当前超导量子比特芯片集成中的应用。
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公开(公告)号：CN115034169A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210703919.1
申请日：2022-06-21
Applicant: 中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
IPC: G06F30/39
Abstract: 本发明涉及基于量子门线路模型的超导量子芯片EDA架构，方法包括将算法门线路模型转化为实现预设算法的量子芯片物理拓扑结构；使用所述量子芯片物理拓扑结构映射出量子比特的等效电路；对所述等效电路进行优化，添加量子参数，生成具有量子参数的等效电路，所述量子参数包括量子比特的工作频率，非谐性、约瑟夫森结常温电阻值；通过量子芯片物理拓扑结构以及具有量子参数的等效电路，生成GDS版图。本发明实现了针对运行某个特定算法，设计硬件载体量子芯片的目的，从算法门线路模型到实际物理版图，完成自动化生成，解决了设计时电路复杂的问题。
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