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公开(公告)号：CN116448284A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310112753.0
申请日：2023-02-14
申请人： 中国农业大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
摘要： 本发明涉及接触压力传感器技术领域，尤其涉及基于永磁性多孔弹性体的柔性感知系统及其制作方法。本发明提供的柔性感知系统包括从上到下依次设置的低弹性模量的硅橡胶与钕铁硼颗粒混合体的永磁性多孔弹性膜、硅胶过渡层、PLA打印壳体、焊有霍尔传感器的柔性电路板(FPC)。本发明传感层为使用牺牲模板法制备的永磁性多孔薄膜，具有弹性模量低、可拉伸和孔隙均匀等优点，微小作用力即可造成多孔薄膜结构变形，进而引起磁场明显变化。本发明克服了传统永磁性柔性传感器灵敏度较低、准确度低、结构复杂等缺点，具有灵敏度高、响应速度快、耐用性强、可阵列集成和易于制作等特点。
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公开(公告)号：CN115371731A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210987947.0
申请日：2022-08-17
申请人： 中国电力科学研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 中国科学院理化技术研究所 , 中国农业大学 , 国网北京市电力公司
摘要： 本发明属于传感器领域，公开了一种多参数传感器、多参数传感器信号解耦方法及解耦装置，包括：获取多参数传感器的电学信号；根据多参数传感器的电学信号，从预设的若干标定信号中，选取与多参数传感器的电学信号最相似的n个标定信号；根据选取的n个标定信号，得到多参数传感器的物理信号。基于查表法的基本原理，首先根据未知工况下的电学信号，选择与未知工况相相似的标定工况，然后依据多种物理信号同时施加时多参数传感器相应地输出唯一一组电学信号的传感特性，以这些最相似的n个标定信号为基础，实现多参数传感器的电学信号的解耦，能够有效提升多参数传感器对复杂物理信号的解耦测量精度，并扩展多参数传感器的工作范围。
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公开(公告)号：CN118804490A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202310395931.5
申请日：2023-04-13
申请人： 中国农业大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明提供的液态金属柔性电路制备系统及方法，包括：由打印料筒、打印喷头、打印平台构成的打印单元；由液态金属注射器、分散溶剂注射器、超声波发生器和超声池构成的供液单元；向打印料筒中施加压力，以将液态金属墨水挤压至打印喷头；供电单元在打印喷头与打印平台之间形成一电场；在该电场内，打印喷头处的液态金属墨水的液滴表面的正电荷聚集增多形成泰勒锥；泰勒锥锥尖会产生比喷嘴内径小1‑2数量级的锥射流，用于制备液态金属电路。本发明通过将EHD打印与液态金属柔性电路制备相结合，在打印喷头与打印平台之间形成电场，用于控制液态金属墨水从打印喷头中流出的形态，实现高精度、高纵横比、稳定地制备液态金属柔性电路。
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公开(公告)号：CN115435912A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210989445.1
申请日：2022-08-17
申请人： 中国农业大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
摘要： 本发明涉及柔性传感技术领域，具体涉及一种柔性温度传感器及其制备方法。本发明提供的柔性温度传感器包括：基底膜；传感材料电极，所述传感材料电极嵌入在所述基底膜中；以及封装层；所述传感电极材料为银镓合金。本发明提供的柔性温度传感器的传感电极几乎完全嵌入在基底膜内，能够更好地与基底紧密结合，提升柔性传感器的机械性能和测量稳定性。同时该嵌入基底式柔性温度传感器结构简单，能够实现低成本地大面积制备。
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公开(公告)号：CN218916584U
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202222168820.4
申请日：2022-08-17
申请人： 中国农业大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
摘要： 本实用新型涉及柔性传感技术领域，具体涉及一种柔性温度传感器。本实用新型提供的柔性温度传感器包括：基底膜；传感材料电极，所述传感材料电极嵌入在所述基底膜中；以及封装层；所述传感电极材料为银镓合金。本实用新型提供的柔性温度传感器的传感电极几乎完全嵌入在基底膜内，能够更好地与基底紧密结合，提升柔性传感器的机械性能和测量稳定性。同时该嵌入基底式柔性温度传感器结构简单，能够实现低成本地大面积制备。
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公开(公告)号：CN117713822A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311843706.X
申请日：2023-12-28
申请人： 中国电力科学研究院有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03M1/06
摘要： 本发明涉及电子电路技术领域，公开了一种分段冗余电容阵列包括：桥接电容C8、MSB电容阵列和LSB电容阵列；所述MSB电容阵列与LSB电容阵列均包括多个并联的电容，所述MSB电容阵列与LSB电容阵列通过桥接电容C8连接，用于全电容阵列分段冗余。主要是应用于模数转换器的10bit分段冗余电容阵列。分段冗余电容阵列减少了所需电容的数量，同时提高了转换过程中对误判的容忍能力，减小了转换误差，提高了精度。
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公开(公告)号：CN117713703A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311843102.5
申请日：2023-12-28
申请人： 中国电力科学研究院有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H03F1/26
摘要： 本发明涉及电子电路技术领域，公开了一种抗电磁干扰的电容型传感器转换电路及方法，所述转换电路包括：电容阵列和运算放大器；所述电容阵列与运算放大器的输入端连接，用于输入浮动电压；所述运算放大器包括反相器和电源电容；反相器和电源电容连接，电源电容用于所述浮动电压进行滤波，所述反相器用于将滤波后的浮动电压进行放大处理。本发明使用反相器和电源电容替代传统放大器，使放大器无需直流偏置，且供电电压浮动，来提高电路的抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号：CN117677264A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311525473.9
申请日：2023-11-16
申请人： 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要： 本发明的主要目的在于提供一种p型Bi2Te3基材料中位错阵列的调控方法，包括如下步骤：将p型Bi2Te3基粉体材料与低熔点第二相粉体混合均匀，然后在真空条件下，进行加压烧结，得到具有位错阵列的p型Bi2Te3基材料。本发明通过向p型Bi2Te3基粉体材料中加入少量低熔点第二相粉体，在烧结过程中，第二相形成液相并不断在晶界部位析出，并促进在所得p型Bi2Te3基材料中形成位错阵列。本发明所得多晶p型Bi2Te3基材料中的位错呈高密度状态的阵列分布，具有高的织构和低的晶格热导率，同时由于位错的规律分布，可兼具优异的力学性能，可为p型Bi2Te3基材料热电性能和力学性能的协同优化提供一种新思路。
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公开(公告)号：CN115420309A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211064576.5
申请日：2022-08-31
申请人： 中国电力科学研究院有限公司 , 中国科学院微电子研究所 , 国网北京市电力公司 , 国家电网有限公司
摘要： 本发明公开了一种传感器、用于传感器的抗电磁干扰接口电路及工作方法，抗电磁干扰接口电路包括：用于采集传感器电容Csen的电荷变化信号并发送至运算放大电路的信号采集电路；运算放大器OA1、运算放大器OA2和运算放大器OA3，运算放大器OA1、运算放大器OA2的正、反输入分别通过一个具备辅助偏置差分管结构的输入电路结构与信号采集电路的输出连接，接收采集传感器电容Csen的电荷变化信号；运算放大器OA1、运算放大器OA2输出分别连接运算放大器OA3的正、反输入。辅助偏置差分管通过控制输入差分管的体电位来辅助OA1和OA2的直流偏置，提高了电路直流工作点的稳定性，降低了电磁干扰对电路造成的偏置影响。
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公开(公告)号：CN117677265A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311525476.2
申请日：2023-11-16
申请人： 武汉理工大学 , 中国电力科学研究院有限公司 , 国网北京市电力公司
IPC分类号： H10N10/01 , H10N10/852 , H10N10/853
摘要： 本发明公开了一种具有层错阵列结构的n型Bi2Te3基材料的制备方法，包括如下步骤：将n型Bi2Te3基粉体材料与Ag基化合物助剂混合均匀，然后在真空条件下进行加压烧结。本发明向n型Bi2Te3基材料中引入Ag基化合物助剂，通过助剂分解并进入层间诱导产生层错，烧结后形成的层错呈高密度状态阵列分布，可有效散射中频声子，优化材料的热电性能；同时形成的层错阵列可导致较高的极限剪切强度，提升其力学性能；可为n型Bi2Te3基材料的结构设计及性能调控提供一种新思路。
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