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公开(公告)号：CN117810313A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311812097.1
申请日：2023-12-26
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本申请提供了一种太阳电池的制备方法、太阳电池和光伏设备，该制备方法包括：在基底上下表面分别形成第一硅层和第二硅层，利用预设光束对第一硅层中的N型掺杂硅层和第二硅层中的P型掺杂硅层进行扰动重构，之后在N型掺杂硅层和P型掺杂硅层的表面依次形成第一导电层、第一电极，在P型掺杂硅层的表面依次形成第二导电层、第二电极。由此可见，该制备方法对N型掺杂硅层和P型掺杂硅层进行光改性处理，促使N型掺杂硅层和P型掺杂硅层发生结构重构，能够有效提高N型掺杂硅层和P型掺杂硅层掺杂效率，进而提高载流子浓度，以有助于提高SHJ电池的光电转换效率，进而有助于SHJ电池的大批量生产和产业化推广。
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公开(公告)号：CN117766614A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311797363.8
申请日：2023-12-25
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法，所述硅异质结太阳能电池在N型非晶硅薄膜和第一TCO薄膜之间设置了一层TiNxOy薄膜，所述TiNxOy薄膜是一种高导电率N型材料，具有较高的电子浓度，可以作为硅异质结太阳能电池中电子选择层；并且所述TiNxOy薄膜具有较低的功函数，可以与第一TCO薄膜可以形成良好的欧姆接触，从而降低N型非晶硅薄膜与第一TCO薄膜之间的接触电阻，进而提升硅异质结太阳能电池的填充因子。
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公开(公告)号：CN117747007A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311797868.4
申请日：2023-12-25
摘要： 本发明提供了一种计算SiNx原子浓度的方法，通过光学测试获得其在带间跃迁段的光学常数，并通过特定的物理规律进一步分析计算这些光学常数，从而获得SiNx薄膜的原子浓度及配位数。该计算SiNx原子浓度的方法可以表征不同条件制备的多层SiNx薄膜的原子浓度及配位数，从而获得适合器件需要的SiNx薄膜。对于进一步利用SiNx薄膜制备各种器件，包括在硅基太阳电池上应用，具有突出的意义。
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公开(公告)号：CN117613126A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311709038.1
申请日：2023-12-13
IPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/18 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供了一种叠层太阳电池及其制备方法，该叠层太阳电池包括：在第一方向上叠层设置的底电池、中间层和顶电池；其中，所述中间层包括在第一方向上依次叠层设置的宽带隙硅基薄膜和窄带隙硅基薄膜。该叠层太阳电池的中间层采用宽带隙硅基薄膜和窄带隙硅基薄膜周期性制备而成，具有极强的导电能力，并且通过调整宽带隙硅基薄膜和窄带隙硅基薄膜的厚度和折射率等参数即可具有对光选择性反射和透过的作用。
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公开(公告)号：CN117637869A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311671875.X
申请日：2023-12-06
摘要： 本发明提供了一种切片晶硅异质结太阳电池的截面钝化方法，形成的截面钝化膜结构包括氧化铝薄膜和氮化硅薄膜，氧化铝薄膜在沉积过程中负电荷恰好处在氧化铝和硅晶表面生成的氧化硅界面的交界处，且负电荷密度高，可确保产生高效的场钝化效果；氧化铝的化学钝化效果也非常好，饱和了晶体硅表面的悬空键，降低了界面态密度。之后制备的氮化硅薄膜作为钝化层的最佳选择之一，也可以实现对氧化铝薄膜的保护，该钝化膜结构中起主导作用的是氧化铝薄膜，显然这一截面钝化方法可以使切片晶硅异质结太阳电池的截面具有更好的钝化效果，进而使切片晶硅异质结太阳电池具有更优异的光伏性能。
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公开(公告)号：CN117602635A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311659771.7
申请日：2023-12-05
IPC分类号： C01B33/18 , B82Y40/00 , H01L31/0216
摘要： 本发明提供了一种二氧化硅纳米颗粒及异质结太阳电池的制备方法，该二氧化硅纳米颗粒的制备方法以有机胺作为催化剂和模板剂，以正硅酸四乙酯为前驱体，在硅源前驱体加入至目标溶液后通过温度控制，使得有机胺的溶剂乙醇蒸发，有机胺催化剂难以与反应物接触，从而大大抑制了正硅酸四乙酯的水解，故而可以得到二维网状二氧化硅纳米结构。将含有该二维网状二氧化硅纳米结构的液体涂在异质结太阳电池上可以表现出明显的疏水性和减反射性能。且该二氧化硅纳米颗粒的制备方法反应时间短，制备工艺简单，大大节省了制备成本。
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公开(公告)号：CN118588786A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411070109.2
申请日：2024-08-06
IPC分类号： H01L31/048 , H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种光伏组件及其制备方法，该光伏组件包括：基板结构，包括第一基板和第二基板；光伏电池，位于第一基板和第二基板之间；真空结构，部分位于光伏电池和第一基板之间，另一部分位于光伏电池和第二基板之间。通过在光伏电池和基板结构之间形成真空结构，使得光伏电池有部分未与其他光伏组件中的结构接触，进而在对光伏电池进行回收时，可以更容易的将光伏电池从光伏组件中剥离，解决了相关技术中的对废旧光伏组件回收难度较大的问题。
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公开(公告)号：CN118263344A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410570985.5
申请日：2024-05-09
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法，该电池包括：包括：衬底；电子传输层，位于衬底的一侧，电子传输层的材料包含助催化剂，助催化剂用于催化电子传输层进行光电转换；空穴传输层，位于衬底背离电子传输层的一侧。由于上述电子传输层中包含助催化剂，助催化剂用于催化电子传输层进行光电转换，从而通过上述电子传输层中的助催化剂可以有效促进太阳能电池的光电转换，从而提高了其对太阳光的光子能量的利用效率，减少了电子在传输过程中的损失，进而提高了太阳电池的短路电流密度。
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公开(公告)号：CN118658919A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410695075.X
申请日：2024-05-31
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0376 , H01L31/0352 , H01L31/20
摘要： 本申请提出一种背接触异质结电池及其制作方法，其中，背接触异质结电池包括：衬底，衬底具有相对的向光面和背光面；依次设置于向光面的隧穿氧化层和多晶硅层；依次设置于背光面的隧穿氧化层、多晶硅层和非晶硅发射极层，非晶硅发射极层中包括第一发射极，第一发射极为非晶硅发射极；其中，衬底和多晶硅层的导电类型为第一导电类型，第一发射极的导电类型为第二导电类型。通过在背光面侧的多晶硅层上沉积非晶硅发射极层，可以实现TOPCon技术和HJT技术的结合，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN118173663A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410464422.8
申请日：2024-04-17
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/0747
摘要： 本申请提供了一种太阳能电池的制备方法及其制备设备，该制备方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面；将衬底置于第一臭氧环境中，使第一臭氧环境中的臭氧与衬底的外表面反应，以在外表面形成第一隔离层，得到第一基体；形成至少位于第一基体靠近第一表面一侧的第一类型掺杂层；形成至少位于第一基体靠近第二表面一侧的第二类型掺杂层，第一类型掺杂层和第二类型掺杂层分别选自N型掺杂半导体层和P型掺杂半导体层；第一隔离层将衬底与第一类型掺杂层进行了隔离，将衬底与第二类型掺杂层进行了隔离，有效避免了太阳能电池内部产生短路回路，进而导致的太阳能电池的并联电阻降低的风险。
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