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公开(公告)号：CN116855083A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310688505.0
申请日：2023-06-12
Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 , 许继电气股份有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 谢桂泉 , 赖桂森 , 方苏 , 郭卫明 , 陈潜 , 徐晟 , 孙勇 , 周翔胜 , 苏杰和 , 李自浩 , 何海欢 , 焦石 , 杨洋 , 王晨涛 , 陶敏 , 吴臣钊 , 周竞宇 , 韩坤 , 刘堃 , 肖晋 , 邵珠柯 , 黄永瑞 , 张磊 , 王国卫 , 高山城 , 罗浩诚
IPC: C08L83/04 , C08L83/07 , C08L87/00 , C08L83/05 , C08K9/02 , C08K3/22 , C08K9/06 , C08K5/5425 , C08K9/12
Abstract: 本发明涉及橡胶领域，具体是一种晶闸管用高导热硅橡胶及其制备工艺，合成含硅氢基、环氧基和烷氧基的增粘剂；以1,3,5‑苯三甲酸为配体合成多孔、多反应位点的金属钴基有机骨架，将具有高度热稳定性、化学稳定性和耐辐射性的二茂铁吸附在金属钴基有机骨架中；在氮气气氛下热解乙二胺四乙酸铁钠，合成均匀嵌入三氧化二铁颗粒的氮掺杂碳骨架材料，将其表面羟基化，与复合金属基有机骨架杂化生成新型杂化物；用1,3‑双(3‑氨基丙基)四甲基二硅氧烷修饰复合填料，使导热填料在硅橡胶基体中呈现取向排列，从而在硅橡胶中构建有序连通的多维导电网络，达到低量添加高导热的效果，同时提高硅橡胶的力学强度、阻燃性及抗静电性。
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公开(公告)号：CN116718887B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202310709417.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 , 许继电气股份有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 任城林 , 胡雨龙 , 谢桂泉 , 方苏 , 赖桂森 , 郭卫明 , 陈潜 , 周跃宾 , 韩坤 , 刘堃 , 肖晋 , 邵珠柯 , 黄永瑞 , 张磊 , 王国卫 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 罗浩诚
Abstract: 本发明涉及晶闸管检测技术领域，具体为一种具有多环境模拟功能的半导体晶闸管导电检测设备，所述半导体晶闸管导电检测设备包括机身、上料输送带和下料输送带，所述上料输送带和下料输送带相对水平设置在机身的两端，本发明相比于目前的半导体晶闸管导电检测设备设置有分隔机构和模拟座，当分隔机构将密封箱内部环境与外界环境分隔开后，通过模拟座内部设置的模拟组件能够改变密封箱内的环境，例如将密封箱内的环境从室温环境变为真空环境、干燥环境、潮湿环境、高温环境和低温环境等，通过分隔机构和模拟组件的配合使得工作人员能够判断出半导体晶闸管在不同环境下的导电性能，以此方便后续对半导体晶闸管的参数进行标定。
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公开(公告)号：CN116718887A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310709417.4
申请日：2023-06-15
Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 , 许继电气股份有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 任城林 , 胡雨龙 , 谢桂泉 , 方苏 , 赖桂森 , 郭卫明 , 陈潜 , 周跃宾 , 韩坤 , 刘堃 , 肖晋 , 邵珠柯 , 黄永瑞 , 张磊 , 王国卫 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 罗浩诚
Abstract: 本发明涉及晶闸管检测技术领域，具体为一种具有多环境模拟功能的半导体晶闸管导电检测设备，所述半导体晶闸管导电检测设备包括机身、上料输送带和下料输送带，所述上料输送带和下料输送带相对水平设置在机身的两端，本发明相比于目前的半导体晶闸管导电检测设备设置有分隔机构和模拟座，当分隔机构将密封箱内部环境与外界环境分隔开后，通过模拟座内部设置的模拟组件能够改变密封箱内的环境，例如将密封箱内的环境从室温环境变为真空环境、干燥环境、潮湿环境、高温环境和低温环境等，通过分隔机构和模拟组件的配合使得工作人员能够判断出半导体晶闸管在不同环境下的导电性能，以此方便后续对半导体晶闸管的参数进行标定。
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公开(公告)号：CN116855083B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202310688505.0
申请日：2023-06-12
Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 , 许继电气股份有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 谢桂泉 , 赖桂森 , 方苏 , 郭卫明 , 陈潜 , 徐晟 , 孙勇 , 周翔胜 , 苏杰和 , 李自浩 , 何海欢 , 焦石 , 杨洋 , 王晨涛 , 陶敏 , 吴臣钊 , 周竞宇 , 韩坤 , 刘堃 , 肖晋 , 邵珠柯 , 黄永瑞 , 张磊 , 王国卫 , 高山城 , 罗浩诚
IPC: C08L83/04 , C08L83/07 , C08L87/00 , C08L83/05 , C08K9/02 , C08K3/22 , C08K9/06 , C08K5/5425 , C08K9/12
Abstract: 本发明涉及橡胶领域，具体是一种晶闸管用高导热硅橡胶及其制备工艺，合成含硅氢基、环氧基和烷氧基的增粘剂；以1,3,5‑苯三甲酸为配体合成多孔、多反应位点的金属钴基有机骨架，将具有高度热稳定性、化学稳定性和耐辐射性的二茂铁吸附在金属钴基有机骨架中；在氮气气氛下热解乙二胺四乙酸铁钠，合成均匀嵌入三氧化二铁颗粒的氮掺杂碳骨架材料，将其表面羟基化，与复合金属基有机骨架杂化生成新型杂化物；用1,3‑双(3‑氨基丙基)四甲基二硅氧烷修饰复合填料，使导热填料在硅橡胶基体中呈现取向排列，从而在硅橡胶中构建有序连通的多维导电网络，达到低量添加高导热的效果，同时提高硅橡胶的力学强度、阻燃性及抗静电性。
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公开(公告)号：CN118800650A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410925600.2
申请日：2024-07-11
Applicant: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司广州局 , 许继电气股份有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
Inventor： 赖桂森 , 谢桂泉 , 方苏 , 罗宇航 , 徐晟 , 王晨涛 , 苏国磊 , 张朝辉 , 苏杰和 , 凌永兴 , 焦石 , 龙建华 , 甘卿忠 , 庄小亮 , 刘宇航 , 黄永瑞 , 邵珠柯 , 张磊 , 王国卫 , 王映卓 , 李梦
IPC: H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种脉冲晶闸管铝金属电极的形成方法，包括如下步骤：在脉冲晶闸管阴极、门极处加工出厚度均匀的铝层；在铝层表面涂覆光刻胶膜后进行曝光显影，在铝层上形成具有预设形状的刻蚀窗口，刻蚀窗口位于门极与阴极之间的区域；使门极与阴极之间形成空间间隔区；去除剩余铝层表面的光刻胶膜，并在脉冲晶闸管表面再次涂覆光刻胶膜且曝光显影；采用干法刻蚀对门极刻蚀窗口内的铝层进行刻蚀；与现有技术相对比，本发明具有以下有益效果:通过本发明的脉冲晶闸管铝电极形成方法，既可以避免现有铝电极工艺中两次蒸铝造成的生产周期长、成本高的问题，又能解决门阴极高度差造成的钻蚀问题，提升脉冲晶闸管的di/dt性能和门‑阴极长期可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118472012A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410707484.7
申请日：2024-06-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司直流技术中心
Inventor： 张磊 , 徐玲铃 , 姚德贵 , 董曼玲 , 张国华 , 魏卓 , 鲁一苇 , 肖超 , 高晟辅 , 陈黄鹂 , 张刚琦 , 纪卫峰 , 刘亿铭 , 王国卫 , 刘峰 , 胡茜 , 梁旭辉
IPC: H01L29/06 , H01L29/745 , H01L29/747 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构及其制造方法，在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本发明还公开了上述GCT终端结构的制造方法，先预沉积铝，然后在终端区选择性挖槽，腐蚀掉部分高浓度铝杂质，最后进行高温扩散形成。本发明的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。
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公开(公告)号：CN114400254A
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN202210146872.3
申请日：2022-02-17
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L21/332
Abstract: 本发明提供了一种旁路晶闸管及其制造方法，从上往下依次设置有阴极侧铝层，阴极N+区，阴极P‑区，N‑基区，阳极P‑区，阳极P+区和阳极铝层。在阴极侧中心设有沟槽，其表面设有门极P+区，正对门极P+区下方设有凸出的波状型P‑基区，在正对波状P‑区的阳极侧表面设置有高浓度N+区。当本发明结构的门极施加触发信号后，晶闸管可以实现正向导通；当阳‑阴极超过反向击穿电压后，晶闸管能够实现精准电压击穿，且击穿位于中心门极处，具有防爆功能。本发明结构主要应用于柔性直流输电系统中，保护换流阀功率子模块安全运行。
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公开(公告)号：CN114759087A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210421370.7
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167
Abstract: 本发明提供了一种具强穿通的非对称快速晶闸管,从上往下依次设置有阴极AL层、阴极P区，N‑基区，阳极N缓冲层，阳极高浓度P+区和阳极AL层，在阴极AL层与阴极P区之间设有阴极高浓度N+区和P+区，本发明结构的N‑基区厚度比普通对称型快速晶闸管薄约20％～50％，片厚减薄的程度视应用要求的反向阻断电压值而定。因此，本发明大大降低器件的通态压降，提高di/dt能力，降低存储电荷，提高快速关断能力，在开通和关断特性之间实现良好折中。主要应用于大功率的中、高频感应加热电源领域。
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公开(公告)号：CN217522015U
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202220930011.X
申请日：2022-04-21
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/167
Abstract: 本实用新型提供了一种具强穿通的非对称快速晶闸管,从上往下依次设置有阴极AL层、阴极P区，N‑基区，阳极N缓冲层，阳极高浓度P+区和阳极AL层，在阴极AL层与阴极P区之间设有阴极高浓度N+区和P+区，本实用新型结构的N‑基区厚度比普通对称型快速晶闸管薄约20％～50％，片厚减薄的程度视应用要求的反向阻断电压值而定。因此，本实用新型大大降低器件的通态压降，提高di/dt能力，降低存储电荷，提高快速关断能力，在开通和关断特性之间实现良好折中。主要应用于大功率的中、高频感应加热电源领域。
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公开(公告)号：CN222638985U
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202421245665.4
申请日：2024-06-03
Applicant: 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司直流技术中心
Abstract: 本实用新型提供了一种逆阻型门极换流晶闸管RB‑GCT器件波状终端结构，包括在有源区，从上往下依次设置有阴极铝层和门极铝层、阴极N+区、阴极P区、阴极P‑区、N‑基区、阳极P‑区、阳极P+区和阳极铝层。在终端区，阳、阴极设置有钝化层、浅沟槽、终端P‑区及N‑基区。在终端边缘处设置有N型截止环。本实用新型的波状P区终端结构，正、反向阻断的终端电压效率比常规负斜角终端分别高了6.47％和5.26％，且阳、阴极终端与有源区同时形成，工艺简单，制造成本低，该波状P区终端结构广泛适用于深结类的电力半导体器件。
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