一种高密度中子吸收板的制备方法

    公开(公告)号:CN102560168A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201010602530.5

    申请日:2010-12-23

    Abstract: 本发明属于中子吸收板的制备方法,具体涉及一种高密度中子吸收板的制备方法。它包括下述步骤:步骤一:制备铝合金盒子;步骤二:装料;步骤三:真空烧结;步骤四:热轧,热轧包括小下压量的多道次轧制和大下压量的多道次轧制;步骤五:热轧退火;步骤六:冷轧;步骤七:冷轧退火,本步骤的退火温度为350℃-440℃,退火时间为30min-70min,到达预定时间后自然冷却到室温。本发明的优点是:本发明采用的方法流程简单,整个过程所需温度相对较低,不会产生界面反应,更不会产生Al4C3。而且本发明所制造出来的中子吸收板在板材的两面均包裹铝合金材料,因此耐磨强度大,更加适于乏燃料运输和贮存。

    高硼不锈钢构成的结构屏蔽一体化板材的制备方法

    公开(公告)号:CN105463293B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201510871717.8

    申请日:2015-12-02

    Abstract: 本发明公开的是高硼不锈钢构成的结构屏蔽一体化板材的制备方法,解决了目前粉末冶金制备高硼不锈钢的制造成本较高的问题。本发明包括以下步骤:(1)将高硼不锈钢合金粉末装入组合模具中通过冷等静压技术生成预制生坯;(2)将预制生坯放入烧结炉中,在真空或H2氛围下,经加热、升温、保温后烧结成烧结坯;(3)将烧结坯放入碳钢镜框中,再将带镜框的烧结坯放入高温炉中,经加热、升温、保温后锻制成厚板;(4)将厚板再次放入高温炉中,经加热、升温、保温后,热轧形成所需厚度的薄板;(5)去除薄板上的碳钢镜框,然后通过固溶处理和校直后获得板材成品。本发明具有工艺设备简单、成本相对较低,板材力学性能优异等优点。

    一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110698205B

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN201911133524.7

    申请日:2019-11-19

    Abstract: 一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(A)将碳化硅粉体、石墨烯粉体、烧结助剂和溶剂混合后粉碎以制备碳化硅浆料;(B)将碳化硅浆料干燥、粉碎后过筛,制备混合均匀的复合粉体;(C)将复合粉体装入模具中,施加单向压力以得到复合粉体压坯;(D)将装有复合粉体压坯的模具放入烧结炉中,在真空环境下炉温升至温度T1后,进行升温加压‑降温无压的循环烧结工艺以制备石墨烯增韧碳化硅陶瓷。本发明利用高温加压‑低温无压的真空循环烧结技术,有效地解决了现有技术中烧结温度高、致密化速度慢、致密度低的问题,在较低的温度下快速地获得致密度更高的石墨烯增韧碳化硅陶瓷。

    一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法

    公开(公告)号:CN110698205A

    公开(公告)日:2020-01-17

    申请号:CN201911133524.7

    申请日:2019-11-19

    Abstract: 一种石墨烯增韧碳化硅陶瓷的制备方法,包括以下步骤:(A)将碳化硅粉体、石墨烯粉体、烧结助剂和溶剂混合后粉碎以制备碳化硅浆料;(B)将碳化硅浆料干燥、粉碎后过筛,制备混合均匀的复合粉体;(C)将复合粉体装入模具中,施加单向压力以得到复合粉体压坯;(D)将装有复合粉体压坯的模具放入烧结炉中,在真空环境下炉温升至温度T1后,进行升温加压-降温无压的循环烧结工艺以制备石墨烯增韧碳化硅陶瓷。本发明利用高温加压-低温无压的真空循环烧结技术,有效地解决了现有技术中烧结温度高、致密化速度慢、致密度低的问题,在较低的温度下快速地获得致密度更高的石墨烯增韧碳化硅陶瓷。

Patent Agency Ranking