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公开(公告)号：CN119004856B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411465284.1
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G01R31/00 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种电迁移加速寿命试验评估方法和计算机设备，所述方法包括：确定多组加速寿命试验条件，所述加速寿命试验条件包括温度、电流密度、正反向电流时间占比；基于所确定的多组加速寿命试验条件实施互连结构的加速寿命试验，得到多组加速寿命试验条件下的寿命数据以及互连结构的温升数据；基于Black方程建立寿命预测模型；基于寿命数据分别拟合得到电流影响指数、激活能和损伤恢复系数；将得到的参数代入寿命预测模型，获得完整的寿命预测模型，基于完整的寿命预测模型对互连结构实际工作条件下的电迁移寿命进行预测。本发明能够解决现有的电迁移性能评价模式与实际应用不匹配的问题，有效支撑互连结构的筛选、鉴定以及可靠性评价等工作。
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公开(公告)号：CN119125830A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411612484.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种GaN器件近结区热阻测试方法和计算机设备，所述方法包括：采用与待测GaN器件相同的制作工艺制作第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括衬底层、AlN缓冲层、GaN层，第二测试结构包括衬底层；利用3ω法对第一测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到GaN器件的片内热阻；利用3ω法对第二测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到衬底层的体热阻；根据第一测试结构和第二测试结构的3ω法测试结果，计算得到GaN层的综合热导率，根据GaN层的综合热导率，计算得到GaN层的结构热阻；基于GaN器件的片内热阻、衬底层的体热阻、GaN层的结构热阻，计算AlN缓冲层的接触热阻。本发明能够高效地测试获取GaN器件近结区的不同材料层的热阻。
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公开(公告)号：CN119064768B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411570987.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种倒装芯片互连可靠性测试方法和计算机设备，所述方法针对需进行可靠性测试评估的倒装芯片制作测试芯片，测试芯片采用与实际芯片相同的封装工艺，通过多路独立的菊花链式焊点结构实现芯片与基板互连，通过芯片端和基板端内置测温元件实现焊点温度监测，通过芯片端和基板端内置加热元件实现焊点温度应力加载，通过外置电流应力加载实现芯片的温度控制以及互连焊点的电流加载进而可实现高温、功率循环、电迁移以及热迁移等可靠性测试。本发明能够有效解决传统方案中需搭载多套温度控制设备、需大量测试样品，热迁移测试过程中热梯度差难以量化评估，以及电迁移测试过程焊点实际温度高于温度控制设备设置的温度等问题。
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公开(公告)号：CN119085879B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411570985.1
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种反射率热成像测试精度提升方法和计算机设备，所述方法包括：预先设置待测试器件的电信号加载条件、测试时间、测试循环次数；使器件处于未加载电信号状态，并使器件的温度处于初始状态温度；通过外置电源为器件进行电信号加载；达到预先设置的测试时间时，采集器件待测试区域的光反射率，计算得到温度升高数据；使器件从加载电信号状态切换至未加载电信号状态，通过液冷系统对器件进行降温，外置同步风冷模块对器件待测试区域快速降温；通过待测试区域的光反射率测试对比，判断器件降低至初始温度后，再次启动器件进入下次测试，对每次测试的温度升高数据求均值，作为最终的温度升高数据。本发明能够提高反射率热成像测试的精度和效率。
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公开(公告)号：CN119085879A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411570985.1
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种反射率热成像测试精度提升方法和计算机设备，所述方法包括：预先设置待测试器件的电信号加载条件、测试时间、测试循环次数；使器件处于未加载电信号状态，并使器件的温度处于初始状态温度；通过外置电源为器件进行电信号加载；达到预先设置的测试时间时，采集器件待测试区域的光反射率，计算得到温度升高数据；使器件从加载电信号状态切换至未加载电信号状态，通过液冷系统对器件进行降温，外置同步风冷模块对器件待测试区域快速降温；通过待测试区域的光反射率测试对比，判断器件降低至初始温度后，再次启动器件进入下次测试，对每次测试的温度升高数据求均值，作为最终的温度升高数据。本发明能够提高反射率热成像测试的精度和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119064768A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411570987.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种倒装芯片互连可靠性测试方法和计算机设备，所述方法针对需进行可靠性测试评估的倒装芯片制作测试芯片，测试芯片采用与实际芯片相同的封装工艺，通过多路独立的菊花链式焊点结构实现芯片与基板互连，通过芯片端和基板端内置测温元件实现焊点温度监测，通过芯片端和基板端内置加热元件实现焊点温度应力加载，通过外置电流应力加载实现芯片的温度控制以及互连焊点的电流加载进而可实现高温、功率循环、电迁移以及热迁移等可靠性测试。本发明能够有效解决传统方案中需搭载多套温度控制设备、需大量测试样品，热迁移测试过程中热梯度差难以量化评估，以及电迁移测试过程焊点实际温度高于温度控制设备设置的温度等问题。
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公开(公告)号：CN118999824A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411464870.4
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种反射率热成像测试方法和计算机设备，所述方法采用连续波段光源为待测试器件的待测试区域提供入射光，通过热反射校准系数测试步骤获取不同波段光源下器件待测区域所有位置的热反射校准系数；通过反射率测试步骤获取不同波段光源下器件待测区域所有位置的反射率；通过数据处理步骤基于待测试器件所有位置的最大热反射校准系数，以及所有位置在热反射校准系数最大情况下对应波段光源下测试的反射率，计算获得待测试器件所有位置的温度数据，并将温度数据组合形成温度分布。本发明能够解决现有技术中存在的测试时间长、部分区域因材料对光源响应较差而导致温度测试结果出现极大偏离的问题，提高反射率热成像测试的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN118999824B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411464870.4
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明公开了一种反射率热成像测试方法和计算机设备，所述方法采用连续波段光源为待测试器件的待测试区域提供入射光，通过热反射校准系数测试步骤获取不同波段光源下器件待测区域所有位置的热反射校准系数；通过反射率测试步骤获取不同波段光源下器件待测区域所有位置的反射率；通过数据处理步骤基于待测试器件所有位置的最大热反射校准系数，以及所有位置在热反射校准系数最大情况下对应波段光源下测试的反射率，计算获得待测试器件所有位置的温度数据，并将温度数据组合形成温度分布。本发明能够解决现有技术中存在的测试时间长、部分区域因材料对光源响应较差而导致温度测试结果出现极大偏离的问题，提高反射率热成像测试的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN119125830B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411612484.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种GaN器件近结区热阻测试方法和计算机设备，所述方法包括：采用与待测GaN器件相同的制作工艺制作第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括衬底层、AlN缓冲层、GaN层，第二测试结构包括衬底层；利用3ω法对第一测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到GaN器件的片内热阻；利用3ω法对第二测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到衬底层的体热阻；根据第一测试结构和第二测试结构的3ω法测试结果，计算得到GaN层的综合热导率，根据GaN层的综合热导率，计算得到GaN层的结构热阻；基于GaN器件的片内热阻、衬底层的体热阻、GaN层的结构热阻，计算AlN缓冲层的接触热阻。本发明能够高效地测试获取GaN器件近结区的不同材料层的热阻。
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公开(公告)号：CN119355012A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411919062.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于平面X射线探测的缺陷定位方法和计算机设备，所述方法包括：将待测器件固定于平面X射线探测设备上，待测器件的长、宽、高分别对应于坐标系的X、Y、Z轴，利用平面X射线对待测器件进行一次探测成像，获取缺陷在X、Y轴方向上的一次位置坐标；使器件的长边一侧翘起一定角度，利用平面X射线对待测器件进行二次探测成像，获取缺陷在X、Y轴方向上的二次位置坐标；根据Y轴方向上的一次位置坐标和二次位置坐标以及器件翘起角度，计算得到缺陷在Z轴方向上的坐标。本发明采用平面X射线探测就能精准三维定位待测器件的内部缺陷，能够实现测试速度更快、经济成本更低的三维缺陷定位。
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