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公开(公告)号：CN119064768B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411570987.0
申请日：2024-11-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种倒装芯片互连可靠性测试方法和计算机设备，所述方法针对需进行可靠性测试评估的倒装芯片制作测试芯片，测试芯片采用与实际芯片相同的封装工艺，通过多路独立的菊花链式焊点结构实现芯片与基板互连，通过芯片端和基板端内置测温元件实现焊点温度监测，通过芯片端和基板端内置加热元件实现焊点温度应力加载，通过外置电流应力加载实现芯片的温度控制以及互连焊点的电流加载进而可实现高温、功率循环、电迁移以及热迁移等可靠性测试。本发明能够有效解决传统方案中需搭载多套温度控制设备、需大量测试样品，热迁移测试过程中热梯度差难以量化评估，以及电迁移测试过程焊点实际温度高于温度控制设备设置的温度等问题。
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公开(公告)号：CN113514492B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202110616270.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种测量界面热阻的方法和装置。包括：获取第一材料和第二材料的本征热阻、测量端和所述第一材料的接触热阻、所述测量端和所述第二材料的接触热阻，所述测量端包括热端和冷端；获取第一热阻和第二热阻；根据所述本征热阻、所述接触热阻、所述第一热阻和所述第二热阻，确定第一材料和第二材料之间的界面热阻。本公开测量结果准确可靠，并且，可以不需要在材料的内部开孔，不影响材料本身的性能；热电偶和热流计的均可安装于统一位置，如测量端，不会因测量材料的不同而改变位置。
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公开(公告)号：CN114678280A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210158796.8
申请日：2022-02-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: H01L21/48 , H01L23/473 , B01L3/00
Abstract: 本发明涉及一种芯片微流道制备方法。该芯片微流道制备方法，包括如下步骤：利用激光器在芯片内部按照预设路径内雕出损伤结构；利用氟化氢溶液刻蚀所述损伤结构，在所述芯片内形成沿所述预设路径布置的微流道。该方法能够直接在芯片内部加工微流道，有效避免需要两个芯片键合实现微流道闭合的问题，工艺简单，且不存在芯片键合界面，提高了微流道结构对冷却液的抗腐蚀能力，保证了芯片微流道的可靠性。
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公开(公告)号：CN114563675A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110428993.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本公开涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管结壳热阻测试方法，包括对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通电测试，获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的偏置电压；在所述偏置电压条件下，测试所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管源极和漏极之间的电压Vsd与温度数据，获得所述电压Vsd与温度的函数关系；结合所述函数关系，采用瞬态双界面法测试获取所述碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的降温时间数据；根据所述降温时间数据，计算获得碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的结壳热阻。本公开有助于消除MOSFET降温测试曲线单调性的影响，提高了SiC MOSFET热阻测量的精确度。
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公开(公告)号：CN114035013A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111215184.X
申请日：2021-10-19
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
Abstract: 本发明涉及一种缺陷诊断方法和缺陷诊断装置，缺陷诊断方法包括构建数据模型，数据模型包括已知缺陷信息和与已知缺陷信息对应的仿真特征参数；获取待测三维无源器件的特征参数；基于已知缺陷信息、仿真特征参数和待测三维无源器件的特征参数，获得待测三维无源器件的缺陷信息。通过数据模型构建模块构建数据模型，通过数据采集模块采集待测三维无源器件的特征参数，再搭配数据处理模块，获得待测三维无源器件的缺陷信息，可以同时诊断多缺陷和多故障；通过本发明的缺陷诊断方法和缺陷诊断装置，批量化诊断缺陷类型、缺陷尺寸和缺陷位置，解决复合缺陷检测与诊断的数据量大、操作困难问题，加快生产厂家的可靠性检测效率、检测精度和检测准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113670975A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110764063.4
申请日：2021-07-06
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N25/20
Abstract: 本申请涉及硅通孔技术领域，具体公开一种硅通孔复合结构的测试系统及测试方法。系统包括温度变化箱、真空箱、温度监控装置和观测装置，温度变化箱内部温度循环变化；真空箱设置于温度变化箱内，真空箱内用于放置硅通孔复合结构的待测样品；温度监控装置连接真空箱和温度变化箱，用于监测待测样品的温度变化范围，并控制温度变化箱调节内部温度的循环变化状态，以使待测样品的温度在目标温度变化范围内变化；观测装置用于当待测样品的温度在目标温度变化范围内循环变化时，对待测样品的界面状态进行观测。确保待测样品可以在目标温度变化范围内变化，提高测试的准确性。
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公开(公告)号：CN113030687A
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202110197136.6
申请日：2021-02-22
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/265
Abstract: 本发明涉及微纳器件测试技术领域，公开了一种性能测试方法，包括在不同的温度环境下对待测样品进行测试，获取待测样品的谐振频率温度系数；将待测样品固定于红外成像设备上，将红外成像设备加热至预设温度；向待测样品施加预设输入功率，使用红外成像设备对待测样品进行成像测试，获取待测样品在预设输入功率条件下的表面温度场信息；保持待测样品上施加的预设输入功率不变的情况下，测试获取待测样品的特征频率；根据谐振频率温度系数和特征频率，计算获取待测样品在预设输入功率条件下的等效温升。通过获取在预设功率负载下待测样品的表面温度场信息以及等效温升值，为相关产品的设计、可靠性评价及分析、失效机理建模等工作提供可靠的支撑。
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公开(公告)号：CN119125830B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411612484.5
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种GaN器件近结区热阻测试方法和计算机设备，所述方法包括：采用与待测GaN器件相同的制作工艺制作第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构包括衬底层、AlN缓冲层、GaN层，第二测试结构包括衬底层；利用3ω法对第一测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到GaN器件的片内热阻；利用3ω法对第二测试结构进行测试得到综合热导率，计算得到衬底层的体热阻；根据第一测试结构和第二测试结构的3ω法测试结果，计算得到GaN层的综合热导率，根据GaN层的综合热导率，计算得到GaN层的结构热阻；基于GaN器件的片内热阻、衬底层的体热阻、GaN层的结构热阻，计算AlN缓冲层的接触热阻。本发明能够高效地测试获取GaN器件近结区的不同材料层的热阻。
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公开(公告)号：CN119355012A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411919062.2
申请日：2024-12-25
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种基于平面X射线探测的缺陷定位方法和计算机设备，所述方法包括：将待测器件固定于平面X射线探测设备上，待测器件的长、宽、高分别对应于坐标系的X、Y、Z轴，利用平面X射线对待测器件进行一次探测成像，获取缺陷在X、Y轴方向上的一次位置坐标；使器件的长边一侧翘起一定角度，利用平面X射线对待测器件进行二次探测成像，获取缺陷在X、Y轴方向上的二次位置坐标；根据Y轴方向上的一次位置坐标和二次位置坐标以及器件翘起角度，计算得到缺陷在Z轴方向上的坐标。本发明采用平面X射线探测就能精准三维定位待测器件的内部缺陷，能够实现测试速度更快、经济成本更低的三维缺陷定位。
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公开(公告)号：CN119004856A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411465284.1
申请日：2024-10-21
Applicant: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
IPC: G06F30/20 , G06F17/11 , G01R31/00 , G06F119/02 , G06F119/04 , G06F119/12
Abstract: 本发明公开了一种电迁移加速寿命试验评估方法和计算机设备，所述方法包括：确定多组加速寿命试验条件，所述加速寿命试验条件包括温度、电流密度、正反向电流时间占比；基于所确定的多组加速寿命试验条件实施互连结构的加速寿命试验，得到多组加速寿命试验条件下的寿命数据以及互连结构的温升数据；基于Black方程建立寿命预测模型；基于寿命数据分别拟合得到电流影响指数、激活能和损伤恢复系数；将得到的参数代入寿命预测模型，获得完整的寿命预测模型，基于完整的寿命预测模型对互连结构实际工作条件下的电迁移寿命进行预测。本发明能够解决现有的电迁移性能评价模式与实际应用不匹配的问题，有效支撑互连结构的筛选、鉴定以及可靠性评价等工作。
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