公开(公告)号：CN105762019A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610148997.4

申请日：2016-03-16

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  陈雨 ,  庄治学 ,  唐小平 ,  周拥华 ,  李朝 ,  刘志斌 ,  李可 ,  龚孟磊 ,  刘颖 ,  何超 ,  邢伯仑

IPC分类号： H01H49/00

CPC分类号： H01H49/00

摘要： 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法，主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制作、牺牲层制作、薄膜微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关，具有插入损耗和驱动电压较低、成品率和隔离度较高等特性，加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。

公开(公告)号：CN104195556A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410474471.6

申请日：2014-09-17

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  刘晓兰 ,  徐亚新 ,  梁广华 ,  朱二涛 ,  严英占 ,  唐小平 ,  杨宗亮 ,  王康 ,  刘志斌 ,  周拥华 ,  李朝 ,  刘颖

IPC分类号： C23F1/28

摘要： 本发明公开了薄膜电路基板制造中的一种湿法刻镍溶液，包含三氯化铁、弱酸、过氧化物促进剂和去离子水。采用本发明的刻镍溶液，刻镍侧腐蚀较小，溶液对薄膜陶瓷基板、LTCC基板、石英基板和硅基板等无刻蚀现象，对钛钨膜层、金膜层等几乎无影响。

公开(公告)号：CN105762019B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610148997.4

申请日：2016-03-16

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  陈雨 ,  庄治学 ,  唐小平 ,  周拥华 ,  李朝 ,  刘志斌 ,  李可 ,  龚孟磊 ,  刘颖 ,  何超 ,  邢伯仑

IPC分类号： H01H49/00

摘要： 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法，主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制作、牺牲层制作、薄膜微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关，具有插入损耗和驱动电压较低、成品率和隔离度较高等特性，加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。