公开(公告)号：CN111128902A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911390244.4

申请日：2019-12-30

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 庄治学 ,  刘晓兰 ,  党元兰 ,  陈雨 ,  徐亚新 ,  梁广华 ,  严英占 ,  卢会湘 ,  唐小平

IPC分类号： H01L23/29 ,  H01L23/15 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

摘要： 本发明公开了一种LTCC基板腔体临时填充混合胶及填充方法，属于LTCC基板表面薄膜工艺技术领域。该混合胶由无机颗和光刻胶混合而成，该混合方法主要包括混合胶的制备、混合胶的填充、混合胶的固化等步骤。本发明将无机颗粒掺杂在有机光刻胶中，通过点胶方式将混合胶填充到腔体中，并烘烤完成临时填充。采用本发明混合胶及填充方法填充的腔体嵌件具有体积变化小，物理特性稳定，工艺兼容性好，加工完成后易去除等特点。

公开(公告)号：CN108169841A

公开(公告)日：2018-06-15

申请号：CN201711459228.7

申请日：2017-12-28

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 肖垣明 ,  赵飞 ,  党元兰 ,  陈雨 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  徐亚新 ,  庄治学 ,  张莹 ,  卢立东

IPC分类号： G02B6/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

摘要： 本发明公开了一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法，涉及光传输结构及制造技术领域。其通过一种特殊设计的掩模版实现对光刻过程的透光量的控制，当紫外光穿过掩模版时，不同透光量位置处的光刻深度不同，从而形成一个坡面结构，同时，相邻的两个微型透光区域之间会形成光的衍射，因此，光刻出的坡面并非是一个凹凸不平的阶梯面，而是一个平滑的反射面。这种利用掩模版通过光刻形成反射面的方式简单易行，且该种掩模版也具有结构简单、成本低廉、易于制备的特点，可见本发明方法极大地简化了光波导反射面的制备过程，降低了反射面的制备成本，具有极强的可推广性，相对于现有技术是一种重要进步。

公开(公告)号：CN110329988A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910643502.9

申请日：2019-07-17

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 徐亚新 ,  梁广华 ,  赵飞 ,  庄治学 ,  魏浩 ,  陈雨 ,  龚孟磊

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明公开了一种RF-MEMS开关复合牺牲层制备方法，属于RF-MEMS器件制造技术领域。该方法包括平坦化填充、金属牺牲层溅射刻蚀、光刻胶牺牲层制备等步骤。采用本发明方法，可以提高MEMS开关梁的平整性，实现10nm~500nm低触点间距开关梁的制备，从而提高MEMS开关的可靠性，降低MEMS开关驱动电压。

公开(公告)号：CN105390403B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201510669853.9

申请日：2015-10-13

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  梁广华 ,  刘晓兰 ,  陈雨 ,  庄志学 ,  李攀峰

IPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明公开了LTCC厚薄膜混合基板制造领域中的一种基板腔体填充方法—UV膜腔体填充法，包括UV膜厚度、热切成型所用的UV膜载体材料、UV膜外形尺寸、多层UV总厚度与腔体高度差等。采用本发明的技术方案，其工艺简单易行、基板腔体填充效果好。

公开(公告)号：CN105762019A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610148997.4

申请日：2016-03-16

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  陈雨 ,  庄治学 ,  唐小平 ,  周拥华 ,  李朝 ,  刘志斌 ,  李可 ,  龚孟磊 ,  刘颖 ,  何超 ,  邢伯仑

IPC分类号： H01H49/00

CPC分类号： H01H49/00

摘要： 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法，主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制作、牺牲层制作、薄膜微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关，具有插入损耗和驱动电压较低、成品率和隔离度较高等特性，加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。

公开(公告)号：CN108100990B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201711391848.1

申请日：2017-12-21

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 陈雨 ,  党元兰 ,  刘晓兰 ,  庄治学 ,  梁广华 ,  徐亚新

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 本发明公开了RF MEMS器件制造领域的一种三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备方法，主要包括下层光刻胶的制备、生长阻挡层、上层光刻胶的制备、Cu层的刻蚀和热处理5个步骤。此方法通过Cu阻挡层的引入，避免了两层光刻胶之间互溶的问题，制备的牺牲层具有释放简单、凸点高度控制精准、设备依赖度低、可制作复杂图形等特点。

公开(公告)号：CN108169841B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201711459228.7

申请日：2017-12-28

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 肖垣明 ,  赵飞 ,  党元兰 ,  陈雨 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  徐亚新 ,  庄治学 ,  张莹 ,  卢立东

IPC分类号： G02B6/00 ,  G03F1/00 ,  G03F7/20

摘要： 本发明公开了一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法，涉及光传输结构及制造技术领域。其通过一种特殊设计的掩模版实现对光刻过程的透光量的控制，当紫外光穿过掩模版时，不同透光量位置处的光刻深度不同，从而形成一个坡面结构，同时，相邻的两个微型透光区域之间会形成光的衍射，因此，光刻出的坡面并非是一个凹凸不平的阶梯面，而是一个平滑的反射面。这种利用掩模版通过光刻形成反射面的方式简单易行，且该种掩模版也具有结构简单、成本低廉、易于制备的特点，可见本发明方法极大地简化了光波导反射面的制备过程，降低了反射面的制备成本，具有极强的可推广性，相对于现有技术是一种重要进步。

公开(公告)号：CN108100990A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711391848.1

申请日：2017-12-21

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 陈雨 ,  党元兰 ,  刘晓兰 ,  庄治学 ,  梁广华 ,  徐亚新

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00388 ,  B81C1/00349

摘要： 本发明公开了RF MEMS器件制造领域的一种三明治夹心型光刻胶牺牲层的制备方法，主要包括下层光刻胶的制备、生长阻挡层、上层光刻胶的制备、Cu层的刻蚀和热处理5个步骤。此方法通过Cu阻挡层的引入，避免了两层光刻胶之间互溶的问题，制备的牺牲层具有释放简单、凸点高度控制精准、设备依赖度低、可制作复杂图形等特点。

公开(公告)号：CN105762019B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610148997.4

申请日：2016-03-16

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  陈雨 ,  庄治学 ,  唐小平 ,  周拥华 ,  李朝 ,  刘志斌 ,  李可 ,  龚孟磊 ,  刘颖 ,  何超 ,  邢伯仑

IPC分类号： H01H49/00

摘要： 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法，主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制作、牺牲层制作、薄膜微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关，具有插入损耗和驱动电压较低、成品率和隔离度较高等特性，加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。

公开(公告)号：CN105390403A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510669853.9

申请日：2015-10-13

申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所

发明人： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  梁广华 ,  刘晓兰 ,  陈雨 ,  庄志学 ,  李攀峰

IPC分类号： H01L21/48

CPC分类号： H01L21/48

摘要： 本发明公开了LTCC厚薄膜混合基板制造领域中的一种基板腔体填充方法—UV膜腔体填充法，包括UV膜厚度、热切成型所用的UV膜载体材料、UV膜外形尺寸、多层UV总厚度与腔体高度差等。采用本发明的技术方案，其工艺简单易行、基板腔体填充效果好。