公开(公告)号：CN113104806B

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202110262903.7

申请日：2021-03-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 徐亚新 ,  赵飞 ,  梁广华 ,  刘晓兰 ,  庄治学 ,  龚孟磊

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了MEMS制造领域的一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法，主要包括底部图形平坦化、多层金属复合及图形化等步骤。采用本发明的技术方案，可以实现极低间隙的牺牲层和触点制备，并且控制精度高、触点底部形貌好，从而提高MEMS器件的工艺一致性和成品率。

公开(公告)号：CN113104806A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110262903.7

申请日：2021-03-11

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 徐亚新 ,  赵飞 ,  梁广华 ,  刘晓兰 ,  庄治学 ,  龚孟磊

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了MEMS制造领域的一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法，主要包括底部图形平坦化、多层金属复合及图形化等步骤。采用本发明的技术方案，可以实现极低间隙的牺牲层和触点制备，并且控制精度高、触点底部形貌好，从而提高MEMS器件的工艺一致性和成品率。

公开(公告)号：CN110329988A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910643502.9

申请日：2019-07-17

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 徐亚新 ,  梁广华 ,  赵飞 ,  庄治学 ,  魏浩 ,  陈雨 ,  龚孟磊

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明公开了一种RF-MEMS开关复合牺牲层制备方法，属于RF-MEMS器件制造技术领域。该方法包括平坦化填充、金属牺牲层溅射刻蚀、光刻胶牺牲层制备等步骤。采用本发明方法，可以提高MEMS开关梁的平整性，实现10nm~500nm低触点间距开关梁的制备，从而提高MEMS开关的可靠性，降低MEMS开关驱动电压。

公开(公告)号：CN105762019A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610148997.4

申请日：2016-03-16

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  陈雨 ,  庄治学 ,  唐小平 ,  周拥华 ,  李朝 ,  刘志斌 ,  李可 ,  龚孟磊 ,  刘颖 ,  何超 ,  邢伯仑

IPC: H01H49/00

CPC classification number: H01H49/00

Abstract: 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法，主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制作、牺牲层制作、薄膜微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关，具有插入损耗和驱动电压较低、成品率和隔离度较高等特性，加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。

公开(公告)号：CN109273403B

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN201811130680.3

申请日：2018-09-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 赵飞 ,  贾世旺 ,  党元兰 ,  刘晓兰 ,  徐亚新 ,  周拥华 ,  龚孟磊 ,  庄治学

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种TSV填孔方法，属于微电子组件技术领域。该方法在硅基片上进行刻蚀盲孔、研磨抛光形成通孔，接着通过通孔溅射、前处理、阶梯电镀等工艺，获得填充率可达100％的TSV铜孔。本发明方法具有过程简便、填充率高的优点，且方法简单易行、一致性好，便于批量化生产，特别适用于高密度电气互连应用，是实现高速、高频、高密度组件的关键技术。

公开(公告)号：CN109273403A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811130680.3

申请日：2018-09-27

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 赵飞 ,  贾世旺 ,  党元兰 ,  刘晓兰 ,  徐亚新 ,  周拥华 ,  龚孟磊 ,  庄治学

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种TSV填孔方法，属于微电子组件技术领域。该方法在硅基片上进行刻蚀盲孔、研磨抛光形成通孔，接着通过通孔溅射、前处理、阶梯电镀等工艺，获得填充率可达100％的TSV铜孔。本发明方法具有过程简便、填充率高的优点，且方法简单易行、一致性好，便于批量化生产，特别适用于高密度电气互连应用，是实现高速、高频、高密度组件的关键技术。

公开(公告)号：CN105762019B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201610148997.4

申请日：2016-03-16

Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所

Inventor： 党元兰 ,  赵飞 ,  徐亚新 ,  刘晓兰 ,  梁广华 ,  陈雨 ,  庄治学 ,  唐小平 ,  周拥华 ,  李朝 ,  刘志斌 ,  李可 ,  龚孟磊 ,  刘颖 ,  何超 ,  邢伯仑

IPC: H01H49/00

Abstract: 本发明涉及MEMS器件制造领域，特别涉及一种LCP基材的RFMEMS开关制备方法，主要包括基板清洗、覆铜面镀金及后处理、溅射前干法处理、光刻前LCP基板与硬性基板无间隙复合、CPW图形制作、RF传输线上二氧化硅绝缘层的制作、牺牲层制作、薄膜微桥制作、牺牲层释放等步骤。采用本发明的技术方案制备的LCP基RFMEMS开关，具有插入损耗和驱动电压较低、成品率和隔离度较高等特性，加工过程中柔性LCP基板的平整度可得到良好保持。