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公开(公告)号：CN119812002A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411834923.7
申请日：2024-12-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种内埋芯片腔体填充工艺，属于电子封装高密度集成领域。本发明将芯片贴装在腔体内，通过植球机在芯片焊盘上植球后，采用刮涂的方式在一定压力下将填充胶填充进腔体，从而实现快速腔体填充。采用本发明的技术方案，可以实现大尺寸高深度的腔体填充，填充工艺简单，填充速度快，并且可兼容多种形状、尺寸基板，填充厚度可调，可为内埋芯片提供良好电、热环境，满足高密度集成要求。
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公开(公告)号：CN111392687B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202010301228.X
申请日：2020-04-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明提供了一种MEMS交叉线、微波器件及制备方法，属于无线通信技术领域，包括第一传输线结构、第二传输线结构和MEMS桥；第二传输线结构与第一传输线结构通过互连层相连实现接地，第二传输线结构的信号传输方向与第一传输线结构的信号传输方向交叉设置；MEMS桥设置于第一传输线结构和第二传输线结构之间，用于第一传输线结构和第二传输线结构之间的信号隔离。本发明提供的MEMS交叉线，由于MEMS桥不参与信号传输，仅仅具有隔离功能，能够有效降低MEMS桥的制作成本，进而降低器件的制作成本，提高不同信号之间的隔离度，避免不同信号之间的干扰，从而提高信号传输的精度。
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公开(公告)号：CN113104806B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110262903.7
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了MEMS制造领域的一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法，主要包括底部图形平坦化、多层金属复合及图形化等步骤。采用本发明的技术方案，可以实现极低间隙的牺牲层和触点制备，并且控制精度高、触点底部形貌好，从而提高MEMS器件的工艺一致性和成品率。
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公开(公告)号：CN116041046B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202310047872.2
申请日：2023-01-31
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: C04B35/00 , H05K3/00 , H05K1/03 , B28B11/14 , B28B11/10 , C04B35/622 , C04B35/645
Abstract: 本发明公开了一种高厚度LTCC基板的叠片方法，属于LTCC基板先进制造领域。本发明包括排版打孔、印刷、第一次预叠压、第二次叠压、烧结等步骤。本发明采取带膜工艺方式以及分组二次多梯度叠压方式，可以减缓不同层生瓷片叠片受力次数的差异，减小叠压变形，提高高厚度LTCC基板的叠片对位精度。
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公开(公告)号：CN113104806A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110262903.7
申请日：2021-03-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了MEMS制造领域的一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法，主要包括底部图形平坦化、多层金属复合及图形化等步骤。采用本发明的技术方案，可以实现极低间隙的牺牲层和触点制备，并且控制精度高、触点底部形貌好，从而提高MEMS器件的工艺一致性和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111128902A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911390244.4
申请日：2019-12-30
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种LTCC基板腔体临时填充混合胶及填充方法，属于LTCC基板表面薄膜工艺技术领域。该混合胶由无机颗和光刻胶混合而成，该混合方法主要包括混合胶的制备、混合胶的填充、混合胶的固化等步骤。本发明将无机颗粒掺杂在有机光刻胶中，通过点胶方式将混合胶填充到腔体中，并烘烤完成临时填充。采用本发明混合胶及填充方法填充的腔体嵌件具有体积变化小，物理特性稳定，工艺兼容性好，加工完成后易去除等特点。
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公开(公告)号：CN108169841A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711459228.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
Abstract: 本发明公开了一种掩模版及光波导反射面和光波导的制备方法，涉及光传输结构及制造技术领域。其通过一种特殊设计的掩模版实现对光刻过程的透光量的控制，当紫外光穿过掩模版时，不同透光量位置处的光刻深度不同，从而形成一个坡面结构，同时，相邻的两个微型透光区域之间会形成光的衍射，因此，光刻出的坡面并非是一个凹凸不平的阶梯面，而是一个平滑的反射面。这种利用掩模版通过光刻形成反射面的方式简单易行，且该种掩模版也具有结构简单、成本低廉、易于制备的特点，可见本发明方法极大地简化了光波导反射面的制备过程，降低了反射面的制备成本，具有极强的可推广性，相对于现有技术是一种重要进步。
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公开(公告)号：CN106252276A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610640909.2
申请日：2016-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76897
Abstract: 本发明公开了一种基于TSV技术开关矩阵射频单元的制造方法，其特征在于基于TSV技术在双面抛光的硅基片上，通过深硅刻蚀、电镀、研磨抛光、堆叠等工艺，获得开关矩阵的射频单元。本发明所述的开关矩阵射频单元，具有集成度高、损耗小、通用化程度高的优点。该方法加工一致性好，特别适用于微波、毫米波通信、雷达等系统/子系统的小型化应用，属于实现小型化、高性能微波通信、雷达系统/子系统的关键技术。
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公开(公告)号：CN106057732A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610640885.0
申请日：2016-08-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L21/76898 , H01L24/85 , H01L2224/85895
Abstract: 本发明公开了一种基于TSV技术和LTCC技术的开关矩阵的制造方法，其特征在于基于TSV技术在双面抛光的硅基片上，通过深硅刻蚀、电镀、研磨抛光、堆叠等工艺，获得开关矩阵的射频单元；基于LTCC技术在生瓷片上，通过冲孔、填孔、印刷、叠片、层压、烧结等工艺，获得开关矩阵的控制单元；将射频单元与控制单元高密度集成，获得集成度高、损耗小的开关矩阵。本发明所述的开关矩阵，具有集成度高、损耗小、通用化程度高的优点。该方法加工一致性好，特别适用于微波、毫米波通信、雷达等系统/子系统的小型化应用，属于实现小型化、高性能微波通信、雷达系统/子系统的关键技术。
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公开(公告)号：CN119943838A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510099578.5
申请日：2025-01-22
Applicant: 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L25/00 , H01L23/492 , H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种气密性多层堆叠LTCC封装结构及制造方法，属于微波射频高密度组装领域。本发明包括LTCC陶瓷基板、金属隔板和BGA球，每两个陶瓷基板之间夹一个金属隔板和若干BGA球实现多层堆叠；陶瓷基板上预留有放置芯片的腔体，LTCC基板表面的输入输出焊盘通过BGA球实现上、下连通。本发明结构紧凑，焊接强度大，可以实现气密性，具有较高的可靠性，可以提高微波射频模块的集成密度和可靠性。
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