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公开(公告)号：CN114386271B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210019891.X
申请日：2022-01-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明公开了一种考虑互耦效应的随机阵列天线方向图综合方法，属于天线阵列方向图综合技术领域。本方法包括天线阵列建模步骤、天线阵列方向图生成步骤以及最优幅相加权获取步骤。本发明考虑了阵列天线单元间的互耦效应及阵列天线的极化特性，结合有源单元方向图，构建精确的天线阵列模型，针对目标阵列方向图使用混合粒子群算法进行天线阵列方向图快速优化，最终实现波束展宽、低副瓣和相控阵扫描等波束赋形。
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公开(公告)号：CN114386270B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210019886.9
申请日：2022-01-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： G06F30/27 , G06N3/126 , G06F111/06
摘要： 本发明公开了一种基于改进型遗传算法的多目标优化阵列方向图综合方法，属于天线阵列方向图综合领域。本发明对遗传算法进行改进优化，为了避免局部收敛，防止近亲结合，引入海明距离进行近亲判别；为了提升收敛速度，保证父体中的优良模式可以遗传到下一代，根据适应度自适应决定交叉算子的大小。本发明考虑了阵元间互耦效应，结合有源单元方向图，构建精确的天线阵列模型，针对不同的目标阵列方向图设定不同的适应度函数参数，使用改进型遗传算法进行天线阵列方向图多目标快速优化，最终实现波束展宽、低副瓣、波束零陷和相控阵扫描等阵列综合，并通过全波电磁仿真软件进行验证。
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公开(公告)号：CN116632521A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310610810.8
申请日：2023-05-29
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所 , 中国人民解放军91977部队
摘要： 本发明公开了一种电子扫描天线，属于无线通信技术领域，其包括阵列天线、第一盖板结构、Butler网络、多通道MEMS开关SiP、第二盖板结构。其中，Bulter网络集成了多通道MEMS开关SiP，通过外部供电驱动实现MEMS开关可动桥发生位移量，从而改变Butler网络射频传输相位，增加Bulter网络端口相位配置组合数量，实现电子扫描天线空域波束重构数量。本发明增加了Butler网络的相位组合配置数量，增加了电子扫描天线的空域波束指向角度。其次，MEMS开关驱动功耗接近零，从而实现了电子扫描天线的低功耗。
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公开(公告)号：CN111541470A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010301234.5
申请日：2020-04-16
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： H04B7/0408 , H04B7/06 , H04B1/405 , H04B1/52 , H01Q25/00
摘要： 本发明提供了一种高密度集成多波束瓦片式组件，属于天线技术领域，包括印制转接板和多通道多波束功能模块芯片；多通道多波束功能模块芯片中，信号放大功能层用于对组件通信信息进行幅度放大，模拟移相衰减层对组件通信信息的相位变化和幅度衰减；印制转接板中，多波束合成网络用于对该网络连接的射频通道信号进行分路或合路；波束控制电路用于根据系统指令对多波束组件中每一通道幅度及相位发送控制信号，实现组件每一通道幅度和相位变化。本发明提供的高密度集成多波束瓦片式组件能实现多通道多波束的功能要求，实现多波束TR组件的小型化、低剖面、设计简单化和高度集成化，可根据实际需求调整TR组件规模，满足系统尺寸、重量和通用性需求。
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公开(公告)号：CN111416200A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010301252.3
申请日：2020-04-16
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明适用于通信技术领域，提供了一种圆极化封装天线，包括自上而下依次覆设的辐射单元、接地转接板、金属缝隙板以及天线测试结构；其中，所述辐射单元，设有切角结构；所述接地转接板，其上表面还印制有电流引向结构，所述电流引向结构的一端与所述辐射单元连接；所述接地转接板还设有用于电连接所述辐射单元和所述金属缝隙板的第一接地孔；所述金属缝隙板，设有缝隙。本发明提供的圆极化封装天线，通过设置电流引向结构和圆形切角结构提升圆极化性能，并通过设置金属缝隙板以缝隙耦合方式扩宽天线的工作带宽，并且不会引起噪声温度的恶化。
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公开(公告)号：CN114386271A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202210019891.X
申请日：2022-01-10
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明公开了一种考虑互耦效应的随机阵列天线方向图综合方法，属于天线阵列方向图综合技术领域。本方法包括天线阵列建模步骤、天线阵列方向图生成步骤以及最优幅相加权获取步骤。本发明考虑了阵列天线单元间的互耦效应及阵列天线的极化特性，结合有源单元方向图，构建精确的天线阵列模型，针对目标阵列方向图使用混合粒子群算法进行天线阵列方向图快速优化，最终实现波束展宽、低副瓣和相控阵扫描等波束赋形。
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公开(公告)号：CN114069233A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386414.9
申请日：2021-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明公开了一种相控阵天线，属于无线通信技术领域。其包括阵列天线、射频组件和盖板结构。阵列天线与射频组件通过三维MEMS工艺加工制造形成的微同轴结构实现，阵列天线与射频组件采用10层MEMS工艺一体化加工形成，阵列天线采用微带串联馈电形式实现波束一维扫描，射频组件集成了等相位传输线与多功能芯片，用于实现阵列天线馈电的幅度与相位控制，盖板结构为金属材料制造，用于实现射频组件的电磁信号屏蔽。本发明具有低剖面、低损耗和优良的导热性特点。
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公开(公告)号：CN114664746A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210285646.3
申请日：2022-03-23
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： H01L23/053 , H01L23/13 , H01L23/10 , H01L21/50 , H01L21/52
摘要： 本发明提供了一种一体化三维集成系统级封装架构及其封装方法，属于系统级封装技术领域；其包括陶瓷基板、密闭围框、盖板以及BGA焊球，陶瓷基板分为上下两层，基板上面开粘接芯片的微腔，密闭围框焊接在下层陶瓷基板上面，盖板焊接在密闭围框上，陶瓷基板下面设置BGA焊盘，BGA焊球通过BGA焊盘焊接在陶瓷基板下面，上下两层陶瓷基板通过上层陶瓷基板焊接的BGA球进行互联焊接。本发明还提供集成架构的封装方法。本发明内部集成密度提升近一倍，对外互联接口及气密封装的体积占用率大大降低，同时具备结构简单、装配步骤少，是实现一体化三维集成系统级封装的有效方式。
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公开(公告)号：CN114122742A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111388666.5
申请日：2021-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
摘要： 本发明公开了一种基于矩形微同轴技术的波导缝隙阵列天线，属于微波天线技术领域。包括金属波导缝隙阵列天线、微同轴传输线、同轴‑波导转换过渡结构和Butler矩阵。所述金属波导缝隙阵列天线具有4条均匀排布缝隙，分布在微同轴结构上表面，通过缝隙向外空间辐射电磁波。所述同轴‑波导转换过渡结构设置在金属波导缝隙阵列天线和微同轴传输线之间，通过微同轴渐变结构过渡匹配到脊波导，随后通过脊波导渐变匹配到波导实现同轴‑波导结构转换。本发明具有结构紧凑、辐射效率高、高隔离、馈电损耗小、互耦效应低和易于集成的优点。
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公开(公告)号：CN110329988A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910643502.9
申请日：2019-07-17
申请人： 中国电子科技集团公司第五十四研究所
IPC分类号： B81C1/00
摘要： 本发明公开了一种RF-MEMS开关复合牺牲层制备方法，属于RF-MEMS器件制造技术领域。该方法包括平坦化填充、金属牺牲层溅射刻蚀、光刻胶牺牲层制备等步骤。采用本发明方法，可以提高MEMS开关梁的平整性，实现10nm~500nm低触点间距开关梁的制备，从而提高MEMS开关的可靠性，降低MEMS开关驱动电压。
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