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公开(公告)号:CN114582817A
公开(公告)日:2022-06-03
申请号:CN202210086525.6
申请日:2022-01-25
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要: 本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统,属于电子封装领域,包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球,塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜,其中,芯片与高导热载体层叠;泡沫铜设置于芯片周围;布线层其正面与塑封模块的正面相接,以使芯片倒装于布线层;金属导体层设置于塑封模块的背面;植球设置于布线层的背面,且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构,封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜,并通过泡沫铜传导至焊球,最终将热量从封装导出,提高芯片热传导的能力;泡沫铜通过植球与下面地连接,起到屏蔽作用。
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公开(公告)号:CN114582817B
公开(公告)日:2024-10-25
申请号:CN202210086525.6
申请日:2022-01-25
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/552 , H01L21/50 , H01L21/56
摘要: 本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统,属于电子封装领域,包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球,塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜,其中,芯片与高导热载体层叠;泡沫铜设置于芯片周围;布线层其正面与塑封模块的正面相接,以使芯片倒装于布线层;金属导体层设置于塑封模块的背面;植球设置于布线层的背面,且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构,封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜,并通过泡沫铜传导至焊球,最终将热量从封装导出,提高芯片热传导的能力;泡沫铜通过植球与下面地连接,起到屏蔽作用。
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