公开(公告)号：CN114695129A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202210148236.4

申请日：2022-02-17

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 唐晓赫 ,  李仕俊 ,  徐达 ,  常青松 ,  袁彪 ,  郭旭光 ,  张延青 ,  郭建 ,  贾岳珉 ,  李超 ,  张晓荷 ,  宋作奇 ,  王鹏贺 ,  刘松涛

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L23/053 ,  H01L23/367

摘要： 本发明提供了一种表面凹槽金属化热沉结构陶瓷管壳的制备方法及陶瓷管壳，属于陶瓷管壳制备技术领域，包括：在陶瓷基板的正面和/或背面刻蚀凹槽；在陶瓷基板的正面和背面气相沉积金属种子层；在金属种子层上粘附n层光敏材料；在光敏材料上进行预设图形的曝光和显影，形成线路图案；在显露出的金属种子层上面沉积金属形成金属化图形，在凹槽内沉积金属形成热沉金属块；通过物理打磨将金属化图形减薄；去除陶瓷基板上剩余的光敏材料；刻蚀露出的金属种子层在非图形区域上制备镍钯金金属层。本发明在接触芯片的陶瓷表面开槽，生长热沉金属块，热沉金属块将芯片产生的热量带走并散发出去，芯片周围温度较低，工作稳定性大幅提高。

公开(公告)号：CN114243358A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111556235.5

申请日：2021-12-17

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 郭旭光 ,  徐达 ,  常青松

IPC分类号： H01R13/52 ,  H01R13/504 ,  H01R43/00 ,  H01R43/18 ,  B23K1/00 ,  B23K20/02 ,  B23K20/14 ,  B23K26/21 ,  B23P15/00 ,  B23K103/10

摘要： 本发明提供了一种气密性金属封装结构及制作方法，属于金属封装技术领域，包括铝合金盒体、硅铝密封件以及多针芯连接器，铝合金盒体的侧壁设置有第一安装孔；硅铝密封件设置在第一安装孔内，硅铝密封件上设有第二安装孔；多针芯连接器设置于第二安装孔内。本发明提供的气密性金属封装结构，利用扩散焊的方式在铝合金盒体焊接多针芯连接器的部分焊接硅铝复合材料，将多针芯连接器焊接至硅铝材料位置，解决了铝合金和多针芯连接器热膨胀系数不匹配的问题，同时由于主体材料是铝合金，解决了硅铝材料强度低的问题，采用该结构既实现了金属封装的气密性，又保证了金属封装的强度，在金属封装中有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN112259509A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011064678.8

申请日：2020-09-30

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 魏少伟 ,  张延青 ,  付兴昌 ,  王磊 ,  徐达 ,  郭旭光 ,  许悦 ,  戎子龙 ,  冯志宽 ,  高飞龙 ,  李翠 ,  闫伟伟 ,  吴拉瑞 ,  段丽花 ,  吕红香

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明提供了一种三维堆叠封装器件，包括底层电路板、金属外壳以及顶层电路板；底层电路板的顶面装配有至少一个第一高频芯片，每个第一高频芯片的外围均植有第一锡球阵列；金属外壳罩设于底层电路板上，内壁与底层电路板的顶面围成气密腔；顶层电路板设于气密腔内，与底层电路板通过各个第一锡球阵列互联，顶面设有至少一个第二高频芯片，每个第二高频芯片上均罩设有一个用于屏蔽第二高频芯片的电磁信号的屏蔽罩；每个第一锡球阵列与底层电路板和顶层电路板能够围成一个用于屏蔽第一高频芯片的电磁信号的屏蔽腔。本发明提供的三维堆叠封装器件集成度高、成产成本低。本发明还提供了一种三维堆叠封装器件的装配工艺方法。

公开(公告)号：CN114243358B

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202111556235.5

申请日：2021-12-17

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 郭旭光 ,  徐达 ,  常青松

IPC分类号： H01R13/52 ,  H01R13/504 ,  H01R43/00 ,  H01R43/18 ,  B23K1/00 ,  B23K20/02 ,  B23K20/14 ,  B23K26/21 ,  B23P15/00 ,  B23K103/10

摘要： 本发明提供了一种气密性金属封装结构及制作方法，属于金属封装技术领域，包括铝合金盒体、硅铝密封件以及多针芯连接器，铝合金盒体的侧壁设置有第一安装孔；硅铝密封件设置在第一安装孔内，硅铝密封件上设有第二安装孔；多针芯连接器设置于第二安装孔内。本发明提供的气密性金属封装结构，利用扩散焊的方式在铝合金盒体焊接多针芯连接器的部分焊接硅铝复合材料，将多针芯连接器焊接至硅铝材料位置，解决了铝合金和多针芯连接器热膨胀系数不匹配的问题，同时由于主体材料是铝合金，解决了硅铝材料强度低的问题，采用该结构既实现了金属封装的气密性，又保证了金属封装的强度，在金属封装中有巨大的应用前景。

公开(公告)号：CN114582817A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210086525.6

申请日：2022-01-25

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 郭旭光 ,  徐达 ,  常青松 ,  祁广峰 ,  要志宏 ,  袁彪 ,  常巍 ,  王乔楠 ,  张延青 ,  冯涛 ,  胡占奎 ,  张晓荷

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统，属于电子封装领域，包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球，塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜，其中，芯片与高导热载体层叠；泡沫铜设置于芯片周围；布线层其正面与塑封模块的正面相接，以使芯片倒装于布线层；金属导体层设置于塑封模块的背面；植球设置于布线层的背面，且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构，封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜，并通过泡沫铜传导至焊球，最终将热量从封装导出，提高芯片热传导的能力；泡沫铜通过植球与下面地连接，起到屏蔽作用。

公开(公告)号：CN114582817B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202210086525.6

申请日：2022-01-25

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 郭旭光 ,  徐达 ,  常青松 ,  祁广峰 ,  要志宏 ,  袁彪 ,  常巍 ,  王乔楠 ,  张延青 ,  冯涛 ,  胡占奎 ,  张晓荷

IPC分类号： H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L23/552 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

摘要： 本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统，属于电子封装领域，包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球，塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜，其中，芯片与高导热载体层叠；泡沫铜设置于芯片周围；布线层其正面与塑封模块的正面相接，以使芯片倒装于布线层；金属导体层设置于塑封模块的背面；植球设置于布线层的背面，且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构，封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜，并通过泡沫铜传导至焊球，最终将热量从封装导出，提高芯片热传导的能力；泡沫铜通过植球与下面地连接，起到屏蔽作用。

公开(公告)号：CN111029313A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201911155677.1

申请日：2019-11-22

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 李仕俊 ,  赵瑞华 ,  徐达 ,  常青松 ,  郭旭光 ,  戴伟 ,  徐森峰 ,  世娟 ,  李海剑 ,  屈建洋 ,  汲林 ,  孙菲

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/367 ,  H01L23/48 ,  H01L25/18

摘要： 本发明公开了一种气密封装器件及气密封装方法，气密封装器件，包括：下管壳，设有贯穿下管壳的上表面和下表面的第一通孔，第一通孔内的金属记为第一金属柱；芯片，安装在下管壳的正面，芯片的焊盘通过键合线与第一金属柱相连；上管壳，设置在下管壳上，上管壳上设有贯穿所述上管壳的上表面和下表面的第二通孔，第二通孔内的金属记为第二金属柱；平面天线，平面天线的下表面贴合在所述上管壳的上表面，平面天线与一个第二金属柱相连，连接所述天线的第二金属柱通过连接结构与所述芯片相连。通过在上管壳的上表面直接制备平面天线，平面天线和气密封装器件是一体结构，提高了气密封装结构的集成密度。

公开(公告)号：CN109461716A

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201811266561.0

申请日：2018-10-29

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 史光华 ,  徐达 ,  常青松 ,  王健 ,  周彪 ,  李仕俊 ,  白锐 ,  郭旭光 ,  杨阳阳 ,  王真

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

摘要： 本发明适用于微电子技术领域，提供了一种混合型多芯片组件及其制备方法，混合型多芯片组件包括：基板；所述基板上表面设有液晶聚合物层；所述液晶聚合物层中设有电路互连孔，所述电路互连孔贯穿所述液晶聚合物层；所述液晶聚合物层的电路区和所述电路互连孔的底面和侧壁上均设有种子层；所述种子层与所述电路区对应区域的上表面设有薄膜电路，所述电路互连孔中设有互连层，所述互连层连接所述薄膜电路和所述基板。本发明中的混合型多芯片组件具有优异的高频性能。

公开(公告)号：CN112687556B

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202011554202.2

申请日：2020-12-24

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 李仕俊 ,  袁彪 ,  常青松 ,  徐达 ,  王磊 ,  王志会 ,  张彦青 ,  郭旭光 ,  魏爱新 ,  李红梅 ,  王晓青 ,  刘晓娜 ,  吴晓楠 ,  白立娟 ,  高晓晔

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明适用于焊盘制备技术领域，提供了一种在基板表面集成BGA焊盘的阻焊制备方法及结构，该方法包括：在基板上溅射多层金属得到种子层，在种子层上电镀金层；在金层上电镀复合金属结构得到焊盘，并刻蚀焊盘形成焊接锡球的阻焊环，得到第一样品；对第一样品进行第一预设温度空气退火，对退火后的第一样品表面的焊盘四周、覆盖阻焊环位置制备有机阻焊环，再次进行第二预设温度烘烤；在焊盘上有机阻焊环范围内焊接焊料球。本发明在基板上溅射电镀金层做基板表面的导体层，可以提高布线密度；本发明实施例采用全加成逐层电镀的方式制备焊盘，尺寸精度高，且通过焊料球将数字电路芯片焊接到射频管壳内的焊盘上，实现高密度集成。

公开(公告)号：CN112687556A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011554202.2

申请日：2020-12-24

申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所

发明人： 李仕俊 ,  袁彪 ,  常青松 ,  徐达 ,  王磊 ,  王志会 ,  张彦青 ,  郭旭光 ,  魏爱新 ,  李红梅 ,  王晓青 ,  刘晓娜 ,  吴晓楠 ,  白立娟 ,  高晓晔

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/488

摘要： 本发明适用于焊盘制备技术领域，提供了一种在基板表面集成BGA焊盘的阻焊制备方法及结构，该方法包括：在基板上溅射多层金属得到种子层，在种子层上电镀金层；在金层上电镀复合金属结构得到焊盘，并刻蚀焊盘形成焊接锡球的阻焊环，得到第一样品；对第一样品进行第一预设温度空气退火，对退火后的第一样品表面的焊盘四周、覆盖阻焊环位置制备有机阻焊环，再次进行第二预设温度烘烤；在焊盘上有机阻焊环范围内焊接焊料球。本发明在基板上溅射电镀金层做基板表面的导体层，可以提高布线密度；本发明实施例采用全加成逐层电镀的方式制备焊盘，尺寸精度高，且通过焊料球将数字电路芯片焊接到射频管壳内的焊盘上，实现高密度集成。