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公开(公告)号：CN112564640B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011330411.9
申请日：2020-11-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03F1/34
摘要： 本发明属于电路领域，具体涉及一种负反馈型放大器。该负反馈型放大器包括负反馈电路和放大电路；负反馈电路，包括输入支路和输出支路，输入支路接收输入信号并传输给放大电路的输入端；输出支路接收放大电路的输出信号进行输出并将输出信号耦合到输入支路；放大电路，接收输入支路的信号，并放大后输出。上述负反馈型放大器电路通过耦合得到负反馈信号，用负反馈电路代替了传统并联负反馈型放大器中的并联负反馈电阻，减少了功率损失，可以实现在工作频带内达到比相同反馈系数下的并联电阻方案更低的噪声系数，达到更高的输出三阶交调功率。
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公开(公告)号：CN114243294A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111584255.3
申请日：2021-12-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种微带贴片天线，包括相互绝缘叠设为一体结构的第一基板、第二基板和第三基板，且所有基板相对设置的第一表面和第二表面均覆有金属层；在第一基板的第一表面的金属层上还设有金属辐射贴片、在第二表面的金属层上开有耦合缝隙，并在第一基板的边缘设有贯穿第一表面和第二表面的若干第一金属化通孔；耦合缝隙处未设置金属层；第二基板绝缘设在第一基板和第三基板间；第三基板第一表面的金属层上还设有微带线，在第三基板第二表面的金属层上开设有第一开窗，并在第一开窗内设有贯通第三基板、且与微带线连通的馈电通孔；环绕微带线还设有贯穿第三基板的若干第二金属化通孔。本发明能够有效减少天线之间的互阻抗。
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公开(公告)号：CN112217065A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202010954181.7
申请日：2020-09-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01R24/00 , H01R13/502 , H01R13/622
摘要： 本发明提供了一种波导传输端口互连结构，属于电磁波传输技术领域，包括阳接头和/或阴接头；阳接头一端设有内螺纹，沿阳接头轴向设有多个第一连接孔；阴接头一端设有与阳接头的内螺纹适配的外螺纹，沿阴接头轴向设有多个第二连接孔；其中，阳接头和阴接头通过贯穿所述第一连接孔和第二连接孔的螺栓组成阳阴互连结构；或者，阳接头和阳接头通过贯穿第一连接孔和第二连接孔的螺栓组成双阳互连结构；或者，阴接头和阴接头通过贯穿第一连接孔和第二连接孔的螺栓组成双阴互连结构。本发明提供的波导传输端口互连结构，通过阳阴互连、阴阴互连和阳阳互连，根据波导传输端口的连接结构灵活选择，具有易于操作，结构简单，易于产品小型化的特点。
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公开(公告)号：CN111082192A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911227478.7
申请日：2019-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法，属于半导体技术领域，铜基微同轴结构包括矩形外导体、两个内导体段，以及阻抗匹配段；其中，矩形外导体设有容腔，且两端分别设有与容腔连通的微同轴接口；两个内导体段分别位于两个微同轴接口内部，且与微同轴接口的内壁隔绝；阻抗匹配段设于容腔内，中部与矩形外导体的内壁连接，两端分别与两个内导体段对接，用于传递微波信号以及将内导体段的热量传递至矩形外导体。本发明提供的一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法，能够提高微同轴内导体段的散热能力，避免因高温而导致内导体段坍塌失效的现象，提高微同轴结构及微同轴传输线路的耐功率能力。
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公开(公告)号：CN114336026A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111642556.7
申请日：2021-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种毫米波天线，包括第一基片、第二基片以及连接第一基片和第二基片之间的多个第一高铅柱和多个第二高铅柱；第一基片包括在靠近第二基片的第二表面上设置圆极化贴片天线，在远离第二基片的第一表面设置寄生贴片；第二基片包括在远离第一基片的第二表面上设置用于对圆极化贴片天线馈电的多个同轴馈电点，在靠近第一基片的第一表面上设置多个馈点焊盘、并通过设置在第二基片上的金属化通孔与同轴馈电点连接；在第二基片的上还设有多个贯穿其第一表面和第二表面的限位孔，限位孔环绕金属化通孔；且在第二基片的第一表面覆盖有接地图形，其中，接地图形避开限位孔和馈点焊盘。本发明能够提供的毫米波天线可以减少天线的损耗。
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公开(公告)号：CN112670693B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011357794.9
申请日：2020-11-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种高频微波多端口无谐振腔体封装结构，属于微波技术领域，包括下盒体、内盖板以及上盖板，下盒体具有下腔体，下腔体的底部设有多个高频传输端口和多个用于安装低频功率器件的低频安装区；多个高频传输端口交汇的区域为高频区；内盖板设有与各低频安装区对应的低频腔体、与各高频传输端口对应的高频传输腔体以及与高频区对应的高频腔体；高频传输腔体对应高频传输端口的收窄部设有收窄的第一窄门，低频腔体与高频腔体之间的第二隔离壁上设有第二窄门，高频传输腔体与低频腔体的第三隔离墙上设有第三窄门。本发明提供的高频微波多端口无谐振腔体封装结构，能够解决腔体谐振效应造成微波信号传输差的问题。
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公开(公告)号：CN111082192B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911227478.7
申请日：2019-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法，属于半导体技术领域，铜基微同轴结构包括矩形外导体、两个内导体段，以及阻抗匹配段；其中，矩形外导体设有容腔，且两端分别设有与容腔连通的微同轴接口；两个内导体段分别位于两个微同轴接口内部，且与微同轴接口的内壁隔绝；阻抗匹配段设于容腔内，中部与矩形外导体的内壁连接，两端分别与两个内导体段对接，用于传递微波信号以及将内导体段的热量传递至矩形外导体。本发明提供的一种微同轴传输线路、铜基微同轴结构及制备方法，能够提高微同轴内导体段的散热能力，避免因高温而导致内导体段坍塌失效的现象，提高微同轴结构及微同轴传输线路的耐功率能力。
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公开(公告)号：CN112713377A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN202011546927.7
申请日：2020-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/08
摘要： 本发明提供了一种W波段表贴气密微波封装集成结构，属于微波封装技术领域，包括底座、PCB基板、W波段表贴封装单元以及壳体，底座设有波导输入接口和波导输出接口；PCB基板固定于底座上，PCB基板上设有分别与波导输入接口和波导输出接口连通的金属化波导孔；W波段表贴封装单元固定于PCB基板上；壳体设有封装腔，壳体固定于底座上，将PCB基板和W波段表贴封装单元封装于封装腔内。本发明能够实现W波段表贴气密微波封装对外接口由介质波导至标准金属波导接口的转换，W波段表贴气密微波封装可以直接与用户的标准金属波导法兰口对接，对接简单方便，使得W波段表贴气密微波封装能够广泛应用。
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公开(公告)号：CN114336026B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202111642556.7
申请日：2021-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种毫米波天线，包括第一基片、第二基片以及连接第一基片和第二基片之间的多个第一高铅柱和多个第二高铅柱；第一基片包括在靠近第二基片的第二表面上设置圆极化贴片天线，在远离第二基片的第一表面设置寄生贴片；第二基片包括在远离第一基片的第二表面上设置用于对圆极化贴片天线馈电的多个同轴馈电点，在靠近第一基片的第一表面上设置多个馈点焊盘、并通过设置在第二基片上的金属化通孔与同轴馈电点连接；在第二基片的上还设有多个贯穿其第一表面和第二表面的限位孔，限位孔环绕金属化通孔；且在第二基片的第一表面覆盖有接地图形，其中，接地图形避开限位孔和馈点焊盘。本发明能够提供的毫米波天线可以减少天线的损耗。
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公开(公告)号：CN115764552A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211324338.3
申请日：2022-10-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/0235
摘要： 本发明提供一种准连续阵列激光泵源及其制备方法。该制备方法包括：在每相邻两个热沉片之间分别烧结一个激光器芯片，且激光器芯片的发光面作为上表面，烧结位置处的热沉片的侧面与对应的激光器芯片的侧面均接触，得到第一样品；将第一样品的下表面烧结于瓷片上表面，得到准连续阵列激光泵源；对准连续阵列激光泵源的一端面及与所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的裸露平面，进行水密处理，向准连续阵列激光泵源另一端面中填充导热材料；填充完毕后，对准连续阵列激光泵源的两端面及所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的进行水密处理的平面，进行热固化处理，得到最终的准连续阵列激光泵源。本发明能够有效提升准连续阵列激光泵源的热耗散效率。
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