准连续阵列激光泵源及其制备方法

    公开(公告)号:CN115764552A

    公开(公告)日:2023-03-07

    申请号:CN202211324338.3

    申请日:2022-10-27

    IPC分类号: H01S5/40 H01S5/024 H01S5/0235

    摘要: 本发明提供一种准连续阵列激光泵源及其制备方法。该制备方法包括:在每相邻两个热沉片之间分别烧结一个激光器芯片,且激光器芯片的发光面作为上表面,烧结位置处的热沉片的侧面与对应的激光器芯片的侧面均接触,得到第一样品;将第一样品的下表面烧结于瓷片上表面,得到准连续阵列激光泵源;对准连续阵列激光泵源的一端面及与所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的裸露平面,进行水密处理,向准连续阵列激光泵源另一端面中填充导热材料;填充完毕后,对准连续阵列激光泵源的两端面及所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的进行水密处理的平面,进行热固化处理,得到最终的准连续阵列激光泵源。本发明能够有效提升准连续阵列激光泵源的热耗散效率。