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公开(公告)号：CN112564640B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011330411.9
申请日：2020-11-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03F1/34
摘要： 本发明属于电路领域，具体涉及一种负反馈型放大器。该负反馈型放大器包括负反馈电路和放大电路；负反馈电路，包括输入支路和输出支路，输入支路接收输入信号并传输给放大电路的输入端；输出支路接收放大电路的输出信号进行输出并将输出信号耦合到输入支路；放大电路，接收输入支路的信号，并放大后输出。上述负反馈型放大器电路通过耦合得到负反馈信号，用负反馈电路代替了传统并联负反馈型放大器中的并联负反馈电阻，减少了功率损失，可以实现在工作频带内达到比相同反馈系数下的并联电阻方案更低的噪声系数，达到更高的输出三阶交调功率。
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公开(公告)号：CN114285490B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202111613900.X
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H04B10/70 , H04B10/69 , H04B10/548 , H04B10/516 , H04B10/2537
摘要： 本发明提供一种相位噪声优化装置及优化方法，该装置包括：电光调制器用于将微波源发射的目标信号调制到由可调谐激光器产生的光载波信号上，形成目标射频信号，目标射频信号经过光纤传入高非线性光纤；光环行器用于将泵浦激光器发射的泵浦光信号反向传入高非线性光纤内；高非线性光纤用于在满足布里渊散射条件时，泵浦光信号在高非线性光纤内激发产生斯托克斯波，且斯托克斯波在传输中产生受激布里渊散射损耗谱；其中，目标射频信号在目标频偏处的相位噪声由微波源产生的相位噪声和受激布里渊散射损耗谱共同决定。本发明能够利用受激布里渊散射损耗谱降低目标射频信号的目标频偏处的相位噪声，达到相噪优化的目的。
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公开(公告)号：CN114336026B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202111642556.7
申请日：2021-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种毫米波天线，包括第一基片、第二基片以及连接第一基片和第二基片之间的多个第一高铅柱和多个第二高铅柱；第一基片包括在靠近第二基片的第二表面上设置圆极化贴片天线，在远离第二基片的第一表面设置寄生贴片；第二基片包括在远离第一基片的第二表面上设置用于对圆极化贴片天线馈电的多个同轴馈电点，在靠近第一基片的第一表面上设置多个馈点焊盘、并通过设置在第二基片上的金属化通孔与同轴馈电点连接；在第二基片的上还设有多个贯穿其第一表面和第二表面的限位孔，限位孔环绕金属化通孔；且在第二基片的第一表面覆盖有接地图形，其中，接地图形避开限位孔和馈点焊盘。本发明能够提供的毫米波天线可以减少天线的损耗。
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公开(公告)号：CN115764552A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211324338.3
申请日：2022-10-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/024 , H01S5/0235
摘要： 本发明提供一种准连续阵列激光泵源及其制备方法。该制备方法包括：在每相邻两个热沉片之间分别烧结一个激光器芯片，且激光器芯片的发光面作为上表面，烧结位置处的热沉片的侧面与对应的激光器芯片的侧面均接触，得到第一样品；将第一样品的下表面烧结于瓷片上表面，得到准连续阵列激光泵源；对准连续阵列激光泵源的一端面及与所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的裸露平面，进行水密处理，向准连续阵列激光泵源另一端面中填充导热材料；填充完毕后，对准连续阵列激光泵源的两端面及所有激光器芯片的发光上表面两侧连接的进行水密处理的平面，进行热固化处理，得到最终的准连续阵列激光泵源。本发明能够有效提升准连续阵列激光泵源的热耗散效率。
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公开(公告)号：CN109450399A
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201811257812.9
申请日：2018-10-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03G3/30
摘要： 本发明公开了一种电调衰减电路，包括射频衰减模块和控制模块，射频衰减模块的输入端接入射频信号，射频衰减模块的输出端输出衰减信号，射频衰减模块的第一受控端和第二受控端分别与控制模块的第一输出端和第二输出端一一对应连接，控制模块的输入端接入控制信号。通过输入控制模块的控制信号的电压变化，使控制模块控制射频衰减模块对射频信号的衰减比例随之变化，实现了电调衰减的功能，结构简单，调节线性程度高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN114336026A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111642556.7
申请日：2021-12-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种毫米波天线，包括第一基片、第二基片以及连接第一基片和第二基片之间的多个第一高铅柱和多个第二高铅柱；第一基片包括在靠近第二基片的第二表面上设置圆极化贴片天线，在远离第二基片的第一表面设置寄生贴片；第二基片包括在远离第一基片的第二表面上设置用于对圆极化贴片天线馈电的多个同轴馈电点，在靠近第一基片的第一表面上设置多个馈点焊盘、并通过设置在第二基片上的金属化通孔与同轴馈电点连接；在第二基片的上还设有多个贯穿其第一表面和第二表面的限位孔，限位孔环绕金属化通孔；且在第二基片的第一表面覆盖有接地图形，其中，接地图形避开限位孔和馈点焊盘。本发明能够提供的毫米波天线可以减少天线的损耗。
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公开(公告)号：CN114243839A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111565931.2
申请日：2021-12-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种光充电系统。包括可见光点光源、空心球体、第一透镜、第二透镜、第三透镜和光电探测器；可见光点光源设置在空心球体的球心位置；空心球体的内壁涂覆全反射材料；空心球体上设有出光口；第一透镜设置在出光口的内侧，第二透镜设置在出光口的外侧；第一透镜的光轴和第二透镜的光轴重合；光轴通过空心球体的球心位置；第二透镜的出射光照射在第三透镜上；光电探测器设置在第三透镜的焦点位置。本发明能够通过采用内壁全反射空心球体光源结构、聚光透镜提高了充电光的利用率，降低了充电光功率，提高了安全性；会聚后的充电光光束直径缩小，光束照射范围缩小，降低了安全风险；同时避免了采用激光光源带来的安全风险。
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公开(公告)号：CN112670693B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202011357794.9
申请日：2020-11-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种高频微波多端口无谐振腔体封装结构，属于微波技术领域，包括下盒体、内盖板以及上盖板，下盒体具有下腔体，下腔体的底部设有多个高频传输端口和多个用于安装低频功率器件的低频安装区；多个高频传输端口交汇的区域为高频区；内盖板设有与各低频安装区对应的低频腔体、与各高频传输端口对应的高频传输腔体以及与高频区对应的高频腔体；高频传输腔体对应高频传输端口的收窄部设有收窄的第一窄门，低频腔体与高频腔体之间的第二隔离壁上设有第二窄门，高频传输腔体与低频腔体的第三隔离墙上设有第三窄门。本发明提供的高频微波多端口无谐振腔体封装结构，能够解决腔体谐振效应造成微波信号传输差的问题。
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公开(公告)号：CN111312703A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010090969.8
申请日：2020-02-13
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种三维立体混合集成电路封装结构及装配方法，属于半导体封装技术领域，包括封装外壳、下层基板、上层基板，封装外壳设有贯穿封装外壳的底板的引脚；上层基板和下层基板通过BGA植球倒装焊工艺实现叠层互联；下层基板的下层正面焊盘上和上层基板的上层正面焊盘均设有元器件。本发明提供的三维立体混合集成电路封装结构，能够提高混合集成电路的集成度，同时可以把体积较大且需要调试的元器件放置上层基板上，方便单独调试和单独装配，而且调试时不损伤其他器件，提高了产品的可操作性和简化装配难度。
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公开(公告)号：CN110676549A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910841410.1
申请日：2019-09-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/08
摘要： 本发明适用于微波毫米波电路技术领域，提供了一种微带线垂直过渡结构与微波器件，该结构包括：金属盒体上开有一贯穿上下侧面的过渡腔体；每个微带探针装置的正面设置微带线和微带探针；金属盒体置于两个微带探针装置之间，与每个微带探针装置的背面连接，且每个微带探针装置上设置的微带探针的位置与过渡腔体的位置对应；两个介质匹配块分别设置在两个微带探针装置的正面，且与过渡腔体的位置对应，用于形成短路活塞结构，微带线垂直过渡结构的结构简单，易于装配，并且设置的短路活塞结构从而可以实现高频、低损耗、小型化的微波毫米波垂直过渡结构。
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