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公开(公告)号：CN114252397B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111614583.3
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种增透膜剩余反射率测试陪片。该陪片为单面抛光片；陪片对测试波长的吸收系数大于40每厘米；陪片的材料是掺杂浓度大于1.9*1018每立方厘米的N型掺杂材料。本发明能够通过采用对激光器芯片相应波段具有强吸收作用的材料作陪片，降低了陪片背面的反射光强度，减小了背面反射光对正面反射光的干涉作用，减小了剩余反射率测试曲线的抖动，提高了增透膜剩余反射率测试精度。
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公开(公告)号：CN116683279A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310637262.8
申请日：2023-05-31
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 程义涛 , 王英顺 , 刘牧荑 , 封嘉纯 , 车相辉 , 武艳青 , 吴昊伦 , 崔璐 , 张厚博 , 李松松 , 沈牧 , 王媛媛 , 马汉超 , 冯晨阳 , 张晓松 , 张港 , 房玉锁 , 王晓燕 , 孙奕涛 , 孙芮 , 崔绍辉 , 申正坤 , 庞帅 , 李晓红 , 王龙梅 , 王立斌 , 王亚楠 , 王雪飞 , 牛丽媛
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/40 , H01S5/02251 , H01S5/02355
摘要： 本发明提供了一种多波长半导体激光器耦合封装结构及封装方法，属于光电技术领域，包括：管壳、制冷片、陶瓷片和支光纤。管壳用于封装制冷片、焊有芯片的梯形ALN陶瓷片，并为各个芯片提供管脚。制冷片固设于管壳的底面上，陶瓷片固设于制冷片上，陶瓷片上设置有多个安装台阶，多个芯片一一对应的贴装于不同的安装台阶上；一一对应连接各芯片的支光纤，多根支光纤融合为一根耦合光纤，从管壳引出。本发明提供的多波长半导体激光器耦合封装结构，将多个波长不同的芯片封装在同一个管壳内，并将连接各芯片的支光纤融合为一根耦合光纤，实现了封装期间的小型化，节约了整机空间，可实现整机的小型化。
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公开(公告)号：CN116300148A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310077193.X
申请日：2023-02-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种偏振控制器、偏振控制系统及偏振输出光的角度调节方法。该偏振控制器包括：起偏器、磁光介质、检偏器以及电生磁装置；起偏器的中心、磁光介质的中心以及检偏器的中心处于同一水平线上，且起偏器与检偏器分别位于磁光介质两侧，检偏器设置有基于预设量程制备的不同的偏振角度；电生磁装置用于产生不同磁感应强度的磁场，以使输入起偏器的输入光以不同的偏振角度输出。本发明能够实现在特定电流强度时特定角度的线偏振光的输出，从而实现特定角度的偏振控制，调测试灵活性较好；整个偏振控制器结构体积较小，便于携带；且基于处于不同磁场下的磁光介质还可以实现反射光以与输入光相同偏振角度的继续旋转，实现一定程度的光隔离效果。
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公开(公告)号：CN114594563B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202210033618.2
申请日：2022-01-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G02B7/02
摘要： 本发明提供了一种微透镜调试装置，包括调节支架、多个弹性夹持体和多个调节丝；调节支架用于与微调设备的调节端连接，并具有相对设置的第一连接部和第二连接部；多个弹性夹持体分别连接于第一连接部和第二连接部，第一连接部与对应的弹性夹持体之间形成第一固定空间，第二连接部与对应的弹性夹持体之间形成第二固定空间；多个调节丝分别置于第一固定空间和第二固定空间之内，调节丝具有伸出第一固定空间或第二固定空间的伸出端，伸出端用于与微透镜的指定点位粘接。本发明不需要对微透镜进行夹持也能实现装置整体与微透镜的有效连接，有效缩小了微透镜调试装置连接端的体积，使装置整体结构更加紧凑，能够适应微透镜的调试固定需求。
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公开(公告)号：CN111129955A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911229068.6
申请日：2019-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 武艳青
摘要： 本发明涉及微加工刻蚀技术领域，尤其涉及一种低温等离子体干法刻蚀方法及其应用。该方法将完成光刻工艺后的脊型结构在ICP设备中进行干法刻蚀，刻蚀分四步，分别为刻蚀前去除残胶底膜、介质层上部干法刻蚀、介质层下部干法刻蚀、去除残胶以及聚合物。该刻蚀方法可以保持介质垂直刻蚀形貌并减小窗口基底受到的离子轰击，减小基底晶格损伤，从而提高载流子迁移率，减小器件的欧姆接触电阻率，该方法可应用于脊波导半导体激光器P型欧姆接触窗口的刻蚀。
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公开(公告)号：CN112582262B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202011363519.8
申请日：2020-11-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明涉及微加工湿法腐蚀技术领域，具体公开一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用。所述方法采用逐级腐蚀的方法，分阶段将具有多层结构的基片腐蚀至目标深度，其中，前一阶段腐蚀结束后取出基片用去离子水冲洗其表面后再进入下一腐蚀阶段；其中，采用的非选择湿法腐蚀液为体积比为1.9‑2.1:1:14‑16的溴化氢溶液、双氧水和水的混合溶液，所述溴化氢溶液的浓度为40‑45wt％，双氧水的浓度为30‑35wt％。该腐蚀方法可以保持不同材料层之间腐蚀速率一致，腐蚀后不同材料层端面光滑无台阶，同时腐蚀速率可提高到3μm/min量级。该方法可应用于具有多层材料结构的半导体激光器芯片隔离槽以及划片槽的制备中。
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公开(公告)号：CN114594563A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210033618.2
申请日：2022-01-12
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G02B7/02
摘要： 本发明提供了一种微透镜调试装置，包括调节支架、多个弹性夹持体和多个调节丝；调节支架用于与微调设备的调节端连接，并具有相对设置的第一连接部和第二连接部；多个弹性夹持体分别连接于第一连接部和第二连接部，第一连接部与对应的弹性夹持体之间形成第一固定空间，第二连接部与对应的弹性夹持体之间形成第二固定空间；多个调节丝分别置于第一固定空间和第二固定空间之内，调节丝具有伸出第一固定空间或第二固定空间的伸出端，伸出端用于与微透镜的指定点位粘接。本发明不需要对微透镜进行夹持也能实现装置整体与微透镜的有效连接，有效缩小了微透镜调试装置连接端的体积，使装置整体结构更加紧凑，能够适应微透镜的调试固定需求。
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公开(公告)号：CN114252397A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111614583.3
申请日：2021-12-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种增透膜剩余反射率测试陪片。该陪片为单面抛光片；陪片对测试波长的吸收系数大于40每厘米；陪片的材料是掺杂浓度大于1.9*1018每立方厘米的N型掺杂材料。本发明能够通过采用对激光器芯片相应波段具有强吸收作用的材料作陪片，降低了陪片背面的反射光强度，减小了背面反射光对正面反射光的干涉作用，减小了剩余反射率测试曲线的抖动，提高了增透膜剩余反射率测试精度。
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公开(公告)号：CN111129955B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201911229068.6
申请日：2019-12-04
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人： 武艳青
摘要： 本发明涉及微加工刻蚀技术领域，尤其涉及一种低温等离子体干法刻蚀方法及其应用。该方法将完成光刻工艺后的脊型结构在ICP设备中进行干法刻蚀，刻蚀分四步，分别为刻蚀前去除残胶底膜、介质层上部干法刻蚀、介质层下部干法刻蚀、去除残胶以及聚合物。该刻蚀方法可以保持介质垂直刻蚀形貌并减小窗口基底受到的离子轰击，减小基底晶格损伤，从而提高载流子迁移率，减小器件的欧姆接触电阻率，该方法可应用于脊波导半导体激光器P型欧姆接触窗口的刻蚀。
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公开(公告)号：CN112582262A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011363519.8
申请日：2020-11-27
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/311
摘要： 本发明涉及微加工湿法腐蚀技术领域，具体公开一种多层材料的非选择性湿法腐蚀方法及其应用。所述方法采用逐级腐蚀的方法，分阶段将具有多层结构的基片腐蚀至目标深度，其中，前一阶段腐蚀结束后取出基片用去离子水冲洗其表面后再进入下一腐蚀阶段；其中，采用的非选择湿法腐蚀液为体积比为1.9‑2.1:1:14‑16的溴化氢溶液、双氧水和水的混合溶液，所述溴化氢溶液的浓度为40‑45wt％，双氧水的浓度为30‑35wt％。该腐蚀方法可以保持不同材料层之间腐蚀速率一致，腐蚀后不同材料层端面光滑无台阶，同时腐蚀速率可提高到3μm/min量级。该方法可应用于具有多层材料结构的半导体激光器芯片隔离槽以及划片槽的制备中。
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