-
公开(公告)号：CN118053932A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410121889.2
申请日：2024-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/0312
摘要： 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最大掺杂浓度小于等于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最小掺杂浓度大于等于吸收层的掺杂浓度。本发明通过在掺杂浓度差异较大的吸收层与电荷层之间设置渐变层，可通过渐变层的掺杂浓度渐变实现吸收层与电荷层的能带渐变，可有效减少吸收层与电荷层之间电荷累积，提高光生载流子的输运效率，降低体内漏电，降低探测器的暗电流和暗计数率，显著提升光电探测效率。
-
公开(公告)号：CN118053738A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410054141.5
申请日：2024-01-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56
摘要： 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化硅衬底的表面生成氧化镓缓冲层；对反应室抽真空并更换为氢气气氛，并升温至第二预设温度，对氧化镓缓冲层进行第二预设时长的原位退火；对反应室抽真空，并将反应室环境更换至载气为第二载气、Ga源为第二Ga源、氧源为氧气，进行第三预设时长的外延生长，以在氧化镓缓冲层的表面生成氧化镓外延层。本申请能够获得大尺寸高质量的碳化硅基氧化镓外延片，并提高外延片的散热性能。
-
公开(公告)号：CN109461716A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811266561.0
申请日：2018-10-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L23/538 , H01L21/768
摘要： 本发明适用于微电子技术领域，提供了一种混合型多芯片组件及其制备方法，混合型多芯片组件包括：基板；所述基板上表面设有液晶聚合物层；所述液晶聚合物层中设有电路互连孔，所述电路互连孔贯穿所述液晶聚合物层；所述液晶聚合物层的电路区和所述电路互连孔的底面和侧壁上均设有种子层；所述种子层与所述电路区对应区域的上表面设有薄膜电路，所述电路互连孔中设有互连层，所述互连层连接所述薄膜电路和所述基板。本发明中的混合型多芯片组件具有优异的高频性能。
-
公开(公告)号：CN108807324B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810596526.9
申请日：2018-06-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构，微同轴结构的制备方法包括：制备第一结构，制备第二结构，连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述第一结构的外导体中层外墙层与所述第二结构的外导体上层外墙层接触，最后去除第一结构的第一衬底和第二结构的第二衬底，从而制备出微同轴结构。本发明能够提高成品率、降低工艺难度，并缩短工艺周期。
-
公开(公告)号：CN108807324A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810596526.9
申请日：2018-06-11
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构，微同轴结构的制备方法包括：制备第一结构，制备第二结构，连接所述第一结构和所述第二结构，其中，所述第一结构的外导体中层外墙层与所述第二结构的外导体上层外墙层接触，最后去除第一结构的第一衬底和第二结构的第二衬底，从而制备出微同轴结构。本发明能够提高成品率、降低工艺难度，并缩短工艺周期。
-
-
-
-
搜索结果
5 条记录 (耗时 0.052 秒)
