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公开(公告)号：CN114906796A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110175301.8
申请日：2021-02-09
摘要： 本发明公开了一种具有Z轴止挡的圆片级真空封装方法、及利用该方法制成的MEMS封装结构，包括：制备盖板圆片；在盖板圆片刻蚀键合用空腔及止挡结构，其中，止挡结构构造为空腔凹槽内侧的凸起部，且止挡结构的设置位置与在完成键合后MEMS器件可动结构在Z轴方向上的活动位置相对应；在盖板圆片的表面制备介质层；去除止挡结构表面的介质层；在盖板圆片中制备用来实现键合的键合区，以及在空腔内制备吸气剂；将经过一系列处理的盖板圆片与结构圆片进行键合实现圆片级真空封装；对封装好的MEMS器件进行引线孔刻蚀。本发明在实现圆片级真空封装的同时，还解决了Z轴方向上的过载问题，具有工艺兼容性强、成本低、可实现批量生产的特点。
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公开(公告)号：CN114910665A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110177420.7
申请日：2021-02-09
IPC分类号： G01P15/125 , B81B7/00 , B81B7/02
摘要： 本发明提供一种具有低噪声的微机械检测结构设计方法，其包含：步骤一：分别确定影响微机械检测结构的机械布朗噪声以及灵敏度的影响参数；步骤二：以减少机械布朗噪声，保证灵敏度不变或增加为原则，从所述影响参数中选择需要进行改变的改变参数以及针对所述改变参数的改变策略；步骤三：考虑不同加工工艺的影响，在进行微机械检测结构加工时依据所述改变策略进行加工工艺改进。本发明能够在常压下进行圆片封装，避免了真空封装的复杂性和高成本，提高了器件的可靠性。此外，能够在保证灵敏度等重要指标不变的前提下，大幅降低加速度计的机械布朗噪声，提升传感器的整体性能。
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公开(公告)号：CN114910096A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202110177426.4
申请日：2021-02-09
摘要： 本发明提供一种MEMS陀螺正交耦合在片自动测试装置，其包含：测试模块，其满足圆片级正交耦合测试要求，集成在低寄生参数探卡上，通过低寄生探针与待测陀螺连接，用于对所述待测陀螺进行正交耦合测试；采集与配置模块，其与所述测试模块连接，用于对所述测试模块进行参数配置，并采集所述待测陀螺的驱动信号以及检测信号；控制模块，其与所述采集与配置模块连接，用于依据所述驱动信号以及所述检测信号计算得到所述待测陀螺的正交耦合数据。本发明能够在圆片级对陀螺正交耦合进行精确、批量测试，剔除正交耦合不合格芯片，并且，避免了不合格芯片进入下一生产环节，缩短了产品迭代周期，提高了生产效率，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN114744047A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470918.7
申请日：2022-04-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/20 , H01L29/423
摘要： 本发明提供一种氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在n型氧化镓沟道层上的源电极、漏电极和栅电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内设有多个周期排布的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在n型氧化镓沟道层上形成鳍状台面；鳍状台面的两个侧壁从源电极侧以相互远离的方式向漏电极侧延伸；其中，栅电极还覆盖所述鳍状台面的上表面和两个侧壁，形成FinFET结构。本发明提供的氧化镓场效应晶体管可以进一步提高器件的击穿特性。
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公开(公告)号：CN111600598A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010448531.2
申请日：2020-05-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03K23/40
摘要： 本发明提供了一种同步计数器，该同步计数器包括：逻辑电路、至少两个数选电路、至少两个D触发器，至少两个数选电路与至少两个D触发器一一对应；逻辑电路的信号输入端与每个D触发器的输出端连接，逻辑电路的第一信号输出端与每个数选电路的第一输入端连接，逻辑电路的第二信号输出端与每个数选电路的地址选择输入端连接；对于相互对应的数选电路和D触发器，数选电路的输出端与D触发器的信号输入端连接；每个数选电路的第二输入端用于接收同步计数器的预设电平信号，每个D触发器的时钟输入端为同步计数器的输入端，逻辑电路的第二信号输出端为同步计数器的输出端。本发明提供的同步计数器供电电压更低。
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公开(公告)号：CN103311288A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310171111.4
申请日：2013-05-10
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/201
摘要： 本发明公开了一种基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT，属于半导体器件。本发明自上而下依次包括盖帽层、势垒层、沟道层、阻挡层、耐压层、集电层、发射极、集电极和凹槽栅极；将凹槽栅极延伸到盖帽层及其以下的部分称为栅根；栅根的深度不小于盖帽层、势垒层、沟道层和阻挡层的深度之和；阻挡层为InxAlyGa1-x-yN（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1）。本发明在原有的IGBT中应用特殊结构的凹槽栅极，使得发射区载流子可以沿凹槽栅极的侧壁穿过阻挡层进入耐压区；阻挡层采用大禁带宽度的InxAlyGa1-x-yN，可抬高阻挡层势垒，起到天然阻挡层的作用，因而无需在材料外延生长过程中进行阻挡层挖槽，解决了盖帽层、势垒层、沟道层需要二次外延的问题。
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公开(公告)号：CN113395056B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110656500.0
申请日：2021-06-11
申请人： 西安交通大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H03K3/02
摘要： 本发明公开了一种快前沿大电流脉冲调制器电路及脉冲调制器，该大电流脉冲调制器电路包括电流源单元、开关单元、储能单元和负载单元，所述的开关单元由一组或者多组半导体开关组成，所述得电流源可以为恒流源或者脉冲电流源，所述的电流源其峰值电流高于工作时的脉冲电流。本发明提出一种快前沿大电流脉冲调制器，其由电流源单元和开关单元所构成。电流源单元在主开关单元动作前在极短时间内对负载施加一较高幅值的脉冲电流，使负载两端电压快速提升至额定电压，从而获得快前沿脉冲，采用此种方法可以在负载两端获得远小于30ns的脉冲前沿。
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公开(公告)号：CN115312387A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202211020575.0
申请日：2022-08-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/06 , H01L29/41 , H01L29/872
摘要： 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电层上表面制备预设形状的钝化层，钝化层未覆盖导电层的中部区域；对导电层进行湿法腐蚀，形成保护环，露出部分轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层的露出部分制备第一电极，第一电极、钝化层、保护环和轻掺杂半导体层之间形成空气腔；在重掺杂半导体层下表面形成第二电极。本申请的方法能够较容易实现寄生电容小，击穿电压高的肖特基二极管，提高工作频率和耐受功率，有效提升二极管器件的成品率和一致性。
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公开(公告)号：CN115206785A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210632936.0
申请日：2022-06-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘。该方法包括：将翘曲度为非零值的衬底放置在内部包含空气腔的衬底托盘上；采用外延工艺，在衬底的外延生长面上进行外延层生长，对上述衬底与外延层进行降温处理，以使得到翘曲度小的外延片，其中，衬底托盘的空气腔形状使得衬底托盘的边缘与中部的温差保持在预设范围区间。本申请能够减小生成的外延片的翘曲度，提高外延片的均匀性，进而提高了使用上述外延片制备得到的半导体器件的均一性以及成品率。
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公开(公告)号：CN114743881A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210470222.4
申请日：2022-04-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂形成源区；离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟道层上依次生长源电极层及掩膜层；对源电极层上及氧化镓沟道层上未被掩膜层覆盖的区域进行刻蚀，形成沟槽；其中，氧化镓沟道层的刻蚀深度小于氧化镓沟道层的厚度大于离子注入的深度；在沟槽及掩膜层上生长P型介质层；在P型介质层上生长栅电极层；去除掩膜层；在氧化镓衬底的下表面制备漏电极。本发明采用自对准剥离技术，通过P型介质层形成PN结，制备过程简单，降低了垂直场效应晶体管的制备难度。
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