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公开(公告)号：CN116093567A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310134932.4
申请日：2023-02-20
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC: H01P3/06
Abstract: 本发明提供一种射频介质集成同轴长距离传输结构，包括设定在多层介质板中的射频介质集成同轴以及印制在多层介质板内的若干个圆形金属铜箔，射频介质集成同轴由中心内导体金属化过孔以及围绕中心内导体金属化过孔圆形阵列分布的若干个外导体金属化过孔组成，沿中心内导体金属化过孔中心线方向线性间隔分布着若干个圆形金属铜箔，圆形金属铜箔与中心内导体金属化过孔同心且相连接，同时，不与外导体金属化过孔相连接。本发明在传统射频介质集成同轴的基础上，沿中心内导体金属化过孔中心线方向线性间隔放置了若干个圆形金属铜箔，从而改变了射频信号传输过程中的电磁场型，改善了长距离传输的驻波，降低了长距离传输的损耗。
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公开(公告)号：CN106953658A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710048287.9
申请日：2017-01-20
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种高集成度有源相控阵收发组件，旨在一种体积小，集成度高的相控阵收发组件。本发明通过下述技术方案予以实现：相控阵T/R组件与和差器通过垂直互联射频印制板集成在一块高频印制板内，形成一个集成和差器的高密度相控阵T/R收发组件，相控阵T/R组件工作在接收模式R时，将每路天线传输过来的射频信号经矢量调制与合成，再经垂直互联射频印制板进行射频信号垂直过渡,最后经和差器将输入射频信号进行矢量叠加，传送给端机使用；T/R组件工作在发射模式T时，将端机传输过来的射频信号经和差器、垂直互联射频印制板与相控阵T/R组件进行矢量调制与放大，传输给天线作为激励源使用。
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公开(公告)号：CN118693497A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410825559.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种带状线传输线到同轴传输线的过渡结构，包括带状线，所述带状线的上方连通有上屏蔽腔，所述带状线的下方连通有下屏蔽腔，所述上屏蔽腔、带状线和下屏蔽腔共同设置在一多层电路板内，所述多层电路板的一侧电气连接有一过渡界面，所述过渡界面的另一侧电气连接有一同轴线，所述过渡界面包括界面地板，所述界面地板的中部设置所述绝缘缺口，所述绝缘缺口与上屏蔽腔、带状线、下屏蔽腔和同轴线均连通。设计了过渡界面，实现了多层电路板内部的带状线到多层电路板侧壁同轴线的过渡；在过渡界面处设置了绝缘缺口，在内部上地板和内部下地板靠近过渡界面处设置了过渡缺口，用以引导电磁场型由带状线场型平滑过渡至同轴场型，从而获得传输驻波好、损耗低的优点。
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公开(公告)号：CN106953658B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201710048287.9
申请日：2017-01-20
Applicant: 西南电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十研究所)
Abstract: 本发明公开的一种高集成度有源相控阵收发组件，旨在一种体积小，集成度高的相控阵收发组件。本发明通过下述技术方案予以实现：相控阵T/R组件与和差器通过垂直互联射频印制板集成在一块高频印制板内，形成一个集成和差器的高密度相控阵T/R收发组件，相控阵T/R组件工作在接收模式R时，将每路天线传输过来的射频信号经矢量调制与合成，再经垂直互联射频印制板进行射频信号垂直过渡,最后经和差器将输入射频信号进行矢量叠加，传送给端机使用；T/R组件工作在发射模式T时，将端机传输过来的射频信号经和差器、垂直互联射频印制板与相控阵T/R组件进行矢量调制与放大，传输给天线作为激励源使用。
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公开(公告)号：CN106207492A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610734908.4
申请日：2016-08-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开的一种高密度集成一体化瓦式有源相控阵天线架构，旨在提供一种体积更小，重量更轻，成本更低，性能稳定，能够消除自激现象，集成度高的瓦式有源相控阵天线架构。本发明通过下述技术方案予以实现：辐射阵元层设置在上多层PCB板（2）上，每个金属辐射贴片（1）阵列模块通过射频馈电线（4）电连接MMIC芯片（5），MMIC芯片封装在上多层PCB板与下多层PCB板之间的金属封闭腔（12）内形成RF馈电层；每个MMIC芯片分别电连接位于多层印制板（3）下方底平面上的信道组件（7）、电源组件（8）和波束控制组件9），并与分别设置在所述多层印制板底部两端的射频对外接口（10）和控制、供电对外接口（11）形成DC电源与控制电路层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118825625A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410825434.9
申请日：2024-06-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种毫米波有源阵面高密度集成架构，包括承载结构件，所述承载结构件的上部放置有辐射单元模块，所述承载结构件的下部放置有有源电路模块，所述辐射单元模块和有源电路模块在上下方向上间隔放置，且所述辐射单元模块和有源电路模块之间通过射频连接器连接。将辐射单元模块和有源模块分离，采用射频连接器进行互连，通过在辐射单元混压印制板和有源电路混压印制板上设置额外的上互连接口转接印制板和下互连接口转接印制板，巧妙地将互连位置疏密交替阵列排列，给装配SIP器件提供空间，成功实现辐射单元单面装配SIP器件，系统印制板双面装配SIP器件，大地提高了有源阵面的集成度。
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公开(公告)号：CN118646373A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410667434.0
申请日：2024-05-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种同频统型功放芯片及模组级使用方法，该方法属于射频半导体技术领域，该芯片包括分布在芯片一侧的小功率放大支路和分布在芯片另一侧的大功率放大支路，小功率放大支路包括若干小功率漏极供电压点，大功率放大支路包括若干大功率漏极供电压点，小功率放大支路和大功率放大支路的输入端和输出端共用就近地压点；通过大功率漏极供电压点和小功率漏极供电压点调整功放芯片的漏极电压。本发明通过改变功放芯片漏极供电电压的方式改变输出功率，以到达统型的目的。
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公开(公告)号：CN106207492B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610734908.4
申请日：2016-08-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开的一种高密度集成一体化瓦式有源相控阵天线架构，旨在提供一种体积更小，重量更轻，成本更低，性能稳定，能够消除自激现象，集成度高的瓦式有源相控阵天线架构。本发明通过下述技术方案予以实现：辐射阵元层设置在上多层PCB板（2）上，每个金属辐射贴片（1）阵列模块通过射频馈电线（4）电连接MMIC芯片（5），MMIC芯片封装在上多层PCB板与下多层PCB板之间的金属封闭腔（12）内形成RF馈电层；每个MMIC芯片分别电连接位于多层印制板（3）下方底平面上的信道组件（7）、电源组件（8）和波束控制组件（9），并与分别设置在所述多层印制板底部两端的射频对外接口（10）和控制、供电对外接口（11）形成DC电源与控制电路层。
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公开(公告)号：CN119519741A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411496922.6
申请日：2024-10-25
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成和差网络与电源模组的瓦片式收发组件，涉及有源相控阵天线技术领域，包括：高密度相控阵T/R组件、板内高低频垂直互联结构、和差网络、电源模组；所述高密度相控阵T/R组件与板内高低频垂直互联结构连接，所述板内高低频垂直互联结构与和差网络和电源模组连接；所述高密度相控阵T/R组件连接天线，所述和差网络连接端机，所述电源模组接外部交流源。本发明，将瓦片式T/R组件模块、和差网络模块与电源模组模块集成在一个组件中，实现小体积与高集成度，达到相控阵收发系统的小型化与低成本应用。
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公开(公告)号：CN115000708B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202210584815.3
申请日：2022-05-27
Applicant: 中国电子科技集团公司第十研究所
Abstract: 本发明公开了一种有源相控阵天线波束状态的简化配置方法，该方法括：将N元相控阵天线中的N个数控移相器分为L组，每组有M个数控移相器；将第L组所有DATA_in数据端口一起连接到第L个数据信号线；将所有组第M个CS使能端口一起连接到第M个使能信号线；将第一个使能信号线打开，其余使能信号线关闭，通过第1个数据信号线至第L个数据信号线分别配置所有组的第1个数控移相器；依次类推，完成所有数控移相器的配置。本发明采用数控移相器的数字数据端口跟数字使能端口配合使用的方法，降低了信号线的使用数量，同时，不需要额外的数字电路。
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