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公开(公告)号：CN114512868A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210060546.0
申请日：2022-01-19
申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所
摘要： 本发明公开的一种键合式射频同轴连接器，可靠性高，方便快捷，能够缓冲射频模块壳体与印制板之间因存在热膨胀差异而产生热应力。本发明通过下述技术方案实现：所述连接器包括镶嵌在中空外导体悬臂筒孔中的绝缘体介质，插入绝缘体介质的内导体，所述悬臂筒包括同体相连中空外导体外圆端面的圆筒弦切面导体和半圆弧弦切面拱形导体；半圆弧弦切面拱形导体制有内环弧槽和相连内环弧槽的弧切悬臂，内环弧槽将上述绝缘体介质约束在内环弧槽的内侧端面上；内导体的固定端制有直径＞自由端圆柱内导体直径的L形弦截头，并悬空在所述弧切悬臂的半圆弧槽上方，L形弦截头的铣削平面与半圆弧弦切面拱形导体悬臂端的拱底平面为键合平面，并且二者共面平齐。
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公开(公告)号：CN116093567B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202310134932.4
申请日：2023-02-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC分类号： H01P3/06
摘要： 本发明提供一种射频介质集成同轴长距离传输结构，包括设定在多层介质板中的射频介质集成同轴以及印制在多层介质板内的若干个圆形金属铜箔，射频介质集成同轴由中心内导体金属化过孔以及围绕中心内导体金属化过孔圆形阵列分布的若干个外导体金属化过孔组成，沿中心内导体金属化过孔中心线方向线性间隔分布着若干个圆形金属铜箔，圆形金属铜箔与中心内导体金属化过孔同心且相连接，同时，不与外导体金属化过孔相连接。本发明在传统射频介质集成同轴的基础上，沿中心内导体金属化过孔中心线方向线性间隔放置了若干个圆形金属铜箔，从而改变了射频信号传输过程中的电磁场型，改善了长距离传输的驻波，降低了长距离传输的损耗。
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公开(公告)号：CN118646373A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410667434.0
申请日：2024-05-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所
摘要： 本发明公开了一种同频统型功放芯片及模组级使用方法，该方法属于射频半导体技术领域，该芯片包括分布在芯片一侧的小功率放大支路和分布在芯片另一侧的大功率放大支路，小功率放大支路包括若干小功率漏极供电压点，大功率放大支路包括若干大功率漏极供电压点，小功率放大支路和大功率放大支路的输入端和输出端共用就近地压点；通过大功率漏极供电压点和小功率漏极供电压点调整功放芯片的漏极电压。本发明通过改变功放芯片漏极供电电压的方式改变输出功率，以到达统型的目的。
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公开(公告)号：CN116156789A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310074726.9
申请日：2023-01-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所
摘要： 本发明涉及射频电路板制造技术领域，具体涉及一种曲面多层射频电路板的制造方法及压装模具，包括预压装工序和复压装工序，两次压装工序中均进行了射频电路板的曲面压合成型，最终使射频电路板的覆盖层与电路层共形效果好，稳定可靠。本发明实现了曲面多层电路的制造，在保证内部多层互联完好性的前提下，避免了平面多层PCB强行曲面成型造成的内应力，提高了PCB与结构件共形装配的可实现性以及长期共形可靠性；保留了传统的PCB材料体系，不影响电性能、不影响产品的振动、温度等环境适应性。
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公开(公告)号：CN113258278A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110480697.7
申请日：2021-04-30
摘要： 本发明公开的一种宽带圆极化相控阵天线单元，体积小、结构简单，宽频带、绕制圈数和层数少，布阵灵活。本发明通过下述技术方案实现：一个馈电金属圆盘固定在下层介质基板的下表面，并与初级馈电柱底部固联，和金属地板蚀刻在金属地板上的环形缝隙一起形成同轴馈电端口；圆弧弯折金属片带通过初级馈电柱顶端首尾互联在次级馈电柱的底端，第二圆弧金属片带通过次级馈电柱顶端首尾互联在尾级馈电柱的底端，第一圆弧金属片带固联在尾级馈电柱的顶端，三个圆弧金属片带的旋转弧度依次按相同旋向首尾相接重叠相邻的馈电柱，并从上至下分层贯穿上层介质基板、中间层介质基板及第一层半固化片、第二层半固化片，三个圆弧金属片带均绕天线单元中心旋转。
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公开(公告)号：CN118693497A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410825559.1
申请日：2024-06-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所
摘要： 本发明公开了一种带状线传输线到同轴传输线的过渡结构，包括带状线，所述带状线的上方连通有上屏蔽腔，所述带状线的下方连通有下屏蔽腔，所述上屏蔽腔、带状线和下屏蔽腔共同设置在一多层电路板内，所述多层电路板的一侧电气连接有一过渡界面，所述过渡界面的另一侧电气连接有一同轴线，所述过渡界面包括界面地板，所述界面地板的中部设置所述绝缘缺口，所述绝缘缺口与上屏蔽腔、带状线、下屏蔽腔和同轴线均连通。设计了过渡界面，实现了多层电路板内部的带状线到多层电路板侧壁同轴线的过渡；在过渡界面处设置了绝缘缺口，在内部上地板和内部下地板靠近过渡界面处设置了过渡缺口，用以引导电磁场型由带状线场型平滑过渡至同轴场型，从而获得传输驻波好、损耗低的优点。
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公开(公告)号：CN113258278B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202110480697.7
申请日：2021-04-30
摘要： 本发明公开的一种宽带圆极化相控阵天线单元，体积小、结构简单，宽频带、绕制圈数和层数少，布阵灵活。本发明通过下述技术方案实现：一个馈电金属圆盘固定在下层介质基板的下表面，并与初级馈电柱底部固联，和金属地板蚀刻在金属地板上的环形缝隙一起形成同轴馈电端口；圆弧弯折金属片带通过初级馈电柱顶端首尾互联在次级馈电柱的底端，第二圆弧金属片带通过次级馈电柱顶端首尾互联在尾级馈电柱的底端，第一圆弧金属片带固联在尾级馈电柱的顶端，三个圆弧金属片带的旋转弧度依次按相同旋向首尾相接重叠相邻的馈电柱，并从上至下分层贯穿上层介质基板、中间层介质基板及第一层半固化片、第二层半固化片，三个圆弧金属片带均绕天线单元中心旋转。
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公开(公告)号：CN116093567A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310134932.4
申请日：2023-02-20
申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC分类号： H01P3/06
摘要： 本发明提供一种射频介质集成同轴长距离传输结构，包括设定在多层介质板中的射频介质集成同轴以及印制在多层介质板内的若干个圆形金属铜箔，射频介质集成同轴由中心内导体金属化过孔以及围绕中心内导体金属化过孔圆形阵列分布的若干个外导体金属化过孔组成，沿中心内导体金属化过孔中心线方向线性间隔分布着若干个圆形金属铜箔，圆形金属铜箔与中心内导体金属化过孔同心且相连接，同时，不与外导体金属化过孔相连接。本发明在传统射频介质集成同轴的基础上，沿中心内导体金属化过孔中心线方向线性间隔放置了若干个圆形金属铜箔，从而改变了射频信号传输过程中的电磁场型，改善了长距离传输的驻波，降低了长距离传输的损耗。
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公开(公告)号：CN115709337A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211367546.1
申请日：2022-11-03
申请人： 中国电子科技集团公司第十研究所
IPC分类号： B23K26/24 , B23K26/60 , H01Q21/00 , H05K7/14 , B23K101/36
摘要： 本发明公开了一种TR组件封装方法，包括上腔和下腔，上腔与下腔在大面贴合时，上腔与下腔之间形成位于边侧的间隙，在间隙处放置焊环，焊接形成焊缝a将上腔与焊环之间连接，焊接形成焊缝b将下腔与焊环之间连接。本发明针对K频段瓦式相控阵天线的扩展组阵需求，提供一种尺寸紧凑、不占用扩阵方向空间尺寸的小规模子阵TR组件封装方法，该工艺能解决传统相控阵TR组件由于高密度集成化后，难以分割成子阵带来的大尺寸复杂电路组装困难、返修性差等问题，同时具备较好的通用性，可以实现水平方向上的扩阵，具备可靠性高、可制造性好、成品率高等优势。
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