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公开(公告)号:CN118471768A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410604259.0
申请日:2024-05-15
申请人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要: 本发明公开的一种射频离子源,包括:栅网组件、放电室、电磁体、射频线圈、防护罩、进电接线柱、支撑架和进气组件;所述放电室的输入端与进气组件连接,放电室的输出端与栅网组件连接,放电室外侧缠绕射频线圈,所述电磁体通过支撑架环绕设置在射频线圈外侧;所述进气组件贯穿在防护罩内侧,防护罩上设有多个进电接线柱,以实现电磁体和射频线圈与外部电源连接,通过调节电磁体电流大小以改变磁场强度,防护罩与支撑架通过支撑杆连接固定;由进气组件输送的工艺气体在放电室内电离形成等离子体,再经由栅网组件输出。本发明具有结构紧凑、操作便捷、适用范围广等优点,缩短了离子源磁场强度和栅网间距的调试时间。
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公开(公告)号:CN116752124A
公开(公告)日:2023-09-15
申请号:CN202310558071.2
申请日:2023-05-17
申请人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号: C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/22
摘要: 本发明公开一种高温基座及基片加热镀膜方法,基座包括:基片盘、空心主轴、调压组件、升降装置、加热装置和冷却装置;加热装置位于基片盘底部,用于加热基片;基片盘上设有调压组件,调压组件提供的工艺气体填充在基片与基片盘之间;冷却装置包括外冷却管、水箱和冷却盘,冷却盘位于加热装置底部,外冷却管环绕在加热装置外周,冷却水依次流经加热装置内部、外冷却管和冷却盘后循环至水箱;空心主轴分别与冷却盘和升降装置固接,在升降装置的驱动下,空心主轴带动基片盘在真空腔内往复升降。本发明具有结构紧凑、加热均匀性高且控制精准等优点,解决了因加热不均匀、基片易位移及基片装夹困难而导致基片镀膜质量低的问题,实现了基片高质量镀膜。
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公开(公告)号:CN116387121A
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202310479641.9
申请日:2023-04-27
申请人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要: 本发明公开了一种用于射频离子源的放电室及射频离子源,放电室包括:支撑筒、第一栅格和第二栅格,第二栅格嵌套在第一栅格内周,第一栅格嵌套在支撑筒内周,支撑筒的中心位置设有进气接口,第一栅格上均布有n个第一通孔,第二栅格上均布有n个第二通孔,第一通孔的体积大于第二通孔的体积,且第一通孔的中心与第二通孔的中心对齐。本发明还公开了包含上述放电室的射频离子源。本发明具有结构紧凑、原理简单且能够延长离子源使用寿命等优点,解决了因放电室表面生成污染物而导致电磁场无法进入放电室、加速放电室的屏蔽、射频离子源无法电离等问题,提高了装置的稳定性,降低了装置的使用和维护成本。
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公开(公告)号:CN116716561A
公开(公告)日:2023-09-08
申请号:CN202310706231.3
申请日:2023-06-14
申请人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要: 本发明公开了一种离子源栅网的加工方法,该加工方法包括以下步骤:将钼板材加工成栅网;在加热速率≥20℃/min的条件,将栅网加热至1200℃以上进行真空退火处理,完成对栅网的加工。本发明中,通过将栅网快速升温到1200℃以上进行真空退火处理,可将加工成型的栅网再结晶退火,去除内应力,使栅孔加工变形附近组织再结晶,以此改善组织结构,增加均匀性,增加栅网的稳定性,最终提高离子源栅网的使用寿命。进一步的,本发明中通过加工前和加工后的真空退火处理,可改善钼板材的加工性能、力学和物理性能,进而达到进一步改善栅网使用性能,提高稳定性和增加使用寿命的效果。
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公开(公告)号:CN117458398A
公开(公告)日:2024-01-26
申请号:CN202311346718.1
申请日:2023-10-17
申请人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号: H02H7/085
摘要: 本发明公开了一种电机过载保护装置,包括随动板、固定板、移动板、弹性组件和检测开关;随动板的一端紧固在电机的安装板上,固定板的一端紧固在真空磁流体上,移动板滑动安装于固定板的另一端,且移动板与随动板的另一端紧固相连;弹性组件位于固定板与移动板之间,用于产生限制移动板滑动的力矩;检测开关紧固于固定板上且检测端位于随动板另一端的运动轨迹侧。本发明还公开了一种电机系统,包括电机、真空磁流体和如上所述的电机过载保护装置,电机固定于安装板上,电机转轴与真空磁流体轴相连。本发明能够实现设备运动部件运动中任意时刻故障发生时,对电机起到预警过载保护作用,防止电机损坏,提高设备的运行可靠性。
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公开(公告)号:CN308702726S
公开(公告)日:2024-06-25
申请号:CN202330645676.6
申请日:2023-10-07
申请人: 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要: 1.本外观设计产品的名称:高温扫描磁控溅射系统。
2.本外观设计产品的用途:用于金属薄膜溅射。
3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。
4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图。
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