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公开(公告)号：CN116387121A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310479641.9
申请日：2023-04-27
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明公开了一种用于射频离子源的放电室及射频离子源，放电室包括：支撑筒、第一栅格和第二栅格，第二栅格嵌套在第一栅格内周，第一栅格嵌套在支撑筒内周，支撑筒的中心位置设有进气接口，第一栅格上均布有n个第一通孔，第二栅格上均布有n个第二通孔，第一通孔的体积大于第二通孔的体积，且第一通孔的中心与第二通孔的中心对齐。本发明还公开了包含上述放电室的射频离子源。本发明具有结构紧凑、原理简单且能够延长离子源使用寿命等优点，解决了因放电室表面生成污染物而导致电磁场无法进入放电室、加速放电室的屏蔽、射频离子源无法电离等问题，提高了装置的稳定性，降低了装置的使用和维护成本。
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公开(公告)号：CN112176325B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202011025958.8
申请日：2020-09-25
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： C23C16/509 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种板式PECVD设备，包括反应腔体，所述反应腔体内设有加热盘，所述加热盘上设有屏蔽环，加热盘外周设有下整流罩，所述下整流罩上方设有可升降的上整流罩，所述上整流罩内侧设有上电极、匀气块、以及位于上电极与匀气块之间的调节垫环，所述上电极和匀气块之间形成缓冲腔，所述匀气块上设有进气通道，所述上电极上均匀设置有多个出气通道，上电极通过所述匀气块与射频匹配器导通。本发明具有能够实现较低功率辉光放电，降低带电粒子对薄膜损伤等优点。
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公开(公告)号：CN113122826A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010047226.2
申请日：2020-01-16
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明公开了一种PECVD设备加热装置，包括加热盘以及多根设于加热盘中间区域的支撑杆，所述加热盘内设有多圈加热电阻丝，所述支撑杆位于所述加热电阻丝的内侧，PECVD设备加热装置还包括辐射加热部件，所述辐射加热部件设于所述加热盘的下方。本发明具有种结构简单、成本低、加热均匀性好、有利于保证工艺效果等优点。
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公开(公告)号：CN113053709A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110268293.1
申请日：2021-03-12
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/305
摘要： 本发明公开了一种用于离子源的条形栅网组件，包括由上至下间隔布置的地栅网、加速栅网和屏栅网，所述地栅网对应设有用于安装地栅网的地栅法兰，所述加速栅网对应设有包括用于安装加速栅网的加速栅法兰，所述屏栅网对应设有用于安装屏栅网的屏栅法兰，所述屏栅法兰、加速栅法兰和地栅法兰三者相连，所述地栅网、加速栅网和屏栅网均为条形。本发明由于地栅网、加速栅网和屏栅网均为条形结构，那么栅网下方可以沿着栅网长度方向放置多个基片，在刻蚀时沿栅网长度垂直方向往复运动，提高刻蚀的均匀性，这样每次刻蚀的基片数量多，产能高。
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公开(公告)号：CN109524285B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201710846379.1
申请日：2017-09-19
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/317
摘要： 本发明公开了一种离子束刻蚀设备，包括真空腔室，所述真空腔室内设有离子源、工件台和旋转轴，所述旋转轴和所述工件台均竖直布置，所述离子源和所述工件台相对布置，旋转轴上安装有驱动工件台沿与离子源的离子束垂直的方向水平往复运动的扫描机构，所述离子束入射至所述扫描机构的位置与所述旋转轴的轴心线重合。本发明具有离子束入射角度可调而刻蚀距离不变，使不同材料均能达到最优的刻蚀效果等优点。
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公开(公告)号：CN111485217A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010467981.6
申请日：2020-05-28
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明公开了一种升降基座，包括基片盘、设于基片盘下方的升降杆及设于升降杆外周的导向套组件，还包括固定座、安装座及升降座，所述固定座与所述安装座之间连接有浮动接头，所述安装座上设有丝杆及用于带动丝杆旋转的驱动组件，所述升降杆与所述升降座固定连接，所述升降座上设有丝杆螺母，所述丝杆与所述丝杆螺母相连。本发明具有结构简单、可靠，升降运动可控等优点。
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公开(公告)号：CN108611615B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201810643700.0
申请日：2018-06-21
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明公开了一种用于磁控溅射镀膜的基片台，包括内部带控温液体流道的基片座、以及一端与基片座相连的旋转轴组件，所述旋转轴组件包括由内至外依次布置的内轴、外轴以及隔热套管，所述内轴为中空结构并与所述控温液体流道的入口连通，所述外轴与所述内轴之间具有控温液体回流间隙，所述控温液体流道的出口与所述控温液体回流间隙连通，所述隔热套管与所述外轴之间具有间隙、且隔热套管两端与所述外轴密封连接，所述隔热套管上设有抽真空接口。本发明具有有利于减少热量损失，便于控温等优点。
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公开(公告)号：CN107644826B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201710840682.0
申请日：2017-09-18
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
摘要： 本发明公开了一种半导体真空设备的密封门装置，包括门板，还包括升降导轨、升降驱动组件、上安装梁、用于带动门板前后移动的压紧驱动组件，所述升降导轨为两件并分设于所述门板左右两侧，所述上安装梁两端分别滑设于两件所述升降导轨上，所述升降驱动组件与所述上安装梁相连，所述压紧驱动组件安装于所述上安装梁上并与所述门板相连。本发明具有结构简单，密封可靠，有利于自动化控制等优点。
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公开(公告)号：CN106435499B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610865393.1
申请日：2016-09-29
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射镀膜机，包括腔体、基片台及多个溅射靶，多个溅射靶沿基片台圆周方向布置并朝基片台偏转，所述腔体底部于相邻两个溅射靶之间分别安装有一组隔板组件，所述溅射靶与所述基片台之间设有旋转挡板组件，所述旋转挡板组件上开设有供单个溅射靶进行溅射工艺的缺口。本发明具有构简单可靠、成本低、可对溅射靶形成有效保护、减少靶材之间的交叉污染、提高沉膜质量等优点。
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公开(公告)号：CN106435498B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201610850298.4
申请日：2016-09-26
申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明公开了一种磁控溅射靶挡板机构，包括挡板，还包括用于驱动挡板旋转的驱动组件、挡板旋转时引导挡板升降的引导组件及用于安装引导组件的支架，所述引导组件包括滚轮、弹性件及用于引导滚轮升降的引导板，所述滚轮和所述弹性件相对布置于所述挡板两侧，所述滚轮安装于所述挡板上，所述引导板固设于所述支架上，所述弹性件抵设于所述挡板和所述支架之间。本发明具有结构简单可靠、能够与溅射靶紧密贴合、对溅射靶形成有效保护、减少靶材之间的交叉污染、提高沉膜质量等优点。
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