公开(公告)号：CN109680264B

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN201710978035.6

申请日：2017-10-19

申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

发明人： 罗才旺 ,  魏唯 ,  陈锋武 ,  程文进

IPC分类号： C23C16/50

摘要： 本发明公开了一种低功率起辉的平板PECVD设备，包括反应室、以及设于反应室内的上电极环和下电极环，所述上电极环和所述下电极环之间设有调节垫环。本发明具有结构简单、调节方便、有利于实现低功率起辉等优点。

公开(公告)号：CN105225931B

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201510637933.6

申请日：2015-09-30

申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

发明人： 巩小亮 ,  陈锋武 ,  罗才旺 ,  刘欣 ,  林伯奇 ,  肖慧 ,  魏唯 ,  彭立波

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

摘要： 一种本发明的AlN模板及其生长方法、基于AlN模板的Si基GaN外延结构及其生长方法。该AlN模板无微裂纹，表面粗糙度在2nm以下，无柱状晶或孔洞型缺陷。生长方法包括在硅衬底上先沉积Al岛、原位退火，再沉积AlN。基于AlN模板的Si基GaN外延结构包括由下至上依次层叠的Si基体、AlN模板层、AlxGa1‑xN应力缓冲层、超晶格过渡层和周期性交替排列的GaN生长层与插入层，生长方法包括在Si衬底上依次生长前述各层。AlN模板具有较低的表面粗糙度和缺陷密度，基于AlN模板的Si基GaN外延结构及其生长方法可强化应力调控和位错控制作用、稳定地实现大尺寸Si基GaN的无裂纹外延生长。

公开(公告)号：CN109680264A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201710978035.6

申请日：2017-10-19

申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

发明人： 罗才旺 ,  魏唯 ,  陈锋武 ,  程文进

IPC分类号： C23C16/50

CPC分类号： C23C16/50

摘要： 本发明公开了一种低功率起辉的平板PECVD设备，包括反应室、以及设于反应室内的上电极环和下电极环，所述上电极环和所述下电极环之间设有调节垫环。本发明具有结构简单、调节方便、有利于实现低功率起辉等优点。

公开(公告)号：CN105225931A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510637933.6

申请日：2015-09-30

申请人： 中国电子科技集团公司第四十八研究所

发明人： 巩小亮 ,  陈锋武 ,  罗才旺 ,  刘欣 ,  林伯奇 ,  肖慧 ,  魏唯 ,  彭立波

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

CPC分类号： H01L21/0254 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

摘要： 一种本发明的AlN模板及其生长方法、基于AlN模板的Si基GaN外延结构及其生长方法。该AlN模板无微裂纹，表面粗糙度在2nm以下，无柱状晶或孔洞型缺陷。生长方法包括在硅衬底上先沉积Al岛、原位退火，再沉积AlN。基于AlN模板的Si基GaN外延结构包括由下至上依次层叠的Si基体、AlN模板层、AlxGa1-xN应力缓冲层、超晶格过渡层和周期性交替排列的GaN生长层与插入层，生长方法包括在Si衬底上依次生长前述各层。AlN模板具有较低的表面粗糙度和缺陷密度，基于AlN模板的Si基GaN外延结构及其生长方法可强化应力调控和位错控制作用、稳定地实现大尺寸Si基GaN的无裂纹外延生长。