-
公开(公告)号：CN109405625A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811058260.9
申请日：2018-09-11
申请人： 上海交通大学
IPC分类号： F28F13/00 , C01B32/19 , C01B32/188 , C01B32/194 , C01B21/064 , B82Y30/00
CPC分类号： F28F13/00 , B82Y30/00 , C01B21/0648 , C01B32/188 , C01B32/19 , C01B32/194 , C01B2204/02 , F28F2013/001
摘要： 本发明提供了一种近场热辐射系统，包括高温物体(1)、低温物体(3)以及中继放大器(4)；所述高温物体(1)的温度高于低温物体(3)的温度；所述中继放大器(4)位于所述高温物体(1)和低温物体(3)之间；所述高温物体(1)作为热源；所述低温物体(3)作为冷源。本发明提出的利用能够激发等离极化激元-声子极化激元的二维材料复合异质结构构成的中继放大器，将之引入近场热辐射构成低温物体近场热辐射系统，能够更大程度地增强近场热辐射并远超普朗克黑体辐射定律。
-
公开(公告)号：CN102713025B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201080034919.2
申请日：2010-07-22
申请人： 格尔德殿工业公司
发明人： 维嘉恩·S.·维拉萨米
CPC分类号： C30B33/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C01B32/194 , C25F5/00 , C30B29/02
摘要： 本发明的某些实施例示例涉及到石墨烯作为透明导电涂层(TCC)的应用。在某些实施例示例中，在催化剂薄膜上从烃气(hydrocarbon gas)(例如像C2H2、CH4或类似物)大面积的异质外延生长为石墨烯薄膜。某些实施例示例中的石墨烯薄膜可为掺杂的或无掺杂的。在某些实施例示例中，石墨烯薄膜一旦形成，便可被剥离开其载体基底从而被转移至接收基底，例如其可被并入中间产品或成品。石墨烯以这种方式地生长、剥离与转移显示出低薄膜电阻(例如低于150欧姆/平方，掺杂时更低)与高传输值(例如，至少在可见光与红外光谱范围内)的特性。
-
公开(公告)号：CN105358482A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480025984.7
申请日：2014-05-07
申请人： 马克斯·普朗克科学促进学会
IPC分类号： C01B31/04
CPC分类号： C01B31/0461 , B01J21/18 , C01B31/0453 , C01B32/186 , C01B32/188 , C01B32/20 , C09K5/14 , C25D3/38 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/02
摘要： 本发明涉及一种石墨烯膜，其由包括如下步骤的方法获得：a)提供衬底，b)在所述衬底的表面上外延生长金属层，c)可选地，通过在外延生长的金属层上生长金属来增加步骤b)中得到的金属层的厚度，d)从所述衬底剥离步骤b)或者可选地步骤c)中得到的金属层，e)在由步骤d)获得的金属层的至少一部分表面上沉积石墨烯，所述至少一部分表面在步骤d)进行剥离之前与所述衬底接触。这种石墨烯膜具有非常高的载流子迁移率，即，当于SiO2衬底上测量时，载流子迁移率大于11000cm2/V·sec，至少15000cm2/V·sec，至少20000cm2/V·sec，至少25000cm2/V·sec，或甚至至少30000cm2/V·sec。
-
公开(公告)号：CN104246025A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380018675.2
申请日：2013-03-28
申请人： ISIS创新有限公司
发明人： 妮科尔·格罗贝尔 , 阿德里安·蒂莫西·默多克 , 安塔尔·阿道弗·科斯
CPC分类号： C01B31/0461 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/182 , C01B32/186 , C01B32/188 , C01B2204/02 , C01B2204/04 , C01P2004/20 , C23C16/26 , C30B25/165 , C30B25/186 , C30B29/02
摘要： 本发明提供了一种通过化学气相沉积(CVD)来生产二维纳米材料的方法，所述方法包括使反应室中的基底与包含氢气的第一流体和包含用于所述材料的前体的第二流体接触，其中所述接触是在使得所述前体在所述室中反应从而在所述基底的表面上形成所述材料的条件下进行的，其中所述第一流体的流速与所述第二流体的流速的比率为至少5:1。还提供了可通过所述方法获得的二维纳米材料，以及包含所述纳米材料的装置。
-
公开(公告)号：CN103824566A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410100304.5
申请日：2014-03-18
申请人： 清华大学
CPC分类号： G11B5/3106 , C01B32/186 , C01B32/188 , G11B5/102 , G11B5/255 , G11B5/3163 , G11B5/581 , G11B5/6082
摘要： 本发明提供了一种读写接触式硬盘的磁头、滑块与盘体的接触技术。磁头滑块与盘体接触的接触面为至少一层二维原子晶体，结构为平面，并延伸至磁头侧面；盘体原子级平整，与磁头滑块接触的接触面为至少一层二维原子晶体或类金刚石纳米膜（DLC）。在读取数据时，所述磁头滑块和盘体之间始终保持原子接触。本发明的磁头滑块与盘体之间直接接触的二维原子晶体两层结构具有非共度性，并呈现超润滑状态，即两者之间的摩擦力几乎为零。磁头滑块与盘体的原子接触，大大降低磁头滑块与盘体之间的距离，且可完全取消传统磁头滑块中的DLC保护层，进一步降低了磁头滑块与盘体之间的距离，实现更高存储密度、更快存储和读取速度、以及更小型化的硬盘设备。
-
公开(公告)号：CN103377876B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201210122535.7
申请日：2012-04-25
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC分类号： H01L21/02439 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02444 , H01L21/02538 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L33/22 , Y10S977/734 , Y10S977/742
摘要： 本发明涉及一种外延结构体的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一外延生长面；处理所述外延生长面，形成多个凹槽，从而形成一图案化的表面；在所述图案化的表面设置一石墨烯层，所述石墨烯层具有多个空隙；在所述基底设置有石墨烯层的外延生长面生长一外延层。
-
公开(公告)号：CN104736477B
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201380053732.0
申请日：2013-08-07
申请人： 信越化学工业株式会社
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： H01L21/76254 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , C01B32/184 , C01B32/188 , C30B29/02 , C30B29/36 , C30B31/22 , C30B33/06 , H01L21/02043 , H01L21/324
摘要： 涉及可便宜地制造无缺陷的纳米碳膜的、使用混合基板的纳米碳膜的制造方法，其特征在于，自单晶的碳化硅基板的表面注入离子而形成离子注入区域，将上述碳化硅基板的经离子注入的表面与基底基板的表面贴合，随后在上述离子注入区域使碳化硅基板剥离而制造在基底基板上转印有包含单晶的碳化硅的薄膜的混合基板，接着加热该混合基板使硅原子从上述包含单晶的碳化硅的薄膜升华，得到纳米碳膜。
-
公开(公告)号：CN102800810B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210167769.3
申请日：2012-05-28
申请人： 浦项工科大学校产学协力团
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L51/0045 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C01B2204/02 , H01L51/0037 , H01L51/004 , H01L51/5215 , Y02E10/549
摘要： 本发明涉及电极和包括其的电子器件，所述电极为具有改性以具有高功函数的表面的石墨烯电极。
-
公开(公告)号：CN103378224B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210122618.6
申请日：2012-04-25
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/36 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/02 , H01L21/0237 , H01L21/02444 , H01L21/02499 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/005
摘要： 本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层，所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露；以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层。
-
公开(公告)号：CN103378224A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210122618.6
申请日：2012-04-25
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/36 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/188 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/02 , H01L21/0237 , H01L21/02444 , H01L21/02499 , H01L21/0254 , H01L21/02642 , H01L21/02647 , H01L33/005
摘要： 本发明涉及一种外延结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一石墨烯层，所述石墨烯层使所述外延生长面部分被覆盖且部分被暴露；以及在基底的外延生长面被暴露的部分生长外延层。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
32 条记录 (耗时 0.014 秒)
