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公开(公告)号：CN115652427A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211360231.4
申请日：2022-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种P型高阻及超高阻直拉单晶硅衬底的制备方法，本发明控制硅片中的氧含量与电阻率匹配，实现完成器件制造后硅衬底导电类型不发生转变，且具有高的电阻率；可定氧含量改变掺杂量或定电阻率改变氧含量或两者同时改变，灵活操作，大大提高高阻硅晶体的良率。
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公开(公告)号：CN114334792A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111274089.7
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种SOI结构的半导体硅晶圆及其制备方法，属于半导体制造领域，具体包括步骤一，将半导体硅晶圆置于第一垂直炉管进行长时间热处理；步骤二，将长时间热处理后的所述半导体硅晶圆放入第二垂直炉管中，进行氧化减薄处理；步骤三，对氧化减薄后的所述半导体硅晶圆进行快速热退火处理，其中，在长时间热处理中，先将所述半导体硅晶圆置于纯氩气氛中进行保护，而后在1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛升温至目标温度再进行退火阶段，退火阶段，气氛为1‑n％氩气+n％氢气的混合气氛或者纯氩气，n为不大于10的数值。通过本申请的处理方案，使半导体硅晶圆表面粗糙度小于5埃，且边缘无滑移线。
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公开(公告)号：CN106904599B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510952653.4
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种在绝缘衬底上制备图形石墨烯的方法，包括：1）提供一绝缘衬底，于绝缘衬底上沉积锗薄膜；2）采用光刻刻蚀工艺于锗薄膜中刻蚀出所需图形，形成图形锗薄膜；以及步骤3）以所述图形锗薄膜为催化剂，在高温下生长石墨烯，同时，图形锗薄膜在高温下不断蒸发，并最终被全部去除，获得结合于绝缘衬底上的图形石墨烯。本发明通过在绝缘衬底上制备锗薄膜，并光刻刻蚀所述锗薄膜形成所需图形后，催化生长石墨烯，并在生长的同时将锗薄膜蒸发去除，获得绝缘体上图形石墨烯，克服了采用光刻刻蚀工艺对石墨烯进行刻蚀所带来的光刻胶等污染，提高了绝缘体上图形石墨烯材料的质量及性能。采用本发明的方法可以获得质量很高的图形石墨烯。
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公开(公告)号：CN114664657A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111269451.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种晶圆表面处理方法。本发明通过控制处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火和降温氧化减薄过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，有效减少了最终处理工艺成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN114156179A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111269452.6
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种改善绝缘层上硅晶圆表面粗糙度的方法。本发明通过控制快速热处理过程中各个阶段的气体配置以及相应的升温退火过程，使最终晶圆表面粗糙度小于5A，具有良好的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107653446A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201610591642.2
申请日：2016-07-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: C23C16/0272 , C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种提高石墨烯成核密度的石墨烯生长方法，包括如下步骤：S1：提供一Ge衬底，对所述Ge衬底进行离子注入；S2：进行退火，使所述Ge衬底中的注入离子至少有一部分析出到所述Ge衬底表面，以增加所述Ge衬底表面的石墨烯成核点；S3：提供碳源，在所述Ge衬底表面生长得到石墨烯。本发明为石墨烯在Ge表面的生长提供了更多的成核点，从而提高石墨烯的成核密度，大大的增加了石墨烯的生长速度，有利于减少石墨烯的生产成本，并可以通过调节离子的注入剂量与注入能量来调制石墨烯的成核密度。
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公开(公告)号：CN105088179A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510532604.5
申请日：2015-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明提供一种转移石墨烯的方法，包括：提供一锗催化衬底，将其放入生长腔室，并通入含氢气氛，以在所述锗催化衬底表面形成Ge-H键；将所述催化衬底加热至预设温度，并往所述生长腔室内通入碳源，在所述锗催化衬底表面生长得到石墨烯；提供一键合基底，将所述锗催化衬底形成有石墨烯的一面与所述键合基底键合，得到键合片；微波处理所述键合片，以使所述Ge-H键断裂，生成氢气，使得所述石墨烯从所述锗催化衬底上剥离，转移至所述键合基底表面。本发明可将石墨烯轻松转移至多种衬底上，无需经过湿法反应过程，减少了缺陷的引入，且能够最大程度保留了石墨烯的完整性，特别有利于大尺寸石墨烯的转移。锗催化衬底可重复利用，有利于节省材料，更为环保。
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公开(公告)号：CN116364533A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310573286.1
申请日：2023-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02 , H01L21/762 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种富陷阱绝缘体上硅结构及其制备方法，其中富陷阱绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供第一衬底，所述第一衬底具有正面，对所述正面进行粗糙化处理，以使得所述正面呈不平整的形貌；在所述正面形成表面处理层，所述表面处理层的表面也呈不平整的形貌；以及在所述表面处理层上形成多晶硅膜层，本发明通过粗糙化处理第一衬底，使得第一衬底的正面和表面处理层的表面均呈不平整的形貌，从而使得形成的多晶硅膜层有稳定的取向演变和晶粒尺寸，使多晶硅膜层具有更高的晶界密度，从而能够得到高效率的电荷捕获多晶硅膜层。
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公开(公告)号：CN114914192A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210475540.X
申请日：2022-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供一种绝缘体上硅结构及其制备方法，绝缘体上硅结构的制备方法包括以下步骤：提供一第一衬底，第一衬底中有氧沉淀；在第一表面上通过氧化形成第一绝缘层，同时在氧化过程中溶解距离第一表面预设深度范围内的氧沉淀，以在距离所述第一表面预设深度范围内形成无缺陷洁净区，使得得到的绝缘体上硅结构中的HF‑defect数量减少，保证绝缘体上硅结构的高良率和低缺陷，剥离后的第一衬底可至少重复使用5次，并在机械力满足的情况下的剥离后的第一衬底可重复使用10次以上，这就大大增加了第一衬底的使用次数，降低制程成本，同时也扩大了直拉单晶硅生长工艺窗口，含有原生氧沉淀的硅晶圆也可被直接用于制备高质量绝缘体上硅结构。
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公开(公告)号：CN114023643A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111273132.8
申请日：2021-10-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/324 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种SOI晶圆的表面处理方法，包括以下步骤：提供一SOI晶圆，SOI晶圆包括背衬底、顶层硅和绝缘埋层，绝缘埋层位于背衬底和顶层硅之间，顶层硅的表面粗糙度大于在第一目标温度下，通过长时间热退火工艺对顶层硅的表面进行第一次平坦化处理；以及在第二目标温度下，通过快速热退火工艺对顶层硅的表面进行第二次平坦化处理，以将长时间热退火工艺和快速热退火工艺结合，优化了SOI晶圆，特别是SOI晶圆的表面粗糙度，使得经过上述两个工艺的平坦化处理的SOI晶圆的顶层硅的表面粗糙度满足工艺需求。
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