结晶设备及结晶方法
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108295500B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201810150183.3

    申请日:2018-02-13

    IPC分类号: B01D9/02 B01D9/04

    摘要: 本发明公开一种结晶设备及结晶方法。该结晶设备具有至少一个流体通道,流体通道的一端设有进料口,流体通道沿料液的流动方向依次分为输送段、混合段及晶体生长段,输送段用于将料液输送至混合段,混合段远离晶体生长段的一端的侧壁还设有冷却介质入口,冷却介质入口用于将冷却介质送入混合段,混合段用于实现料液与冷却介质的混合、料液的降温以及使得料液产生过饱和度并析出晶体,晶体生长段用于晶体的生长、并获得含有溶质颗粒的悬浮液;流体通道的另一端还设有出料口,出料口用于将悬浮液连续排出流体通道。该结晶设备及结晶方法,能够快速的产生较大的过饱和度、较为均一的过饱和度分布,从而制得粒径分布窄、平均粒径小的晶体颗粒产品。

    一种制备N-二氟甲硫基邻苯酰亚胺类化合物的方法

    公开(公告)号:CN107540598B

    公开(公告)日:2020-05-12

    申请号:CN201610469651.4

    申请日:2016-06-23

    IPC分类号: C07D209/48

    摘要: 本发明公开了一种制备N‑二氟甲硫基邻苯酰亚胺类化合物的方法。该方法包括下列步骤:如式3所示的N‑二氟甲硫基邻苯酰亚胺的制备方法,其包括下列步骤:有机溶剂中,将二氟甲硫氯与如式1所示的化合物进行如下所示的二氟甲硫基化反应,即可。本发明的制备方法操作简便、步骤少、适用底物范围广、反应条件温和、转化率高、收率高、成本低、适合于工业化生产。

    结晶设备及结晶方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108295500A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810150183.3

    申请日:2018-02-13

    IPC分类号: B01D9/02 B01D9/04

    摘要: 本发明公开一种结晶设备及结晶方法。该结晶设备具有至少一个流体通道,流体通道的一端设有进料口,流体通道沿料液的流动方向依次分为输送段、混合段及晶体生长段,输送段用于将料液输送至混合段,混合段远离晶体生长段的一端的侧壁还设有冷却介质入口,冷却介质入口用于将冷却介质送入混合段,混合段用于实现料液与冷却介质的混合、料液的降温以及使得料液产生过饱和度并析出晶体,晶体生长段用于晶体的生长、并获得含有溶质颗粒的悬浮液;流体通道的另一端还设有出料口,出料口用于将悬浮液连续排出流体通道。该结晶设备及结晶方法,能够快速的产生较大的过饱和度、较为均一的过饱和度分布,从而制得粒径分布窄、平均粒径小的晶体颗粒产品。