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公开(公告)号：CN107362587B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710780016.2
申请日：2017-09-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： B01D17/022
摘要： 本发明涉及一种超疏水超亲油金属镍网的制备方法，超疏水超亲油金属镍网包括镍网，以及原位生成于所述镍网表面的经表面改性剂修饰的具有微纳米结构的金属硫化物涂层，所述金属硫化物涂层为Ni3S2涂层、或Ni3S2和MoS2的复合涂层，所述表面改性剂为硅烷偶联剂或/和硫醇类长链化合物。
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公开(公告)号：CN107362587A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710780016.2
申请日：2017-09-01
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院 , 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： B01D17/022
CPC分类号： B01D17/02
摘要： 本发明涉及一种超疏水超亲油金属镍网及其制备方法和应用，超疏水超亲油金属镍网包括镍网，以及原位生成于所述镍网表面的经表面改性剂修饰的具有微纳米结构的金属硫化物涂层，所述金属硫化物涂层为Ni3S2涂层、或Ni3S2和MoS2的复合涂层，所述表面改性剂为硅烷偶联剂或/和硫醇类长链化合物。
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公开(公告)号：CN102153333B
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201010594254.2
申请日：2010-12-19
IPC分类号： H01F1/01 , C04B35/00 , C04B33/00 , C04B35/26 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了一种可磁化陶瓷的制备方法，其特征在于，它是在非磁性陶瓷粉料中掺入可磁化物质，采用陶瓷制备工艺，制备可磁化的陶瓷制品；陶瓷制备工艺包括配料、混料、成形、烧成工序。本发明将可磁化物质直接掺入陶瓷原料中，通过陶瓷的高温烧结过程，使其在保留原有可磁化特性的同时，烧结在陶瓷本体内，从而解决磁性物质和陶瓷制品的结合问题，工序简单，制备方便，具有良好的推广价值。
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公开(公告)号：CN103626404A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310695465.9
申请日：2013-12-17
申请人： 佛山市中国科学院上海硅酸盐研究所陶瓷研发中心 , 谢晓峰
IPC分类号： C03C17/25
摘要： 本发明涉及纳米涂层技术领域，尤其涉及一种纳米二氧化钛自清洁玻璃的制备方法包括以下步骤：步骤1：清洁玻璃表面；步骤2：使用纳米晶复合溶液对玻璃进行超声雾化喷涂,所述纳米晶复合溶液为二氧化钛/二氧化硅复合溶液，所述二氧化钛和二氧化硅的重量比例为1:0.15-1:0.5；步骤3：将喷涂后的玻璃进行退火处理。本发明采用上述技术解决方案所能达到的有益效果主要是解决了自清洁玻璃大规模生产时造成的涂布不均、涂层外观质量太差等问题，同时能够使得涂层跟牢固地结合在玻璃基体表面，保证了涂层的使用寿命。本工艺具有工艺简单，实际应用方便等特点，制得的自清洁玻璃涂层外观透亮，具有增透的效果。
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公开(公告)号：CN101533669B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910048823.0
申请日：2009-04-03
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及在同一种存储结构中实现和调控多种电阻转变方式的方法，包括单/双极性电阻转变和两种方向的双极性电阻转变，所述的电阻转变方式均可用于电阻式随机存储器。本发明中的存储结构为多层薄膜结构，包括顶电极、阻变层和底电极。顶电极为活泼金属，阻变层为稀土锰氧化物薄膜，底电极为贵金属或氧化物导电薄膜。通过控制活泼金属顶电极的厚度和施加特殊的电压扫描或脉冲过程实现了单/双电阻转变效应以及双极性电阻转变效应的极性翻转。在同一种存储结构中实现多种电阻转变方式的调控，可发挥多种电阻转变方式的优势，如单极性电阻转变的高转变率，双极性电阻转变的快速度。因此可在同一存储阵列中满足不同的存储要求，有利于其实际应用。
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公开(公告)号：CN101295586B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810038765.9
申请日：2008-06-11
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01G9/04 , H01G9/042 , H01G9/08 , H01G9/20 , H01G13/00 , H01M14/00 , H01L31/04 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/48
CPC分类号： Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种采用廉价的汞溴红染料制备纳米晶TiO2太阳能电池的原型器件的制作方法，其特征在于使用商业化TiO2纳米粉体，采用化学分数和粉末刮涂工艺制作多孔光电极，并用汞溴红染料制作光敏剂，制作出太阳能电池原型器件方法制作的。电池原型器件是由光阳极(包括透明导电玻璃、丝网印刷银电极、致密TiO2薄膜、纳米多孔TiO2厚膜、吸附于TiO2上的光敏化染料)、电解液(I2/I3-电解液体系)、对电极(铂催化层、丝网印刷银电极、透明导电玻璃)、以及电极封装材料等构成。本发明可望在规模化太阳能光电利用、便携式电子设备的供/充电、及太阳能交通灯、庭院灯等广泛领域得到应用。
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公开(公告)号：CN102219525A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110119848.2
申请日：2011-05-10
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/628 , C04B33/00 , C04B33/02
摘要： 本发明公开了一种防静电瓷砖及其制备方法，其特征在于，它包括主要由陶瓷颗粒和填充陶瓷颗粒间隙的三维导电网络结构构成；制备方法包括：将导电材料进行球磨、烘干及造粒，过30目~600目筛，制备成导电粉体；采用二级混合工艺将第一步所制备的导电粉体按一定比例加入到陶瓷坯料后置于混料机中进行混合，后经多层等径筛孔进行均匀化处理，在陶瓷坯料颗粒表面均匀包覆一导电粉体层；将第二步制备得到的混合粉料压制成形，烧成得到防静电瓷砖。本发明采用陶瓷坯料颗粒表面覆盖一层导电粉体，在瓷砖内部构建导电网络，导电材料用量少，且不受坯料相组成的影响，防静电性能稳定，成本低、经济适用性强，并能够广泛的应用于各种陶瓷砖生产中，生产的陶瓷砖花色品种丰富，美观实用。
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公开(公告)号：CN101359705B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200810042305.3
申请日：2008-08-29
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： H01L33/00 , H01L31/0296 , H01L31/18 , H01L21/363 , C30B29/22
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种禁带宽度连续可调的多元合金氧化物薄膜材料及制备方法，特征在于所述的薄膜材料的组成为Zn1-x-yBexMgyO，其中x、y为摩尔分数，且0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1，晶体结构为六方纤锌矿结构。通过调节薄膜材料中Be和Mg的含量，其禁带宽度在3.3～10.8eV范围内连续可调。与ZnMgO合金薄膜体系相比，其禁带宽度可以在更大范围内连续调节，并且保持单一六方纤锌矿结构，没有分相产生；与BeZnO合金薄膜体系相比，其晶格失配度较低，具有更高的结晶质量。该锌铍镁氧多元合金氧化物薄膜在短波长光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101058483B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710039240.2
申请日：2007-04-06
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
摘要： 本发明涉及一种制备纳米多孔氧化钛厚膜的方法，其特征在于，采用“纳米颗粒化学分散方法”对TiO2纳米颗粒进行预处理，然后以“粉末涂敷”在衬底上制备TiO2厚膜，其制备过程包括：(1)采用稀硝酸对TiO2纳米颗粒进行分散预处理；(2)将所得粉体与水、成孔剂调合得刮涂浆料；(3)以玻璃棒将TiO2浆料涂敷于衬底上，吹干；(4)重复涂敷若干次至所需膜厚；(5)高温热处理。所采用TiO2粉体为Degussa公司P-25纳米粉体，成孔剂为聚乙二醇，衬底为玻璃(如石英玻璃、ITO或FTO导电玻璃)、单晶硅、蓝宝石或其他材料。本发明的特点是：所得TiO2膜层厚度在1-30微米范围可控，粒子尺寸约20-30nm，具有优良的均匀性和巨大的比表面积；制作方法简单，成本低廉，适合于规模化生产。
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公开(公告)号：CN100552099C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200710044966.5
申请日：2007-08-17
申请人： 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC分类号： C30B30/02
摘要： 本发明涉及一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预处理的衬底表面形成一晶柱尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具有单一c轴生长特性。具体包括电沉积前驱液的制备、衬底清洗处理以及薄膜生长三大步，最后薄膜生长采用电化学沉积系统。所制备的ZnO膜层具有单一c轴取向，结晶程度高，而且在可见光区具有很高的透过率，可用作薄膜太阳电池的窗口层、以及压电、光电、气敏等多种领域。本方法成本低廉，无需真空环境或使用有机物和高温加热设备，适合于大面积、规模化薄膜材料制备。
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