公开(公告)号：CN107482070A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710580716.7

申请日：2017-07-17

申请人： 中山大学

发明人： 江灏 ,  李永贤 ,  张晓涵

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/108

CPC分类号： H01L31/022425 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/108

摘要： 本发明公开了一种凹槽型电极结构的InGaN基MSM可见光光电探测器。器件结构包括衬底（10）及生长于衬底（10）之上的外延层，其中，外延层自下而上的顺序依次为缓冲层（11），过渡层（12），非故意掺杂InxGa1-xN有源层（13），在InxGa1-xN有源层（13）上镀制的肖特基金属-半导体-金属（MSM）器件结构的插指状电极（14）和插指状电极（15），其中电极（14）沉积在原生InxGa1-xN（13）的表面，电极（15）沉积在插指状凹槽（16）中。凹槽（16）采用干法或湿法刻蚀在有源层（13）上形成。与传统平面MSM结构相比，具有凹槽型电极结构的 InGaN基 MSM可见光探测器利用凹槽侧壁阻断载流子因InGaN原表面变程跃迁所产生的漏电流，可显著降低探测器的暗电流；同时，凹槽电极改善了电极间的电场分布，可有效提升光电流。

公开(公告)号：CN107195708A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710205252.1

申请日：2017-03-31

申请人： 南京邮电大学

发明人： 王永进 ,  李远航 ,  杨永超 ,  朱桂遐 ,  袁炜 ,  袁佳磊

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/11 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/11 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种基于光致晶体管的双模式类脑神经元芯片及其制备方法，该器件由集成在硅基氮化物载体上的光致晶体管构成。晶体管的发射极可以作为神经刺激的产生单元，集电极可以作为神经刺激的感知探测端。神经刺激信号在器件内部传输是基于光子而非传统的质子或电子。由于结构和材料的特性，刺激信号在内部传输的过程中会被存储一定的时间，模拟了人脑对信息的记忆功能。晶体管可看作一对共N极的PN结，由于结构相同，所以发射极和集电极功能可以互换，即信息可以双向传输。本发明在信息传输的过程中给作为光电探测的一端加载偏置电压使其处于点亮的状态，模拟了人脑对于不同信息选择性的记忆或者不记忆，为复杂的大脑记忆特性研究奠定基础。

公开(公告)号：CN107046071A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710220056.1

申请日：2017-04-06

申请人： 中国科学院半导体研究所

发明人： 刘磊 ,  杨超 ,  赵丽霞

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/112

CPC分类号： H01L31/03044 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/112

摘要： 一种基于多孔DBR的InGaN基谐振腔增强型探测器芯片，包括：一衬底；形成于衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的底部多孔DBR层；形成于底部多孔DBR层上的n型GaN层，n型GaN层的一侧向下形成有台面，另一侧为凸起；形成于n型GaN层上的有源区；形成于有源区上的p型GaN层；一侧壁钝化层，形成于所述p型GaN层部分的上表面及凸起的n型GaN层、有源区和p型GaN层的侧壁，该p型GaN层上表面的侧壁钝化层中间有一窗口；形成于侧壁钝化层及其窗口处p型GaN层上的透明导电层；形成于n型GaN层的台面上的n电极；制作在侧壁钝化层上表面周围的p电极；形成于透明导电层及p电极上的顶部介质DBR层。

公开(公告)号：CN102782966B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201180012048.9

申请日：2011-03-04

申请人： 加利福尼亚大学董事会

发明人： P·S·徐 ,  K·M·科尔奈 ,  R·M·法雷尔 ,  D·A·海格尔 ,  H·太田 ,  A·泰亚吉 ,  S·纳卡姆拉 ,  S·P·德恩巴阿斯 ,  J·S·斯派克

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02609 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0735 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2031 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

摘要： 在GaN的错切上生成的光电子装置，其中所述错切包括在GaN的c‑方向且与GaN的m‑平面错切x度的（GaN的）半极性GaN晶体平面，其中‑15

公开(公告)号：CN106531824A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201611056818.0

申请日：2016-11-25

申请人： 罗雷

发明人： 罗雷

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种异质结型光电探测器及其制备方法，是由p型钐掺杂氮化镓纳米线与n型石墨烯构筑成的异质结光电探测器。本发明光电探测器对可见光非常敏感，响应度及增益较高并且响应速度较快，为纳米材料在光电器件中的应用和集成提供了良好的基础。

公开(公告)号：CN102687291B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201080060293.2

申请日：2010-12-23

申请人： 欧司朗光电半导体有限公司

发明人： 赖纳·布滕戴奇 ,  亚历山大·沃尔特 ,  马蒂亚斯·彼得 ,  托比亚斯·迈耶 ,  泷哲也 ,  胡贝特·迈瓦尔德

IPC分类号： H01L33/24 ,  H01L33/02

CPC分类号： H01L27/0248 ,  H01L27/15 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035236 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明说明了一种光电半导体芯片（100），其具有第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2），所述第一半导体层序列包括多个微型二极管（11），所述第二半导体层序列包括有源区（12），其中，第一半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）基于氮化物-化合物半导体材料，所述第一半导体层序列（1）在生长方向上位于第二半导体层序列（2）之前，并且所述微型二极管（11）形成对有源区（12）的ESD（静电放电）保护。

公开(公告)号：CN103227259B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310037581.1

申请日：2013-01-31

申请人： 丰田合成株式会社

发明人： 篠原裕直 ,  平野健介

IPC分类号： H01L33/20

CPC分类号： H01L31/02 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/50 ,  H01L31/03044 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/20 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种半导体发光元件（1），其具有蓝宝石基板（100）、层叠在蓝宝石基板（100）上的下侧半导体层（210）以及上侧半导体层（220），蓝宝石基板（100）具备基板上表面（113）、基板底面、第1基板侧面（111）以及第2基板侧面（112），并且，在第1基板侧面（111）以及第2基板侧面（112）与基板上表面（113）的边界设置有多个第1切口（121a）以及多个第2切口（122a），下侧半导体层（210）具备下侧半导体底面、下侧半导体上表面（213）、第1下侧半导体侧面（211）以及第2下侧半导体侧面（212），在第1下侧半导体侧面（211）设置有多个第1凸部（211a）以及多个第1凹部（211b），在第2下侧半导体侧面（212）设置有多个第2突起部（212a）以及第2平坦部（212b）。

公开(公告)号：CN104465849A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410490656.6

申请日：2014-09-23

申请人： 首尔伟傲世有限公司

发明人： 朴起延 ,  金华睦 ,  李圭浩 ,  李晟贤 ,  金亨奎

IPC分类号： H01L31/101

CPC分类号： H01L31/108 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1856 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

摘要： 公开了一种半导体光检测装置和及其制造方法。所述半导体光检测装置包括：基底；第一氮化物层，设置在基底上；低电流阻挡层，设置在第一氮化物层上并包括多层结构；光吸收层，设置在低电流阻挡层上；肖特基结层，设置在光吸收层上。因此，本发明可以提供具有高的光检测效率的光检测装置。

公开(公告)号：CN104465817A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410478173.4

申请日：2014-09-18

申请人： 株式会社东芝

发明人： 藤本明 ,  岩崎刚之 ,  木村香里 ,  泷泽和孝 ,  中村健二 ,  真竹茂

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14643 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/547

摘要： 本公开提供了含有半导体和分散于其中的多个含金属微小结构的光电转换层。所述微小结构是包含金属材料(α)的微小结构(A)或否则包含金属材料(α)和材料(β)的微小结构(B)，所述材料(β)选自由不同于所述金属材料(α)和所述半导体中的任一个的物质的氧化物、氮化物和氧氮化物组成的组。在所述微小结构(B)中，所述材料(β)在所述金属材料(α)的表面上。所述微小结构中的每一个都具有基于当从特定方向观察时的投影面积的1nm到10nm且包括端值的等圆直径。在该方向上，所述微小结构具有最小总投影面积。相邻两个所述微小结构之间的最近距离是3nm到50nm且包括端值的。本公开还提供了所述光电转换层于太阳能电池、光电二极管和图象传感器的应用。

公开(公告)号：CN104285303A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024898.X

申请日：2013-04-18

申请人： LG伊诺特有限公司

发明人： 成命锡 ,  张大振

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03365 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541

摘要： 根据本发明的太阳能电池包括：光吸收层；在光吸收层上的缓冲层；在缓冲层上的高电阻缓冲层；以及在缓冲层上的窗口层，其中高电阻缓冲层的能带隙高于窗口层的能带隙。