公开(公告)号：CN100459331C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200610067460.1

申请日：2006-03-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李德尧 ,  张书明 ,  杨辉 ,  梁俊吾

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01S5/00

Abstract: 一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利用刻蚀方法在平行于结的方向形成不对称脊形波导GaN基激光器结构，该结构在脊形条宽较大时也可以实现激光器在基模下工作，这种结构的脊形宽度较普通脊形结构实现基模工作所允许的脊形宽度大，在注入电流密度相同的情况下，可以增加注入电流，从而提高激光器在基模工作时的输出功率。

公开(公告)号：CN101047300A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200610067460.1

申请日：2006-03-29

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 李德尧 ,  张书明 ,  杨辉 ,  梁俊吾

IPC: H01S5/22 ,  H01S5/343 ,  H01S5/323 ,  H01S5/00

Abstract: 一种不对称的脊形波导氮化镓基半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底依次生长的欧姆接触层、下限制层、下波导层、有源层、电子阻挡层、上波导层、上限制层、覆盖层，经过刻蚀后该上限制层形成台阶状结构，并制作绝缘层及欧姆电极。其是利用刻蚀方法在平行于结的方向形成不对称脊形波导GaN基激光器结构，该结构在脊形条宽较大时也可以实现激光器在基模下工作，这种结构的脊形宽度较普通脊形结构实现基模工作所允许的脊形宽度大，在注入电流密度相同的情况下，可以增加注入电流，从而提高激光器在基模工作时的输出功率。